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    Oscillator circuitry having negative differential resistance
    1.
    发明授权
    Oscillator circuitry having negative differential resistance 有权
    具有负差分电阻的振荡器电路

    公开(公告)号：US08324976B2

    公开(公告)日：2012-12-04

    申请号：US13078595

    申请日：2011-04-01

    申请人： Julien Borghetti ,  Matthew D Pickett ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  Wei Yi ,  Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang

    发明人： Julien Borghetti ,  Matthew D Pickett ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  Wei Yi ,  Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang

    IPC分类号： H03B7/00

    CPC分类号： H03B7/00

    摘要： Circuitry is provided that closely emulates biological neural responses. Two astable multivibrator circuits (AMCs), each including a negative differential resistance device, are coupled in series-circuit relationship. Each AMC is characterized by a distinct voltage-dependant time constant. The circuitry exhibits oscillations in electrical current when subjected to a voltage equal to or greater than a threshold value. Various oscillating waveforms can be produced in accordance with voltages applied to the circuitry.

    摘要翻译： 提供了密切仿效生物神经反应的电路。 两个不连续的多谐振荡器电路（AMC），每个包括一个负差分电阻器件，以串联电路的关系耦合。 每个AMC的特征在于不同的电压相关时间常数。 当经受等于或大于阈值的电压时，该电路表现出电流的振荡。 可以根据施加到电路的电压来产生各种振荡波形。

    SEMICONDUCTOR DEVICE FOR PROVIDING HEAT MANAGEMENT
    2.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE FOR PROVIDING HEAT MANAGEMENT 审中-公开
    用于提供热管理的半导体器件

    公开(公告)号：US20120104346A1

    公开(公告)日：2012-05-03

    申请号：US12916414

    申请日：2010-10-29

    申请人： Wei Yi ,  Matthew D. Pickett ,  Gilberto Medeiros Ribeiro

    发明人： Wei Yi ,  Matthew D. Pickett ,  Gilberto Medeiros Ribeiro

    IPC分类号： H01L45/00 ,  B82Y99/00

    CPC分类号： H01L45/085 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

    摘要： A semiconductor device for providing heat management may include a first electrode with low metal thermal conductivity and a second electrode with low metal thermal conductivity. A metal oxide structure which includes a transition metal oxide (TMO) may be electrically coupled to the first electrode and second electrode and the metal oxide structure may be disposed between the first electrode and second electrode. An electrically insulating sheath with low thermal conductivity may surround the metal oxide structure.

    摘要翻译： 用于提供热管理的半导体器件可以包括具有低金属导热性的第一电极和具有低金属导热性的第二电极。 包括过渡金属氧化物（TMO）的金属氧化物结构可以电耦合到第一电极，第二电极和金属氧化物结构可以设置在第一电极和第二电极之间。 具有低热导率的电绝缘护套可围绕金属氧化物结构。

    HIGH-RELIABILITY HIGH-SPEED MEMRISTOR
    4.
    发明申请
    HIGH-RELIABILITY HIGH-SPEED MEMRISTOR 有权
    高可靠性高速电容器

    公开(公告)号：US20140112059A1

    公开(公告)日：2014-04-24

    申请号：US14127873

    申请日：2011-06-24

    申请人： Feng Miao ,  Jianhua Yang ,  John Paul Strachan ,  Wei Yi ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams

    发明人： Feng Miao ,  Jianhua Yang ,  John Paul Strachan ,  Wei Yi ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams

    IPC分类号： G11C13/00 ,  H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/08 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/55 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L45/149

    摘要： A memristor has a first electrode, a second electrode parallel to the first electrode, and a switching layer disposing between the first and second electrodes. The switching layer contains a conduction channel and a reservoir zone. The conduction channel has a Fermi glass material with a variable concentration of mobile ions. The reservoir zone is laterally disposed relative to the conduction channel, and functions as a source/sink of mobile ions for the conduction channel In the switching operation, under the cooperative driving force of both electric field and thermal effects, the mobile ions are moved into or out of the laterally disposed reservoir zone to vary the concentration of the mobile ions in the conduction channel to change the conductivity of the Fermi glass material.

    摘要翻译： 忆阻器具有第一电极，平行于第一电极的第二电极和设置在第一和第二电极之间的开关层。 开关层包含导电通道和储存区。 导电通道具有可变浓度的移动离子的费米玻璃材料。 储存区域相对于导电通道横向设置，并且用作导电通道的移动离子的源/汇。在开关操作中，在电场和热效应的协同驱动力下，将移动离子移入 或离开横向设置的储存区，以改变导电通道中的可移动离子的浓度，以改变费米玻璃材料的导电性。

    Nanoscale electronic device with barrier layers
    5.
    发明授权
    Nanoscale electronic device with barrier layers 有权
    具有阻隔层的纳米级电子器件

    公开(公告)号：US08766231B2

    公开(公告)日：2014-07-01

    申请号：US13041617

    申请日：2011-03-07

    申请人： Wei Yi ,  Jianhua Yang ,  Gilberto Medeiros Ribeiro

    发明人： Wei Yi ,  Jianhua Yang ,  Gilberto Medeiros Ribeiro

    IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/62

    CPC分类号： H01L29/88 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C2213/12 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/54 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/81 ,  H01L27/1021 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/413 ,  H01L29/872

    摘要： On example of the present invention is a nanoscale electronic device comprising a first conductive electrode, a second conductive electrode, and a device layer. The device layer comprises a first dielectric material, between the first and second conductive electrodes, that includes an effective device layer, a first barrier layer near a first interface between the first conductive electrode and the device layer, and a second barrier layer near a second interface between the second conductive electrode and the device layer. A second example of the present invention is an integrated circuit that incorporates nanoscale electronic devices of the first example.

