公开(公告)号：US08299500B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US11161936

申请日：2005-08-23

申请人： Wade J. Hodge ,  Alvin J. Joseph ,  Rajendran Krishnasamy ,  Qizhi Liu ,  Bradley A. Orner

发明人： Wade J. Hodge ,  Alvin J. Joseph ,  Rajendran Krishnasamy ,  Qizhi Liu ,  Bradley A. Orner

IPC分类号： H01L29/737

CPC分类号： H01L29/7378 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/1004

摘要： A heterojunction bipolar transistor (HBT), an integrated circuit (IC) chip including at least one HBT and a method of forming the IC. The HBT includes an extrinsic base with one or more buried interstitial barrier layer. The extrinsic base may be heavily doped with boron and each buried interstitial barrier layer is doped with a dopant containing carbon, e.g., carbon or SiGe:C. The surface of the extrinsic base may be silicided.

摘要翻译： 异质结双极晶体管（HBT），包括至少一个HBT的集成电路（IC）芯片和形成IC的方法。 HBT包括具有一个或多个掩埋间隙屏障层的外在基底。 外部基极可以用硼重掺杂，并且每个掩埋的间隙势垒层掺杂含有碳的掺杂剂，例如碳或SiGe：C。 外基的表面可以被硅化。

公开(公告)号：US08853043B2

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：US13610641

申请日：2012-09-11

申请人： Wade J. Hodge ,  Alvin J. Joseph ,  Rajendran Krishnasamy ,  Qizhi Liu ,  Bradley A. Orner

发明人： Wade J. Hodge ,  Alvin J. Joseph ,  Rajendran Krishnasamy ,  Qizhi Liu ,  Bradley A. Orner

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L29/737 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8249

CPC分类号： H01L29/7378 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/1004

摘要： A heterojunction bipolar transistor (HBT), an integrated circuit (IC) chip including at least one HBT and a method of forming the IC. The HBT includes an extrinsic base with one or more buried interstitial barrier layer. The extrinsic base may be heavily doped with boron and each buried interstitial barrier layer is doped with a dopant containing carbon, e.g., carbon or SiGe:C. The surface of the extrinsic base may be silicided.

摘要翻译： 异质结双极晶体管（HBT），包括至少一个HBT的集成电路（IC）芯片和形成IC的方法。 HBT包括具有一个或多个掩埋间隙屏障层的外在基底。 外部基极可以用硼重掺杂，并且每个掩埋的间隙势垒层掺杂含有碳的掺杂剂，例如碳或SiGe：C。 外基的表面可以被硅化。

公开(公告)号：US20130005108A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13610641

申请日：2012-09-11

申请人： Wade J. Hodge ,  Alvin J. Joseph ,  Rajendran Krishnasamy ,  Qizhi Liu ,  Bradley A. Orner

发明人： Wade J. Hodge ,  Alvin J. Joseph ,  Rajendran Krishnasamy ,  Qizhi Liu ,  Bradley A. Orner

IPC分类号： H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7378 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/1004

摘要： A heterojunction bipolar transistor (HBT), an integrated circuit (IC) chip including at least one HBT and a method of forming the IC. The HBT includes an extrinsic base with one or more buried interstitial barrier layer. The extrinsic base may be heavily doped with boron and each buried interstitial barrier layer is doped with a dopant containing carbon, e.g., carbon or SiGe:C. The surface of the extrinsic base may be silicided.

摘要翻译： 异质结双极晶体管（HBT），包括至少一个HBT的集成电路（IC）芯片和形成IC的方法。 HBT包括具有一个或多个掩埋间隙屏障层的外在基底。 外部基极可以用硼重掺杂，并且每个掩埋的间隙势垒层掺杂含有碳的掺杂剂，例如碳或SiGe：C。 外基的表面可以被硅化。

公开(公告)号：US07625792B2

公开(公告)日：2009-12-01

申请号：US10599938

申请日：2005-04-06

申请人： Peter J. Geiss ,  Alvin J. Joseph ,  Qizhi Liu ,  Bradley A. Orner

发明人： Peter J. Geiss ,  Alvin J. Joseph ,  Qizhi Liu ,  Bradley A. Orner

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/0804 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66287

摘要： Disclosed is a bipolar complementary metal oxide semiconductor (BiCMOS) or NPN/PNP device that has a collector, an intrinsic base above the collector, shallow trench isolation regions adjacent the collector, a raised extrinsic base above the intrinsic base, a T-shaped emitter above the extrinsic base, spacers adjacent the emitter, and a silicide layer that is separated from the emitter by the spacers.

