利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

6 条记录 (耗时 0.026 秒)

    Oscillator circuitry having negative differential resistance
    1.
    发明授权
    Oscillator circuitry having negative differential resistance 有权
    具有负差分电阻的振荡器电路

    公开(公告)号：US08324976B2

    公开(公告)日：2012-12-04

    申请号：US13078595

    申请日：2011-04-01

    申请人： Julien Borghetti ,  Matthew D Pickett ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  Wei Yi ,  Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang

    发明人： Julien Borghetti ,  Matthew D Pickett ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  Wei Yi ,  Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang

    IPC分类号： H03B7/00

    CPC分类号： H03B7/00

    摘要： Circuitry is provided that closely emulates biological neural responses. Two astable multivibrator circuits (AMCs), each including a negative differential resistance device, are coupled in series-circuit relationship. Each AMC is characterized by a distinct voltage-dependant time constant. The circuitry exhibits oscillations in electrical current when subjected to a voltage equal to or greater than a threshold value. Various oscillating waveforms can be produced in accordance with voltages applied to the circuitry.

    摘要翻译： 提供了密切仿效生物神经反应的电路。 两个不连续的多谐振荡器电路（AMC），每个包括一个负差分电阻器件，以串联电路的关系耦合。 每个AMC的特征在于不同的电压相关时间常数。 当经受等于或大于阈值的电压时，该电路表现出电流的振荡。 可以根据施加到电路的电压来产生各种振荡波形。

    Chaotic oscillator-based random number generation
    2.
    发明授权
    Chaotic oscillator-based random number generation 有权
    基于混沌振荡器的随机数生成

    公开(公告)号：US08542071B2

    公开(公告)日：2013-09-24

    申请号：US13280808

    申请日：2011-10-25

    申请人： Matthew D Pickett ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R Stanley Williams

    发明人： Matthew D Pickett ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R Stanley Williams

    IPC分类号： H03B29/00

    CPC分类号： G06F7/588

    摘要： Chaotic oscillator-based random number generation is described. In an example, a circuit includes a negative differential resistance (NDR) device to receive an alternating current (AC) bias. The circuit further includes a capacitance in parallel with the NDR device, the capacitance having a value such that, in response to a direct current (DC) bias applied to the NDR device and the capacitance, a voltage across the capacitance oscillates with a chaotic period. The circuit further includes a random number generator to generate random numbers using samples of the voltage across the capacitance.

    摘要翻译： 描述了基于混沌振荡器的随机数生成。 在一个示例中，电路包括用于接收交流（AC）偏压的负差分电阻（NDR）装置。 电路还包括与NDR器件并联的电容，该电容具有这样的值，使得响应于施加到NDR器件的直流（DC）偏压和电容，电容两端的电压以混沌周期 。 电路还包括随机数发生器，以使用电容两端的电压样本来产生随机数。

    Cache line eviction based on write count
    4.
    发明授权
    Cache line eviction based on write count 有权
    基于写入计数的缓存线驱逐

    公开(公告)号：US09489308B2

    公开(公告)日：2016-11-08

    申请号：US14387554

    申请日：2012-04-27

    申请人： Craig Warner ,  Gary Gostin ,  Matthew D Pickett

    发明人： Craig Warner ,  Gary Gostin ,  Matthew D Pickett

    IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F13/00 ,  G06F12/08 ,  G06F13/16 ,  G06F12/02 ,  G06F12/12

    CPC分类号： G06F12/0833 ,  G06F12/0238 ,  G06F12/0866 ,  G06F12/122 ,  G06F13/1673 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/312 ,  G06F2212/621 ,  G06F2212/7211

    摘要： A method of shielding a memory device (110) from high write rates comprising receiving instructions to write data at a memory container (105), the memory controller (105) composing a cache (120) comprising a number of cache lines defining stored data, with the memory controller (105), updating a cache line in response to a write hit in the cache (120), and with the memory controller (105), executing the instruction to write data in response to a cache miss to a cache line within the cache (120) in which the memory controller (105) prioritizes for writing to the cache (120) over writing to the memory device (110).

    摘要翻译： 一种将存储器件（110）从高写入速率屏蔽的方法，包括接收在存储器容器（105）上写入数据的指令，所述存储器控制器（105）构成包括定义存储数据的多条高速缓存线的高速缓存（120） 利用存储器控制器（105），响应于高速缓存（120）中的写命中，以及与存储器控制器（105）一起更新高速缓存行，响应于高速缓存未命中将数据写入高速缓存行 在所述存储器控制器（105）通过写入所述存储器件（110）的优先级来写入高速缓存（120）的高速缓存（120）内。

    Crystalline silicon-based memristive device with multiple mobile dopant species
    6.
    发明授权
    Crystalline silicon-based memristive device with multiple mobile dopant species 有权
    具有多种移动掺杂物种的晶体硅基忆阻器件

    公开(公告)号：US08614432B2

    公开(公告)日：2013-12-24

    申请号：US13139557

    申请日：2009-01-15

    申请人： Matthew D Pickett ,  Duncan Stewart

    发明人： Matthew D Pickett ,  Duncan Stewart

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L27/101 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/148

    摘要： A memristive device includes a first and a second electrode; a silicon memristive matrix interposed between the first electrode and the second electrode; and a mobile dopant species within the silicon memristive matrix which moves in response to a programming electrical field and remains substantially in place after the removal of the programming electrical field. A method for using a crossbar architecture containing a silicon memristive matrix includes: applying a programming electrical field by applying a voltage bias across a first conductor and a second conductor; a silicon memristive matrix containing mobile dopants being interposed between the first conductor and the second conductor, the programming voltage repositioning the mobile dopants within the silicon memristive matrix; and reading a state of the silicon memristive matrix by applying a reading energy across the silicon memristive matrix, the reading energy producing a measurable indication of the state of the silicon memristive matrix.

    摘要翻译： 忆阻器包括第一和第二电极; 插入在所述第一电极和所述第二电极之间的硅忆阻矩阵; 以及硅忆阻矩阵内的移动掺杂剂物质，其响应于编程电场而移动并且在去除编程电场之后保持基本上就位。 一种使用包含硅忆阻矩阵的交叉结构的方法包括：通过在第一导体和第二导体上施加电压偏置来施加编程电场; 含有移动掺杂剂的硅忆阻矩阵插入在第一导体和第二导体之间，编程电压重新定位硅忆阻矩阵内的移动掺杂剂; 并且通过在硅忆阻矩阵上施加读取能来读取硅忆阻矩阵的状态，所述读取能产生硅忆阻矩阵的状态的可测量指示。