公开(公告)号：US20080164513A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US11693716

申请日：2007-03-30

申请人： Yen-Hao Shih ,  Ming-Hsiang Hsueh ,  Erh-Kun Lal ,  Chia-Wei Wu ,  Chi-Pin Lu ,  Jung-Yu Hsieh

发明人： Yen-Hao Shih ,  Ming-Hsiang Hsueh ,  Erh-Kun Lal ,  Chia-Wei Wu ,  Chi-Pin Lu ,  Jung-Yu Hsieh

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/42332 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7923

摘要： The present invention relates to a memory device and a method of fabricating the same. The memory device comprises a substrate, a tunnel dielectric film on the substrate, pairs of source and drain regions formed in the substrate, and a number of separate storage blocks between each pair of the source and drain regions. Each storage wire block includes a storage medium and a silicon dioxide layer. Two storage blocks are separated by an interval of at least 100 angstroms.

摘要翻译： 本发明涉及一种存储器件及其制造方法。 存储器件包括衬底，衬底上的隧道电介质膜，形成在衬底中的源区和漏区对，以及在每对源区和漏区之间的多个分开的存储块。 每个存储线块包括存储介质和二氧化硅层。 两个存储块以至少100埃的间隔分开。

公开(公告)号：US07521321B2

公开(公告)日：2009-04-21

申请号：US11693716

申请日：2007-03-30

申请人： Yen-Hao Shih ,  Ming-Hsiang Hsueh ,  Erh-Kun Lai ,  Chia-Wei Wu ,  Chi-Pin Lu ,  Jung-Yu Hsieh

发明人： Yen-Hao Shih ,  Ming-Hsiang Hsueh ,  Erh-Kun Lai ,  Chia-Wei Wu ,  Chi-Pin Lu ,  Jung-Yu Hsieh

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/42332 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7923

摘要： The present invention relates to a memory device and a method of fabricating the same. The memory device comprises a substrate, a tunnel dielectric film on the substrate, pairs of source and drain regions formed in the substrate, and a number of separate storage blocks between each pair of the source and drain regions. Each storage wire block includes a storage medium and a silicon dioxide layer. Two storage blocks are separated by an interval of at least 100 angstroms.

摘要翻译： 本发明涉及一种存储器件及其制造方法。 存储器件包括衬底，衬底上的隧道电介质膜，形成在衬底中的源区和漏区对，以及在每对源区和漏区之间的多个分开的存储块。 每个存储线块包括存储介质和二氧化硅层。 两个存储块以至少100埃的间隔分开。

公开(公告)号：US08183618B2

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：US12962361

申请日：2010-12-07

申请人： Yen-Hao Shih ,  Chi-Pin Lu ,  Jung-Yu Hsieh

发明人： Yen-Hao Shih ,  Chi-Pin Lu ,  Jung-Yu Hsieh

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L21/28282

摘要： A method for fabricating a charge trapping memory device includes providing a substrate; forming a first oxide layer on the substrate; forming a number of BD regions in the substrate; nitridizing the interface of the first oxide layer and the substrate via a process; forming a charge trapping layer on the first oxide layer; and forming a second oxide layer on the charge trapping layer.

摘要翻译： 一种制造电荷俘获存储器件的方法包括：提供衬底; 在所述基板上形成第一氧化物层; 在衬底中形成多个BD区域; 通过工艺对第一氧化物层和衬底的界面进行氮化; 在所述第一氧化物层上形成电荷捕获层; 以及在电荷俘获层上形成第二氧化物层。

公开(公告)号：US20070293006A1

公开(公告)日：2007-12-20

申请号：US11425160

申请日：2006-06-20

申请人： Yen-Hao Shih ,  Chi-Pin Lu ,  Jung-Yu Hsieh

发明人： Yen-Hao Shih ,  Chi-Pin Lu ,  Jung-Yu Hsieh

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28282

摘要： A method for fabricating a charge trapping memory device includes providing a substrate; forming a first oxide layer on the substrate; forming a number of BD regions in the substrate; nitridizing the interface of the first oxide layer and the substrate via a process; forming a charge trapping layer on the first oxide layer; and forming a second oxide layer on the charge trapping layer.

