公开(公告)号：US09169549B2

公开(公告)日：2015-10-27

申请号：US13586938

申请日：2012-08-16

申请人： Wei-Chien Chen ,  Lung-Teng Cheng ,  Ding-Wen Chiou ,  Tung-Po Hsieh

发明人： Wei-Chien Chen ,  Lung-Teng Cheng ,  Ding-Wen Chiou ,  Tung-Po Hsieh

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C8/62 ,  C23C10/30 ,  C23C14/58 ,  H01L21/02 ,  H01L31/032

CPC分类号： C23C14/0623 ,  C23C8/62 ,  C23C10/30 ,  C23C14/5866 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541

摘要： The disclosure discloses a method for modifying the light absorption layer, including: (a) providing a substrate; (b) forming a light absorption layer on the substrate, wherein the light absorption layer includes a Group IB element, Group IIIA element and Group VIA element; (c) forming a slurry on the light absorption layer, wherein the slurry includes a Group VIA element; and (d) conducting a thermal process for the light absorption layer with the slurry.

摘要翻译： 本公开公开了一种修改光吸收层的方法，包括：（a）提供基底; （b）在所述基板上形成光吸收层，其中所述光吸收层包括IB族元素，IIIA族元素和VIA族元素; （c）在所述光吸收层上形成浆料，其中所述浆料包括VIA族元素; 和（d）用该浆料进行光吸收层的热处理。

公开(公告)号：US20130171759A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13586938

申请日：2012-08-16

申请人： Wei-Chien Chen ,  Lung-Teng Cheng ,  Ding-Wen Chiou ,  Tung-Po Hsieh

发明人： Wei-Chien Chen ,  Lung-Teng Cheng ,  Ding-Wen Chiou ,  Tung-Po Hsieh

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： C23C14/0623 ,  C23C8/62 ,  C23C10/30 ,  C23C14/5866 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541

摘要： The disclosure discloses a method for modifying the light absorption layer, including: (a) providing a substrate; (b) forming a light absorption layer on the substrate, wherein the light absorption layer includes a Group IB element, Group IIIA element and Group VIA element; (c) forming a slurry on the light absorption layer, wherein the slurry includes a Group VIA element; and (d) conducting a thermal process for the light absorption layer with the slurry.

摘要翻译： 本公开公开了一种修改光吸收层的方法，包括：（a）提供基底; （b）在所述基板上形成光吸收层，其中所述光吸收层包括IB族元素，IIIA族元素和VIA族元素; （c）在所述光吸收层上形成浆料，其中所述浆料包括VIA族元素; 和（d）用该浆料进行光吸收层的热处理。

公开(公告)号：US09249507B2

公开(公告)日：2016-02-02

申请号：US13452933

申请日：2012-04-23

申请人： Wei-Tse Hsu ,  Tung-Po Hsieh ,  Song-Yeu Tsai

发明人： Wei-Tse Hsu ,  Tung-Po Hsieh ,  Song-Yeu Tsai

IPC分类号： B05C3/02 ,  B05C3/04 ,  B05B1/00 ,  C23C18/12

CPC分类号： C23C18/12 ,  B05C3/02 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/125 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/1295

摘要： A chemical bath deposition (CBD) apparatus includes a first cap, a second cap, and a solution input/output device. The second cap is arranged corresponding to the first cap so as to form a deposition space. The solution input/output device is located in the first cap so as to feed a solution into/out of the deposition space. The position of the solution input/output device is fixed, or the solution input/output device is movable in the deposition space.

摘要翻译： 化学浴沉积（CBD）装置包括第一盖，第二盖和溶液输入/输出装置。 第二盖被布置成对应于第一盖，以形成沉积空间。 溶液输入/输出装置位于第一盖中，以将溶液供入/离开沉积空间。 解决方案输入/输出设备的位置固定，或解决方案输入/输出设备可在沉积空间中移动。

公开(公告)号：US20130152856A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：US13452933

申请日：2012-04-23

申请人： Wei-Tse Hsu ,  Tung-Po Hsieh ,  Song-Yeu Tsai

发明人： Wei-Tse Hsu ,  Tung-Po Hsieh ,  Song-Yeu Tsai

IPC分类号： B05C3/02 ,  B05C3/04 ,  B05B1/00

CPC分类号： C23C18/12 ,  B05C3/02 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/125 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/1295

摘要： A chemical bath deposition (CBD) apparatus includes a first cap, a second cap, and a solution input/output device. The second cap is arranged corresponding to the first cap so as to form a deposition space. The solution input/output device is located in the first cap so as to feed a solution into/out of the deposition space. The position of the solution input/output device is fixed, or the solution input/output device is movable in the deposition space.

摘要翻译： 化学浴沉积（CBD）装置包括第一盖，第二盖和溶液输入/输出装置。 第二盖被布置成对应于第一盖以形成沉积空间。 溶液输入/输出装置位于第一盖中，以将溶液供入/离开沉积空间。 解决方案输入/输出设备的位置固定，或解决方案输入/输出设备可在沉积空间中移动。

公开(公告)号：US20130145918A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：US13421845

申请日：2012-03-15

申请人： Yan-Ying Tsai ,  Tung-Po Hsieh ,  Chern-Lin Chen

发明人： Yan-Ying Tsai ,  Tung-Po Hsieh ,  Chern-Lin Chen

IPC分类号： B26D3/06

CPC分类号： H01L31/18 ,  B28D5/00 ,  H01L31/0463 ,  Y02E10/50 ,  Y10T83/0304

摘要： A trench scribing apparatus and a trench scribing method adapted to scribe a trench on a substrate are provided. The apparatus includes a platen, a guide rod structure, a supporting carrier and a pin device. The guide rod structure is disposed above the platen. The supporting carrier is fixed on the guide rod structure, and the substrate is disposed on the supporting carrier. The pin device is disposed above the supporting carrier and includes a pin holder and a plurality of pins fastened on the pin holder, and the pins are arranged into at least one straight line.

摘要翻译： 提供了一种适于在衬底上刻划沟槽的沟槽划线装置和沟槽划线方法。 该装置包括压板，导杆结构，支撑架和销装置。 导杆结构设置在压板上。 支撑载体固定在导杆结构上，并且基板设置在支撑载体上。 销装置设置在支撑载体上方，并且包括销保持器和固定在销保持器上的多个销，并且销布置成至少一条直线。

公开(公告)号：US20110048522A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12610370

申请日：2009-11-02

申请人： Chia-Chih Chuang ,  Jhe-Wei Guo ,  Tung-Po Hsieh

发明人： Chia-Chih Chuang ,  Jhe-Wei Guo ,  Tung-Po Hsieh

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

摘要： The invention provides a solar cell. The solar cell has the following structures: a substrate; a first electrode formed on the substrate; a light absorbing layer formed on the first electrode, wherein the light absorbing layer includes a first compound thin film and a second compound thin film, and a band gap of the second compound thin film is larger than that of the first compound thin film; a buffer layer formed on the light absorbing layer; a transparent conducting layer formed on the buffer layer; and a second electrode formed on the transparent conducting layer.

摘要翻译： 本发明提供一种太阳能电池。 太阳能电池具有以下结构：基板; 形成在所述基板上的第一电极; 形成在所述第一电极上的光吸收层，其中所述光吸收层包括第一化合物薄膜和第二化合物薄膜，并且所述第二化合物薄膜的带隙大于所述第一化合物薄膜的带隙; 形成在所述光吸收层上的缓冲层; 形成在缓冲层上的透明导电层; 以及形成在所述透明导电层上的第二电极。