摘要翻译： 公开了一种双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）或NPN / PNP器件，其具有集电极，集电极之上的本征基极，与集电极相邻的浅沟槽隔离区，在本征基极之上的凸起的外部基极，T形发射极 在外部基极之上，邻近发射极的间隔物和通过间隔物与发射极分离的硅化物层。

公开(公告)号：US06911681B1

公开(公告)日：2005-06-28

申请号：US10709113

申请日：2004-04-14

申请人： Peter J. Geiss ,  Alvin J. Joseph ,  Qizhi Liu ,  Bradley A. Orner

发明人： Peter J. Geiss ,  Alvin J. Joseph ,  Qizhi Liu ,  Bradley A. Orner

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/0804 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66287

摘要： Disclosed is a bipolar complementary metal oxide semiconductor (BiCMOS) or NPN/PNP device that has a collector, an intrinsic base above the collector, shallow trench isolation regions adjacent the collector, a raised extrinsic base above the intrinsic base, a T-shaped emitter above the extrinic base, spacers adjacent the emitter, and a silicide layer that is separated from the emitter by the spacers.

摘要翻译： 公开了一种双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）或NPN / PNP器件，其具有集电极，集电极之上的本征基极，与集电极相邻的浅沟槽隔离区，在本征基极之上的凸起的外部基极，T形发射极 在离子基底之上，邻近发射极的间隔物，以及通过间隔物与发射极分离的硅化物层。

公开(公告)号：US20070051980A1

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：US11161936

申请日：2005-08-23

申请人： Wade Hodge ,  Alvin Joseph ,  Rajendran Krishnasamy ,  Qizhi Liu ,  Bradley Orner

发明人： Wade Hodge ,  Alvin Joseph ,  Rajendran Krishnasamy ,  Qizhi Liu ,  Bradley Orner

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L21/8222

CPC分类号： H01L29/7378 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/1004

摘要： A heterojunction bipolar transistor (HBT), an integrated circuit (IC) chip including at least one HBT and a method of forming the IC. The HBT includes an extrinsic base with one or more buried interstitial barrier layer. The extrinsic base may be heavily doped with boron and each buried interstitial barrier layer is doped with a dopant containing carbon, e.g., carbon or SiGe:C. The surface of the extrinsic base may be silicided.

摘要翻译： 异质结双极晶体管（HBT），包括至少一个HBT的集成电路（IC）芯片和形成IC的方法。 HBT包括具有一个或多个掩埋间隙屏障层的外在基底。 外部基极可以用硼重掺杂，并且每个掩埋的间隙势垒层掺杂含有碳的掺杂剂，例如碳或SiGe：C。 外基的表面可以被硅化。

公开(公告)号：US20090020851A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：US11614757

申请日：2006-12-21

申请人： Qizhi Liu ,  Peter B. Gray ,  Alvin J. Joseph

发明人： Qizhi Liu ,  Peter B. Gray ,  Alvin J. Joseph

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/73

CPC分类号： H01L29/41708 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66287 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7371

摘要： A method of fabricating an heterojunction bipolar transistor (HBT) structure in a bipolar complementary metal-oxide-semiconductor (BiCMOS) process selectively thickens an oxide layer overlying a base region in areas that are not covered by a temporary emitter and spacers such that the temporary emitter can be removed and the base-emitter junction can be exposed without also completely removing the oxide overlying the areas of the base region that are not covered by the temporary emitter or spacers. As a result, a photomask is not required to remove the temporary emitter and to expose the base-emitter junction.

摘要翻译： 在双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）工艺中制造异质结双极晶体管（HBT）结构的方法在未被临时发射极和间隔物覆盖的区域中的基极区域上选择性地增厚氧化物层，使得临时 可以去除发射极，并且可以暴露基极 - 发射极结，而不会完全去除覆盖在未被临时发射极或间隔物覆盖的基极区域的区域上的氧化物。 结果，不需要光掩模去除临时发射体并露出基极 - 发射极结。

公开(公告)号：US07037798B2

公开(公告)日：2006-05-02

申请号：US10904482

申请日：2004-11-12

申请人： Thomas N. Adam ,  Kevin K. Chan ,  Alvin J. Joseph ,  Marwan H. Khater ,  Qizhi Liu ,  Beth Ann Rainey ,  Kathryn T. Schonenberg

发明人： Thomas N. Adam ,  Kevin K. Chan ,  Alvin J. Joseph ,  Marwan H. Khater ,  Qizhi Liu ,  Beth Ann Rainey ,  Kathryn T. Schonenberg

