公开(公告)号：US07592122B2

公开(公告)日：2009-09-22

申请号：US10553315

申请日：2004-04-15

申请人： Toshiyuki Ogata ,  Kotaro Endo ,  Hiromitsu Tsuji ,  Masaaki Yoshida ,  Mitsuru Sato ,  Syogo Matsumaru ,  Hideo Hada

发明人： Toshiyuki Ogata ,  Kotaro Endo ,  Hiromitsu Tsuji ,  Masaaki Yoshida ,  Mitsuru Sato ,  Syogo Matsumaru ,  Hideo Hada

IPC分类号： G03F7/004 ,  C08C19/28

CPC分类号： C07C43/126 ,  C07C43/162 ,  C07C43/1747 ,  C07C69/96 ,  C07C2601/14 ,  C07C2602/42 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0757 ,  Y10S430/108

摘要： A high-molecular compound and a low-molecular compound or both having an alkali-soluble site (i) wherein at least a part of the alkali-soluble site (i) is protected with (ii) a halogen atom-containing acetal type acid-dissociative, dissolution inhibiting group, as well as a photoresist composition comprising the same. The photoresist composition is highly stable during storage and can give a resist pattern excellent in sectional rectangular shape and having high transparency to an exposure light, particularly a light having a wavelength of 300 nm or less.

摘要翻译： 具有碱溶性部位（i）的高分子化合物和低分子化合物或二者，其中至少一部分碱溶性部位（i）用（ⅱ）含卤原子的缩醛型酸 - 解离，溶解抑制基团，以及包含其的光致抗蚀剂组合物。 光致抗蚀剂组合物在保存期间高度稳定，并且可以得到截面矩形形状优异并且对曝光光，特别是波长为300nm以下的光具有高透明度的抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US20060210913A1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：US10553315

申请日：2004-04-15

申请人： Toshiyuki Ogata ,  Kotaro Endo ,  Hiromitsu Tsuji ,  Masaaki Yoshida ,  Mitsuru Sato ,  Syogo Matsumaru ,  Hideo Hada

发明人： Toshiyuki Ogata ,  Kotaro Endo ,  Hiromitsu Tsuji ,  Masaaki Yoshida ,  Mitsuru Sato ,  Syogo Matsumaru ,  Hideo Hada

IPC分类号： G03C1/76

CPC分类号： C07C43/126 ,  C07C43/162 ,  C07C43/1747 ,  C07C69/96 ,  C07C2601/14 ,  C07C2602/42 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0757 ,  Y10S430/108

摘要： A high-molecular compound and a low-molecular compound or both having an alkali-soluble site (i) wherein at least a part of the alkali-soluble site (i) is protected with (ii) a halogen atom-containing acetal type acid-dissociative, dissolution inhibiting group, as well as a photoresist composition comprising the same. The photoresist composition is highly stable during storage and can give a resist pattern excellent in sectional rectangular shape and having high transparency to an exposure light, particularly a light having a wavelength of 300 nm or less.

摘要翻译： 具有碱溶性部位（i）的高分子化合物和低分子化合物或二者，其中至少一部分碱溶性部位（i）用（ⅱ）含卤原子的缩醛型酸 - 解离，溶解抑制基团，以及包含其的光致抗蚀剂组合物。 光致抗蚀剂组合物在保存期间高度稳定，并且可以得到截面矩形形状优异并且对曝光光，特别是波长为300nm以下的光具有高透明度的抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US20060166130A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US10547427

申请日：2004-03-24

申请人： Toshiyuki Ogata ,  Kotaro Endo ,  Hiromitsu Tsuji ,  Masaaki Yoshida

发明人： Toshiyuki Ogata ,  Kotaro Endo ,  Hiromitsu Tsuji ,  Masaaki Yoshida

IPC分类号： G03C1/76

CPC分类号： G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  Y10S430/108

摘要： A photoresist composition containing a polymer (A) containing an alkali-soluble constituent unit (a1) containing an alicyclic group having both a fluorine atom or a fluorinated alkyl group (i) and an alcoholic hydroxyl group (ii), whose alkali-solubility is changeable by an action of an acid; an acid generator (B) which generates an acid by light irradiation; and a dissolution inhibitor (C) having a fluorine atom(s) and/or a nitrogen-containing compound (D) selected from a tertiary amine (d1) having a polar group, a tertiary alkylamine (d2) having 7 or more and 15 or less of carbon atoms or an ammonium salt (d3). The composition has a resist property capable of accomplishing line and space (1:1) of 90 nm or less in good shape as a pattern processing accuracy of a semiconductor integrated circuit by lithography.