摘要翻译： 一种制造电荷俘获存储器件的方法包括：提供衬底; 在所述基板上形成第一氧化物层; 在衬底中形成多个BD区域; 通过工艺对第一氧化物层和衬底的界面进行氮化; 在所述第一氧化物层上形成电荷捕获层; 以及在电荷俘获层上形成第二氧化物层。

公开(公告)号：US20110073937A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12962361

申请日：2010-12-07

申请人： Yen-Hao Shih ,  Chi-Pin Lu ,  Jung-Yu Hsieh

发明人： Yen-Hao Shih ,  Chi-Pin Lu ,  Jung-Yu Hsieh

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L21/28282

摘要： A method for fabricating a charge trapping memory device includes providing a substrate; forming a first oxide layer on the substrate; forming a number of BD regions in the substrate; nitridizing the interface of the first oxide layer and the substrate via a process; forming a charge trapping layer on the first oxide layer; and forming a second oxide layer on the charge trapping layer.

摘要翻译： 一种制造电荷俘获存储器件的方法包括：提供衬底; 在所述基板上形成第一氧化物层; 在衬底中形成多个BD区域; 通过工艺对第一氧化物层和衬底的界面进行氮化; 在所述第一氧化物层上形成电荷捕获层; 以及在电荷俘获层上形成第二氧化物层。

公开(公告)号：US07863132B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US11425160

申请日：2006-06-20

申请人： Yen-Hao Shih ,  Chi-Pin Lu ,  Jung-Yu Hsieh

发明人： Yen-Hao Shih ,  Chi-Pin Lu ,  Jung-Yu Hsieh

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28282

摘要： A method for fabricating a charge trapping memory device includes providing a substrate; forming a first oxide layer on the substrate; forming a number of BD regions in the substrate; nitridizing the interface of the first oxide layer and the substrate via a process; forming a charge trapping layer on the first oxide layer; and forming a second oxide layer on the charge trapping layer.

摘要翻译： 一种制造电荷俘获存储器件的方法包括：提供衬底; 在所述基板上形成第一氧化物层; 在衬底中形成多个BD区域; 通过工艺对第一氧化物层和衬底的界面进行氮化; 在所述第一氧化物层上形成电荷捕获层; 以及在电荷俘获层上形成第二氧化物层。

公开(公告)号：US08022465B2

公开(公告)日：2011-09-20

申请号：US11274781

申请日：2005-11-15

申请人： Yen-Hao Shih ,  Min-Ta Wu ,  Shin-Chin Lee ,  Jung-Yu Hsieh ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang Yeu Hsieh

发明人： Yen-Hao Shih ,  Min-Ta Wu ,  Shin-Chin Lee ,  Jung-Yu Hsieh ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang Yeu Hsieh

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

摘要： Memory cells comprising: a semiconductor substrate having at least two source/drain regions separated by a channel region; a charge-trapping structure disposed above the channel region; and a gate disposed above the charge-trapping structure; wherein the charge-trapping structure comprises a bottom insulating layer, a first charge-trapping layer, and a second charge-trapping layer, wherein an interface between the bottom insulating layer and the substrate has a hydrogen concentration of less than about 3×1011/cm−2, and methods for forming such memory cells.

摘要翻译： 存储单元包括：半导体衬底，具有由沟道区分开的至少两个源极/漏极区域; 设置在通道区域上方的电荷捕获结构; 以及设置在电荷捕获结构上方的栅极; 其中所述电荷捕获结构包括底部绝缘层，第一电荷俘获层和第二电荷俘获层，其中所述底部绝缘层和所述基底之间的界面的氢浓度小于约3×1011 / cm -2，以及形成这种记忆单元的方法。

公开(公告)号：US07778072B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US11460497

申请日：2006-07-27

申请人： Yen-Hao Shih ,  Jung-Yu Hsieh ,  Yi-Lin Yang ,  Chia-Hua Chang ,  Jenn-Gwo Hwu

发明人： Yen-Hao Shih ,  Jung-Yu Hsieh ,  Yi-Lin Yang ,  Chia-Hua Chang ,  Jenn-Gwo Hwu

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： H01L21/76838 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

摘要： A manufacturing method of a charge-trapping memory device is provided. This method includes forming a stacked structure having at least a charge-trapping medium. An annealing process in a hydrogen gas is then performed on the stacked structure subsequent to the device fabrication process. The annealing process is conducted at a temperature of about 350° C. to 450° C. and with the concentration of the hydrogen gas greater than 0.5 mole percent.

