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    NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
    2.
    发明申请
    NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 有权
    非易失性半导体存储器件

    公开(公告)号：US20100327253A1

    公开(公告)日：2010-12-30

    申请号：US12825975

    申请日：2010-06-29

    申请人： Tsukasa NAKAI ,  Hiroyuki FUKUMIZU ,  Yasuhiro NOJIRI ,  Motoya KISHIDA ,  Kazuyuki YAHIRO ,  Yasuhiro SATOH

    发明人： Tsukasa NAKAI ,  Hiroyuki FUKUMIZU ,  Yasuhiro NOJIRI ,  Motoya KISHIDA ,  Kazuyuki YAHIRO ,  Yasuhiro SATOH

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625

    摘要： According to one embodiment, a variable resistance layer includes a mixture of a first compound and a second compound. The first compound includes carbon (C) as well as at least one element selected from a group of elements G1. The group of elements G1 consists of hydrogen (H), boron (B), nitrogen (N), silicon (Si), and titanium (Ti). The second compound includes at least one compound selected from a group of compounds G2. The group of compounds G2 consists of silicon oxide (SiO2), silicon oxynitride (SiON), silicon nitride (Si3N4), carbon nitride (C3N4), boron nitride (BN), aluminum nitride (AlN), aluminum oxide (Al2O3), and silicon carbide (SiC). Concentration of the first compound in the variable resistance layer is not less than 30 volume percent, and not more than 70 volume percent.

    摘要翻译： 根据一个实施方案，可变电阻层包括第一化合物和第二化合物的混合物。 第一化合物包括碳（C）以及选自元素组G1的至少一种元素。 元素组G1由氢（H），硼（B），氮（N），硅（Si）和钛（Ti）组成。 第二化合物包括选自化合物G2的至少一种化合物。 化合物组G2由氧化硅（SiO 2），氮氧化硅（SiON），氮化硅（Si 3 N 4），碳氮化物（C 3 N 4），氮化硼（BN），氮化铝（AlN），氧化铝（Al 2 O 3）和 碳化硅（SiC）。 可变电阻层中第一化合物的浓度不小于30体积％，不大于70体积％。

    IMAGING MODULE, FABRICATING METHOD THEREFOR, AND IMAGING DEVICE
    4.
    发明申请
    IMAGING MODULE, FABRICATING METHOD THEREFOR, AND IMAGING DEVICE 有权
    成像模块，其制作方法及成像装置

    公开(公告)号：US20110180893A1

    公开(公告)日：2011-07-28

    申请号：US13007846

    申请日：2011-01-17

    申请人： Daiki MINEGISHI ,  Yasuhiro SATOH ,  Eiji MOCHIZUKI ,  Masayuki FUJISHIMA ,  Hiroshi MIURA

    发明人： Daiki MINEGISHI ,  Yasuhiro SATOH ,  Eiji MOCHIZUKI ,  Masayuki FUJISHIMA ,  Hiroshi MIURA

    IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L21/66

    CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： An imaging module includes an imaging chip including a micro-lens guiding incident light and an imaging element in a semiconductor substrate and converting the incident light into an electric signal, and a polarizing glass chip including a polarizing filter glass having a polarizer determining a polarization direction of the incident light arranged on a transparent substrate such that the polarizer faces the micro-lens and a spacer member connected to the polarizing filter glass to adjust a gap between the polarizer and the micro-lens of the imaging chip. In the imaging module, a melt-bonding surface of the spacer member is melt-bonded to the semiconductor substrate such that the polarizer of the polarizing glass chip and the micro-lens of the imaging chip are arranged close to each other via the gap, and the imaging element and the micro-lens of the imaging chip are sealed by the polarizing glass chip.

    摘要翻译： 一种成像模块包括：成像芯片，包括在半导体衬底中引导入射光和成像元件的微透镜，并将入射光转换为电信号;以及偏振玻璃芯片，其包括具有偏振器的偏振滤光片玻璃， 配置在透明基板上的入射光使得偏振器面向微透镜，以及与偏振滤光片玻璃连接的间隔构件，以调节偏振片与成像芯片的微透镜之间的间隙。 在成像模块中，间隔件的熔融粘合表面熔融粘合到半导体衬底上，使得偏振玻璃芯片的偏振器和成像芯片的微透镜经由间隙彼此靠近配置， 并且成像芯片的成像元件和微透镜被偏光玻璃芯片密封。