摘要翻译： 1.一种光致抗蚀剂组合物，其含有含有具有氟原子或氟代烷基（i）和醇羟基（ii）的脂环族基团的碱溶性结构单元（a1）的聚合物（A），其碱溶性为 可以通过酸的作用而变化; 通过光照射产生酸的酸产生剂（B）; 和具有氟原子的溶解抑制剂（C）和/或选自具有极性基团的叔胺（d1），具有7以上的叔烷基胺（d2）和15以上的含氮化合物（D） 或更少的碳原子或铵盐（d3）。 该组合物具有能够通过光刻作为半导体集成电路的图案处理精度而实现90nm或更小的线和空间（1：1）的良好形状的抗蚀剂性质。

公开(公告)号：US07326512B2

公开(公告)日：2008-02-05

申请号：US10501459

申请日：2003-11-28

申请人： Toshiyuki Ogata ,  Kotaro Endo ,  Hiromitsu Tsuji ,  Masaaki Yoshida ,  Hideo Hada ,  Ryoichi Takasu ,  Mitsuru Sato

发明人： Toshiyuki Ogata ,  Kotaro Endo ,  Hiromitsu Tsuji ,  Masaaki Yoshida ,  Hideo Hada ,  Ryoichi Takasu ,  Mitsuru Sato

IPC分类号： G03F7/039 ,  C08F18/20 ,  C08F214/18 ,  C08F14/18

CPC分类号： G03F7/0046 ,  C08F20/22 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/108

摘要： Provided are a polymer compound having high transparency for use in a photoresist composition for microfabrication of the next generation, a resist composition using the polymer compound as a base polymer, and a dissolution inhibitor agent composed of the polymer compound.To ensure etching resistance, an alicyclic group is introduced into a side chain portion. Hydrogen atoms on the ring of the alicyclic group are highly fluorinated to ensure transparency to light of 157 nanometer wavelength, represented by an adsorption coefficient equal to or less than 3.0 μm−1. As the alicyclic group, a polycyclic group is preferably used. Hydrogen atoms are highly fluorinated by preferably substituting all hydrogen atoms on the ring by fluorine atoms, that is, forming a perfluoroalicyclic group. The resist composition is formed by using the polymer compound as a base polymer and further, the dissolution inhibitor agent is formed of the polymer compound.

摘要翻译： 提供了用于下一代微细加工的光致抗蚀剂组合物中使用的高透明性的高分子化合物，使用该高分子化合物作为基础聚合物的抗蚀剂组合物和由该高分子化合物构成的溶解抑制剂。 为了确保耐蚀刻性，将脂环族基团引入侧链部分。 脂环族基团上的氢原子被高度氟化，以确保由等于或小于3.0μm的吸附系数表示的157纳米波长的透明度。 作为脂环基，优选使用多环基。 通过优选用氟原子代替环上的所有氢原子，即形成全氟环脂基，氢原子被高度氟化。 抗蚀剂组合物通过使用高分子化合物作为基础聚合物形成，并且该溶解抑制剂由高分子化合物形成。

公开(公告)号：US07264918B2

公开(公告)日：2007-09-04

申请号：US10546529

申请日：2004-03-24

申请人： Kotaro Endo ,  Masaaki Yoshida ,  Taku Hirayama ,  Hiromitsu Tsuji ,  Toshiyuki Ogata ,  Mitsuru Sato

发明人： Kotaro Endo ,  Masaaki Yoshida ,  Taku Hirayama ,  Hiromitsu Tsuji ,  Toshiyuki Ogata ,  Mitsuru Sato

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/11 ,  G03F7/207 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0395 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/115

摘要： A resist composition for liquid immersion lithography process, which comprises: (A) a polymer comprising (a1) alkali-soluble constitutional units each comprising an alicyclic group having both (i) a fluorine atom or a fluoroalkyl group and (ii) an alcoholic hydroxyl group, wherein the polymer changes in alkali-solubility due to the action of acid; and (B) an acid generator which generates acid due to exposure to light, and a method for forming a resist pattern using the resist composition. By the resist composition or the method, an adverse effect of the immersion liquid can be avoided while achieving high resolution and high depth of focus.

