公开(公告)号：US20050234659A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：US10827769

申请日：2004-04-20

申请人： Wen Lin ,  Denny Tang ,  Li-shyue Lai ,  Chao-Hsiung Wang

发明人： Wen Lin ,  Denny Tang ,  Li-shyue Lai ,  Chao-Hsiung Wang

IPC分类号： G11C11/15 ,  G01F1/00 ,  G11C5/06 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC分类号： G11C11/15 ,  G11C5/063

摘要： A magnetic random access memory device (MRAM) and the method for forming the same are disclosed. The MRAM has a magnetic tunnel junction (MTJ) device, a first write line, and a second write line orthogonal to the first write line, wherein at least one of the first and second write lines has a width narrower than that of the MTJ.

摘要翻译： 公开了一种磁性随机存取存储器件（MRAM）及其形成方法。 MRAM具有与第一写入线正交的磁性隧道结（MTJ）器件，第一写入线和第二写入线，其中第一和第二写入线中的至少一个具有比MTJ窄的宽度。

公开(公告)号：US20060278908A1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：US11505141

申请日：2006-08-16

申请人： Wen Lin ,  Denny Tang ,  Li-shyue Lai ,  Chao-Hsiung Wang

发明人： Wen Lin ,  Denny Tang ,  Li-shyue Lai ,  Chao-Hsiung Wang

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： G11C11/15 ,  G11C5/063

摘要： A magnetic random access memory device (MRAM) and the method for forming the same are disclosed. The MRAM has a magnetic tunnel junction (MTJ) device, a first write line, and a second write line orthogonal to the first write line, wherein at least one of the first and second write lines has a width narrower than that of the MTJ.

摘要翻译： 公开了一种磁性随机存取存储器件（MRAM）及其形成方法。 MRAM具有与第一写入线正交的磁性隧道结（MTJ）器件，第一写入线和第二写入线，其中第一和第二写入线中的至少一个具有比MTJ窄的宽度。

公开(公告)号：US07105879B2

公开(公告)日：2006-09-12

申请号：US10827769

申请日：2004-04-20

申请人： Wen Chin Lin ,  Denny Tang ,  Li-shyue Lai ,  Chao-Hsiung Wang

发明人： Wen Chin Lin ,  Denny Tang ,  Li-shyue Lai ,  Chao-Hsiung Wang

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： G11C11/15 ,  G11C5/063

摘要： A magnetic random access memory device (MRAM) and the method for forming the same are disclosed. The MRAM has a magnetic tunnel junction (MTJ) device, a first write line, and a second write line orthogonal to the first write line, wherein at least one of the first and second write lines has a width narrower than that of the MTJ.

公开(公告)号：US20050218346A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：US10816612

申请日：2004-04-02

申请人： Wen Lin ,  Denny Tang ,  Li-shyue Lai ,  John Chern ,  Jyh-Chyurn Guo ,  Wan-Yih Lien

发明人： Wen Lin ,  Denny Tang ,  Li-shyue Lai ,  John Chern ,  Jyh-Chyurn Guo ,  Wan-Yih Lien

IPC分类号： H01J37/302

CPC分类号： H01J37/3175 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J2237/31788

摘要： A method and system is disclosed for directing charged particles on predetermined areas on a target semiconductor substrate. After aligning a wafer mask with a semiconductor wafer, with the wafer mask having one or more mask patterns thereon, the charged particles are directed to pass through the mask patterns to land on one or more selected areas on the semiconductor wafer.

摘要翻译： 公开了一种用于将带电粒子引导到目标半导体衬底上的预定区域上的方法和系统。 在将晶片掩模与半导体晶片对准之后，晶片掩模在其上具有一个或多个掩模图案，带电粒子被引导通过掩模图案，以着陆在半导体晶片上的一个或多个选定的区域上。

公开(公告)号：US07071478B2

公开(公告)日：2006-07-04

申请号：US10816612

申请日：2004-04-02

申请人： Wen Chin Lin ,  Denny Tang ,  Li-shyue Lai ,  John Chern ,  Jyh-Chyurn Guo ,  Wan-Yih Lien

发明人： Wen Chin Lin ,  Denny Tang ,  Li-shyue Lai ,  John Chern ,  Jyh-Chyurn Guo ,  Wan-Yih Lien

IPC分类号： G21K4/00

CPC分类号： H01J37/3175 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J2237/31788

摘要： A method and system is disclosed for directing charged particles on predetermined areas on a target semiconductor substrate. After aligning a wafer mask with a semiconductor wafer, with the wafer mask having one or more mask patterns thereon, the charged particles are directed to pass through the mask patterns to land on one or more selected areas on the semiconductor wafer.

摘要翻译： 公开了一种用于将带电粒子引导到目标半导体衬底上的预定区域上的方法和系统。 在将晶片掩模与半导体晶片对准之后，晶片掩模在其上具有一个或多个掩模图案，带电粒子被引导通过掩模图案，以着陆在半导体晶片上的一个或多个选定的区域上。