摘要翻译： 提供了一种电荷俘获存储器件的制造方法。 该方法包括形成至少具有电荷捕获介质的堆叠结构。 然后在器件制造过程之后对堆叠结构进行氢气中的退火处理。 退火过程在约350℃至450℃的温度下进行，氢气的浓度大于0.5摩尔％。

公开(公告)号：US07704865B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US11209875

申请日：2005-08-23

申请人： Yen-Hao Shih ,  Shih-Chin Lee ,  Jung-Yu Hsieh ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang Yeu Hsieh

发明人： Yen-Hao Shih ,  Shih-Chin Lee ,  Jung-Yu Hsieh ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang Yeu Hsieh

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L21/2652 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/7923

摘要： Methods of forming charge-trapping dielectric layer structures in semiconductor memory devices which comprise: (a) providing a semiconductor substrate; (b) forming an oxide layer on at least a portion of the substrate; (c) forming two or more source/drain regions in the substrate below the oxide layer; (d) re-oxidizing the oxide layer; (e) forming a charge-trapping dielectric layer on the oxide layer; and (f) forming an insulating layer on the charge-trapping dielectric layer; as well as methods which comprise: (a) providing a semiconductor substrate; (b) forming an oxide layer on at least a portion of the substrate in a dry atmosphere; (c) forming two or more source/drain regions in the substrate below the oxide layer; (d) forming a charge-trapping dielectric layer on the oxide layer; (e) forming an insulating layer on the charge-trapping dielectric layer; and (f) annealing the insulating layer in an atmosphere having a hydrogen content of less than about 0.01% are described.

摘要翻译： 在半导体存储器件中形成电荷俘获电介质层结构的方法包括：（a）提供半导体衬底; （b）在所述基材的至少一部分上形成氧化物层; （c）在氧化物层下面的衬底中形成两个或更多个源极/漏极区域; （d）氧化氧化层; （e）在所述氧化物层上形成电荷捕获电介质层; 和（f）在电荷俘获电介质层上形成绝缘层; 以及包括：（a）提供半导体衬底的方法; （b）在干燥气氛中在所述基材的至少一部分上形成氧化物层; （c）在氧化物层下面的衬底中形成两个或更多个源极/漏极区域; （d）在氧化物层上形成电荷俘获介电层; （e）在电荷捕获介电层上形成绝缘层; 和（f）在氢含量小于约0.01％的气氛中退火绝缘层。

公开(公告)号：US20070054449A1

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：US11209875

申请日：2005-08-23

申请人： Yen-Hao Shih ,  Shih-Chin Lee ,  Jung-Yu Hsieh ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang Hsieh

发明人： Yen-Hao Shih ,  Shih-Chin Lee ,  Jung-Yu Hsieh ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang Hsieh

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/2652 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/7923

摘要： Methods of forming charge-trapping dielectric layer structures in semiconductor memory devices which comprise: (a) providing a semiconductor substrate; (b) forming an oxide layer on at least a portion of the substrate; (c) forming two or more source/drain regions in the substrate below the oxide layer; (d) re-oxidizing the oxide layer; (e) forming a charge-trapping dielectric layer on the oxide layer; and (f) forming an insulating layer on the charge-trapping dielectric layer; as well as methods which comprise: (a) providing a semiconductor substrate; (b) forming an oxide layer on at least a portion of the substrate in a dry atmosphere; (c) forming two or more source/drain regions in the substrate below the oxide layer; (d) forming a charge-trapping dielectric layer on the oxide layer; (e) forming an insulating layer on the charge-trapping dielectric layer; and (f) annealing the insulating layer in an atmosphere having a hydrogen content of less than about 0.01% are described.

摘要翻译： 在半导体存储器件中形成电荷俘获电介质层结构的方法包括：（a）提供半导体衬底; （b）在所述基材的至少一部分上形成氧化物层; （c）在氧化物层下面的衬底中形成两个或更多个源极/漏极区域; （d）氧化氧化层; （e）在所述氧化物层上形成电荷捕获电介质层; 和（f）在电荷俘获电介质层上形成绝缘层; 以及包括：（a）提供半导体衬底的方法; （b）在干燥气氛中在所述基材的至少一部分上形成氧化物层; （c）在氧化物层下面的衬底中形成两个或更多个源极/漏极区域; （d）在氧化物层上形成电荷俘获介电层; （e）在电荷捕获介电层上形成绝缘层; 和（f）在氢含量小于约0.01％的气氛中退火绝缘层。