摘要翻译： 一种用于液浸光刻工艺的抗蚀剂组合物，其包括：（A）包含（a1）碱可溶性结构单元的聚合物，其各自包含具有（i）氟原子或氟代烷基的脂环族基团和（ii）醇羟基 基团，其中聚合物由于酸的作用而改变碱溶解度; 和（B）由于曝光而产生酸的酸发生剂，以及使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法。 通过抗蚀剂组合物或方法，可以避免浸渍液体的不利影响，同时实现高分辨率和高焦度聚焦。

公开(公告)号：US20060154170A1

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：US10546529

申请日：2004-03-24

申请人： Kotaro Endo ,  Masaaki Yoshida ,  Taku Hirayama ,  Hiromitsu Tsuji ,  Toshiyuki Ogata ,  Mitsuru Sato

发明人： Kotaro Endo ,  Masaaki Yoshida ,  Taku Hirayama ,  Hiromitsu Tsuji ,  Toshiyuki Ogata ,  Mitsuru Sato

IPC分类号： G03C1/76

CPC分类号： G03F7/0395 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/115

摘要： A resist composition for liquid immersion lithography process, which comprises: (A) a polymer comprising (a1) alkali-soluble constitutional units each comprising an alicyclic group having both (i) a fluorine atom or a fluoroalkyl group and (ii) an alcoholic hydroxyl group, wherein the polymer changes in alkali-solubility due to the action of acid; and (B) an acid generator which generates acid due to exposure to light, and a method for forming a resist pattern using the resist composition. By the resist composition or the method, an adverse effect of the immersion liquid can be avoided while achieving high resolution and high depth of focus.

摘要翻译： 一种用于液浸光刻工艺的抗蚀剂组合物，其包括：（A）包含（a1）碱可溶性结构单元的聚合物，其各自包含具有（i）氟原子或氟代烷基的脂环族基团和（ii）醇羟基 基团，其中聚合物由于酸的作用而改变碱溶解度; 和（B）由于曝光而产生酸的酸发生剂，以及使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法。 通过抗蚀剂组合物或方法，可以避免浸渍液体的不利影响，同时实现高分辨率和高焦度聚焦。

公开(公告)号：US20050130056A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US10501459

申请日：2003-11-28

申请人： Toshiyuki Ogata ,  Kotaro Endo ,  Hiromitsu Tsuji ,  Masaaki Yoshida ,  Hideo Hada ,  Ryoichi Takasu ,  Mitsuru Sato

发明人： Toshiyuki Ogata ,  Kotaro Endo ,  Hiromitsu Tsuji ,  Masaaki Yoshida ,  Hideo Hada ,  Ryoichi Takasu ,  Mitsuru Sato

IPC分类号： C08F16/24 ,  C08F20/22 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  G03C1/494

CPC分类号： G03F7/0046 ,  C08F20/22 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/108

摘要： Provided are a polymer compound having high transparency for use in a photoresist composition for microfabrication of the next generation, a resist composition using the polymer compound as a base polymer, and a dissolution inhibitor agent composed of the polymer compound. To ensure etching resistance, an alicyclic group is introduced into a side chain portion. Hydrogen atoms on the ring of the alicyclic group are highly fluorinated to ensure transparency to light of 157 nanometer wavelength, represented by an adsorption coefficient equal to or less than 3.0 μm−1. As the alicyclic group, a polycyclic group is preferably used. Hydrogen atoms are highly fluorinated by preferably substituting all hydrogen atoms on the ring by fluorine atoms, that is, forming a perfluoroalicyclic group. The resist composition is formed by using the polymer compound as a base polymer and further, the dissolution inhibitor agent is formed of the polymer compound.

摘要翻译： 提供了用于下一代微细加工的光致抗蚀剂组合物中使用的高透明性的高分子化合物，使用该高分子化合物作为基础聚合物的抗蚀剂组合物和由该高分子化合物构成的溶解抑制剂。 为了确保耐蚀刻性，将脂环族基团引入侧链部分。 脂环族基团上的氢原子被高度氟化，以确保由等于或小于3.0μm的吸附系数表示的157纳米波长的透明度。 作为脂环基，优选使用多环基。 通过优选用氟原子代替环上的所有氢原子，即形成全氟环脂基，氢原子被高度氟化。 抗蚀剂组合物通过使用高分子化合物作为基础聚合物形成，并且该溶解抑制剂由高分子化合物形成。