    摘要翻译： 本发明的一个例子是包括第一导电电极，第二导电电极和器件层的纳米级电子器件。 器件层包括在第一和第二导电电极之间的第一介电材料，其包括有效器件层，在第一导电电极和器件层之间的第一界面附近的第一势垒层和靠近第二导电电极的第二阻挡层 第二导电电极和器件层之间的界面。 本发明的第二个例子是包含第一个例子的纳米级电子器件的集成电路。

    BIPOLAR RESISTIVE SWITCH HEAT MITIGATION
    6.
    发明申请
    BIPOLAR RESISTIVE SWITCH HEAT MITIGATION 有权
    双极电阻开关保温

    公开(公告)号：US20140029327A1

    公开(公告)日：2014-01-30

    申请号：US13557199

    申请日：2012-07-24

    申请人： John Paul Strachan ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  Jianhua Yang ,  Wei Yi

    发明人： John Paul Strachan ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  Jianhua Yang ,  Wei Yi

    IPC分类号： H01L45/00 ,  G11C11/00

    CPC分类号： H01L45/147 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/56 ,  H01L45/04 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/128 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L47/00

    摘要： A heat mitigated bipolar resistive switch includes a BRS matrix sandwiched between first and second electrodes and a heat mitigator. The BRS matrix is to support bipolar switching of a conduction channel formed between the first and second electrodes through BRS matrix. The heat mitigator is to reduce heat in the BRS matrix generated during bipolar switching. The heat mitigator includes one or both of a parallel-connected NDR element to limit current flowing in the BRS matrix and a high thermal conductivity material to conduct the generated heat away from the BRS matrix above a predetermined elevated temperature.

    摘要翻译： 一种减热双极电阻开关包括夹在第一和第二电极之间的BRS矩阵和一个热量减轻器。 BRS矩阵是通过BRS矩阵来支持在第一和第二电极之间形成的传导通道的双极开关。 减热器是为了减少在双极开关期间产生的BRS基体中的热量。 散热器包括一个并联连接的NDR元件中的一个或两个，以限制在BRS基体中流动的电流和高导热性材料，以将产生的热量从BRS基体上导出高于预定的高温。

    NANOSCALE ELECTRONIC DEVICE WITH BARRIER LAYERS
    7.
    发明申请
    NANOSCALE ELECTRONIC DEVICE WITH BARRIER LAYERS 有权
    NANOSCALE电子设备与障碍层

    公开(公告)号：US20120228575A1

    公开(公告)日：2012-09-13

    申请号：US13041617

    申请日：2011-03-07

    申请人： Wei Yi ,  Jianhua Yang ,  Gilberto Medeiros Ribeiro

    发明人： Wei Yi ,  Jianhua Yang ,  Gilberto Medeiros Ribeiro

    IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/62

    CPC分类号： H01L29/88 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C2213/12 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/54 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/81 ,  H01L27/1021 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/413 ,  H01L29/872

    摘要： On example of the present invention is a nanoscale electronic device comprising a first conductive electrode, a second conductive electrode, and a device layer. The device layer comprises a first dielectric material, between the first and second conductive electrodes, that includes an effective device layer, a first barrier layer near a first interface between the first conductive electrode and the device layer, and a second barrier layer near a second interface between the second conductive electrode and the device layer. A second example of the present invention is an integrated circuit that incorporates nanoscale electronic devices of the first example.

    摘要翻译： 本发明的一个例子是包括第一导电电极，第二导电电极和器件层的纳米级电子器件。 器件层包括在第一和第二导电电极之间的第一介电材料，其包括有效器件层，在第一导电电极和器件层之间的第一界面附近的第一势垒层和靠近第二导电电极的第二阻挡层 第二导电电极和器件层之间的界面。 本发明的第二个例子是包含第一个例子的纳米级电子器件的集成电路。

    High-reliability high-speed memristor
    8.
    发明授权
    High-reliability high-speed memristor 有权
    高可靠性高速忆阻器

    公开(公告)号：US09165645B2

    公开(公告)日：2015-10-20

    申请号：US14127873

    申请日：2011-06-24

    申请人： Feng Miao ,  Jianhua Yang ,  John Paul Strachan ,  Wei Yi ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R Stanley Williams

    发明人： Feng Miao ,  Jianhua Yang ,  John Paul Strachan ,  Wei Yi ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R Stanley Williams

    IPC分类号： G11C13/00 ,  H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/08 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/55 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L45/149

    摘要： A memristor has a first electrode, a second electrode parallel to the first electrode, and a switching layer disposing between the first and second electrodes. The switching layer contains a conduction channel and a reservoir zone. The conduction channel has a Fermi glass material with a variable concentration of mobile ions. The reservoir zone is laterally disposed relative to the conduction channel, and functions as a source/sink of mobile ions for the conduction channel. In the switching operation, under the cooperative driving force of both electric field and thermal effects, the mobile ions are moved into or out of the laterally disposed reservoir zone to vary the concentration of the mobile ions in the conduction channel to change the conductivity of the Fermi glass material.

    摘要翻译： 忆阻器具有第一电极，平行于第一电极的第二电极和设置在第一和第二电极之间的开关层。 开关层包含导电通道和储存区。 导电通道具有可变浓度的移动离子的费米玻璃材料。 储存区相对于传导通道横向设置，并且用作导电通道的移动离子的源/汇。 在切换操作中，在电场和热效应的协同驱动力下，移动离子被移入或移出横向设置的储存区，以改变导电通道中的移动离子的浓度，以改变导电通道 费米玻璃材料。