IPC分类号： H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7378 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66287

摘要： The invention includes methods of fabricating a bipolar transistor that adds a silicon germanium (SiGe) layer or a third insulator layer of, e.g., high pressure oxide (HIPOX), atop an emitter cap adjacent the intrinsic base prior to forming a link-up layer. This addition allows for removal of the link-up layer using wet etch chemistries to remove the excess SiGe or third insulator layer formed atop the emitter cap without using oxidation. In this case, an oxide section (formed by deposition of an oxide or segregation of the above-mentioned HIPOX layer) and nitride spacer can be used to form the emitter-base isolation. The invention results in lower thermal cycle, lower stress levels, and more control over the emitter cap layer thickness, which are drawbacks of the first embodiment. The invention also includes the resulting bipolar transistor structure.

摘要翻译： 本发明包括制造双极晶体管的方法，该双极晶体管在形成连接层之前，将硅锗（SiGe）层或例如高压氧化物（HIPOX）的第三绝缘体层与邻近本征基极的发射极帽顶上相加 。 该添加允许使用湿蚀刻化学去除连接层，以去除在不使用氧化的情况下形成在发射极帽顶上的多余SiGe或第三绝缘体层。 在这种情况下，可以使用氧化物部分（通过沉积氧化物或上述HIPOX层的分离）和氮化物间隔物形成发射极 - 基极隔离。 本发明导致较低的热循环，较低的应力水平和对发射极盖层厚度的更多控制，这是第一实施例的缺点。 本发明还包括所得到的双极晶体管结构。

公开(公告)号：US07002221B2

公开(公告)日：2006-02-21

申请号：US10604988

申请日：2003-08-29

申请人： Marwan H. Khater ,  James S. Dunn ,  David L. Harame ,  Alvin J. Joseph ,  Qizhi Liu ,  Francois Pagette ,  Stephen A. St. Onge ,  Andreas D. Stricker

发明人： Marwan H. Khater ,  James S. Dunn ,  David L. Harame ,  Alvin J. Joseph ,  Qizhi Liu ,  Francois Pagette ,  Stephen A. St. Onge ,  Andreas D. Stricker

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L29/66287 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7378

摘要： A bipolar transistor with raised extrinsic base and selectable self-alignment between the extrinsic base and the emitter is disclosed. The fabrication method may include the formation of a predefined thickness of a first extrinsic base layer of polysilicon or silicon on an intrinsic base. A dielectric landing pad is then formed by lithography on the first extrinsic base layer. Next, a second extrinsic base layer of polysilicon or silicon is formed on top of the dielectric landing pad to finalize the raised extrinsic base total thickness. An emitter opening is formed using lithography and RIE, where the second extrinsic base layer is etched stopping on the dielectric landing pad. The degree of self-alignment between the emitter and the raised extrinsic base is achieved by selecting the first extrinsic base layer thickness, the dielectric landing pad width, and the spacer width.

公开(公告)号：US08536012B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US13177146

申请日：2011-07-06

申请人： Renata Camillo-Castillo ,  Peter B. Gray ,  David L. Harame ,  Alvin J. Joseph ,  Marwan H. Khater ,  Qizhi Liu

发明人： Renata Camillo-Castillo ,  Peter B. Gray ,  David L. Harame ,  Alvin J. Joseph ,  Marwan H. Khater ,  Qizhi Liu

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/107 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/7322

摘要： Methods for fabricating bipolar junction transistors, bipolar junction transistors made by the methods, and design structures for a bipolar junction transistor. The bipolar junction transistor includes a dielectric layer on an intrinsic base and an extrinsic base at least partially separated from the intrinsic base by the dielectric layer. An emitter opening extends through the extrinsic base and the dielectric layer. The dielectric layer is recessed laterally relative to the emitter opening to define a cavity between the intrinsic base and the extrinsic base. The cavity is filled with a semiconductor layer that physically links the extrinsic base and the intrinsic base together.

摘要翻译： 用于制造双极结型晶体管的方法，通过该方法制造的双极结型晶体管以及双极结型晶体管的设计结构。 双极结晶体管包括在本征基极上的电介质层和通过电介质层至少部分地与本征基极分离的外部基极。 发射极开口延伸穿过外部基极和电介质层。 电介质层相对于发射器开口横向凹入以限定内部基极和外部基极之间的腔。 空腔填充有将外部基极和内在基极物理连接在一起的半导体层。