公开(公告)号：US07700257B2

公开(公告)日：2010-04-20

申请号：US10547427

申请日：2004-03-24

申请人： Toshiyuki Ogata ,  Kotaro Endo ,  Hiromitsu Tsuji ,  Masaaki Yoshida

发明人： Toshiyuki Ogata ,  Kotaro Endo ,  Hiromitsu Tsuji ,  Masaaki Yoshida

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  Y10S430/108

摘要： A photoresist composition containing a polymer (A) containing an alkali-soluble constituent unit (a1) containing an alicyclic group having both a fluorine atom or a fluorinated alkyl group (i) and an alcoholic hydroxyl group (ii), whose alkali-solubility is changeable by an action of an acid; an acid generator (B) which generates an acid by light irradiation; and a dissolution inhibitor (C) having a fluorine atom(s) and/or a nitrogen-containing compound (D) selected from a tertiary amine (d1) having a polar group, a tertiary alkylamine (d2) having 7 or more and 15 or less of carbon atoms or an ammonium salt (d3). The composition has a resist property capable of accomplishing line and space (1:1) of 90 nm or less in good shape as a pattern processing accuracy of a semiconductor integrated circuit by lithography.

摘要翻译： 1.一种光致抗蚀剂组合物，其含有含有具有氟原子或氟代烷基（i）和醇羟基（ii）的脂环族基团的碱溶性结构单元（a1）的聚合物（A），其碱溶性为 可以通过酸的作用而变化; 通过光照射产生酸的酸产生剂（B）; 和具有氟原子的溶解抑制剂（C）和/或选自具有极性基团的叔胺（d1），具有7以上的叔烷基胺（d2）和15以上的含氮化合物（D） 或更少的碳原子或铵盐（d3）。 该组合物具有能够通过光刻作为半导体集成电路的图案处理精度而实现90nm或更小的线和空间（1：1）的良好形状的抗蚀剂性质。

公开(公告)号：US20080193871A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US11577003

申请日：2005-09-30

申请人： Toshiyuki Ogata ,  Hiromitsu Tsuji ,  Syogo Matsumaru ,  Hideo Hada

发明人： Toshiyuki Ogata ,  Hiromitsu Tsuji ,  Syogo Matsumaru ,  Hideo Hada

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/26

CPC分类号： G03F7/0397

摘要： A positive resist composition for immersion exposure that includes a resin component (A) that exhibits increased alkali solubility under the action of acid, and an acid generator component (B) that generates acid upon exposure, wherein the resin component (A) includes a resin (A1) that has alkali-soluble groups (i) having a hydrogen atom, and in a portion of these alkali-soluble groups (i), the hydrogen atom is substituted with an acid-dissociable, dissolution-inhibiting group (I) represented by a general formula (I) shown below [wherein, Z represents an aliphatic cyclic group; n represents either 0 or an integer from 1 to 3; and R1 and R2 each represent, independently, a hydrogen atom or a lower alkyl group of 1 to 5 carbon atoms].

摘要翻译： 一种用于浸渍曝光的正型抗蚀剂组合物，包括在酸作用下表现出增加的碱溶性的树脂组分（A）和在曝光时产生酸的酸产生剂组分（B），其中树脂组分（A）包括树脂 （i）具有氢原子的碱溶性基团（A1），并且在这些碱溶性基团（i）的一部分中，氢原子被酸解离的溶解抑制基团（I）取代， 通式（I）表示的化合物[式中，Z表示脂肪族环状基团， n表示0或1至3的整数; 和R 1和R 2各自独立地表示氢原子或1-5个碳原子的低级烷基]。

公开(公告)号：US20070190447A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：US10589382

申请日：2005-02-01

申请人： Toshiyuki Ogata ,  Takuma Hojo ,  Hiromitsu Tsuji ,  Takako Hirosaki ,  Mitsuru Sato

发明人： Toshiyuki Ogata ,  Takuma Hojo ,  Hiromitsu Tsuji ,  Takako Hirosaki ,  Mitsuru Sato

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： G03F7/0045 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397

摘要： The photoresist composition is formed by including the fullerene derivative (A) having two or more malonic ester residues. Preferably, the malonic ester residue is, a group is preferably expressed by the general formula (1) below. In the formula (1), R1 and R2 independently represent an alkyl group, which may be identical or different from each other. The alkyl group is a normal or branched chain, or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbons, and n is an integer from 2 to 10.

摘要翻译： 通过包含具有两个或多个丙二酸酯残基的富勒烯衍生物（A）形成光致抗蚀剂组合物。 优选地，丙二酸酯残基是一个基团优选由下面通式（1）表示。 在式（1）中，R 1和R 2独立地表示可以相同或不同的烷基。 烷基是碳原子数为1〜10的正，支链或环状烷基，n为2〜10的整数。