公开(公告)号：US08163625B2

公开(公告)日：2012-04-24

申请号：US12753972

申请日：2010-04-05

申请人： Yih-Ann Lin ,  Hao-Ming Lien ,  Ryan Chia-Jen Chen ,  Jr Jung Lin ,  Yu Chao Lin ,  Chih-Han Lin

发明人： Yih-Ann Lin ,  Hao-Ming Lien ,  Ryan Chia-Jen Chen ,  Jr Jung Lin ,  Yu Chao Lin ,  Chih-Han Lin

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76232

摘要： The disclosure relates to integrated circuit fabrication, and more particularly to an electronic device with an isolation structure having almost no divot. An exemplary method for fabricating an isolation structure, comprising: forming a pad oxide layer over a top surface of a substrate; forming an opening in the pad oxide layer, exposing a portion of the substrate; etching the exposed portion of the substrate, forming a trench in the substrate; filling the trench with an insulator; exposing a surface of the pad oxide layer and a surface of the insulator to a vapor mixture including at least an NH3 and a fluorine-containing compound; and heating the substrate at a temperature between 100° C. to 200° C.

摘要翻译： 本公开涉及集成电路制造，并且更具体地涉及具有几乎没有纹波的隔离结构的电子器件。 一种用于制造隔离结构的示例性方法，包括：在衬底的顶表面上形成衬垫氧化物层; 在所述衬垫氧化物层中形成开口，暴露所述衬底的一部分; 蚀刻衬底的暴露部分，在衬底中形成沟槽; 用绝缘体填充沟槽; 将衬垫氧化物层的表面和绝缘体的表面暴露于至少包含NH 3和含氟化合物的蒸汽混合物; 并在100℃至200℃的温度下加热基材。

公开(公告)号：US20100255654A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：US12753972

申请日：2010-04-05

申请人： Yih-Ann Lin ,  Hao-Ming Lien ,  Ryan Chia-Jen Chen ,  Jung Lin, JR. ,  Yu Chao Lin ,  Chih-Han Lin

发明人： Yih-Ann Lin ,  Hao-Ming Lien ,  Ryan Chia-Jen Chen ,  Jung Lin, JR. ,  Yu Chao Lin ,  Chih-Han Lin

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76232

摘要： The disclosure relates to integrated circuit fabrication, and more particularly to an electronic device with an isolation structure having almost no divot. An exemplary method for fabricating an isolation structure, comprising: forming a pad oxide layer over a top surface of a substrate; forming an opening in the pad oxide layer, exposing a portion of the substrate; etching the exposed portion of the substrate, forming a trench in the substrate; filling the trench with an insulator; exposing a surface of the pad oxide layer and a surface of the insulator to a vapor mixture including at least an NH3 and a fluorine-containing compound; and heating the substrate at a temperature between 100° C. to 200° C.

摘要翻译： 本公开涉及集成电路制造，并且更具体地涉及具有几乎没有纹波的隔离结构的电子器件。 一种用于制造隔离结构的示例性方法，包括：在衬底的顶表面上形成衬垫氧化物层; 在所述衬垫氧化物层中形成开口，暴露所述衬底的一部分; 蚀刻衬底的暴露部分，在衬底中形成沟槽; 用绝缘体填充沟槽; 将衬垫氧化物层的表面和绝缘体的表面暴露于至少包含NH 3和含氟化合物的蒸汽混合物; 并在100℃至200℃的温度下加热基材。

公开(公告)号：US08450161B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US13465551

申请日：2012-05-07

申请人： Chien-Hao Chen ,  Hao-Ming Lien ,  Ssu-Yu Li ,  Jun-Lin Yeh ,  Kang-Cheng Lin ,  Kuo-Tai Huang ,  Chii-Horng Li ,  Chien-Liang Chen ,  Chung-Hau Fei ,  Wen-Chih Yang ,  Jin-Aun Ng ,  Chi Hsin Chang ,  Chun Ming Lin ,  Harry Chuang

发明人： Chien-Hao Chen ,  Hao-Ming Lien ,  Ssu-Yu Li ,  Jun-Lin Yeh ,  Kang-Cheng Lin ,  Kuo-Tai Huang ,  Chii-Horng Li ,  Chien-Liang Chen ,  Chung-Hau Fei ,  Wen-Chih Yang ,  Jin-Aun Ng ,  Chi Hsin Chang ,  Chun Ming Lin ,  Harry Chuang

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： The present disclosure provides a semiconductor device that includes a semiconductor substrate and a transistor formed in the substrate. The transistor includes a gate stack having a high-k dielectric and metal gate, a sealing layer formed on sidewalls of the gate stack, the sealing layer having an inner edge and an outer edge, the inner edge interfacing with the sidewall of the gate stack, a spacer formed on the outer edge of the sealing layer, and a source/drain region formed on each side of the gate stack, the source/drain region including a lightly doped source/drain (LDD) region that is aligned with the outer edge of the sealing layer.

摘要翻译： 本公开提供一种半导体器件，其包括半导体衬底和形成在衬底中的晶体管。 晶体管包括具有高k电介质和金属栅极的栅极堆叠，形成在栅极叠层的侧壁上的密封层，密封层具有内边缘和外边缘，内边缘与栅叠层的侧壁相接合 ，形成在密封层的外边缘上的隔离物和形成在栅极堆叠的每一侧上的源极/漏极区域，源极/漏极区域包括与外部电极对准的轻掺杂源极/漏极（LDD）区域 密封层的边缘。

公开(公告)号：US07852673B2

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：US12561849

申请日：2009-09-17

申请人： Hao-Ming Lien ,  Ming-Hsiu Lee

发明人： Hao-Ming Lien ,  Ming-Hsiu Lee

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C16/0466 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

摘要： A method for programming a mixed nonvolatile memory array having a plurality of mixed memory cells, wherein each mixed memory cell includes a depletion mode memory cell and an enhanced mode memory cell. The method comprises steps of programming the enhanced mode memory cell in a way of channel hot carrier and programming the depletion mode memory cell in a way of band-to-band tunneling hot carrier.

摘要翻译： 一种用于编程具有多个混合存储器单元的混合非易失性存储器阵列的方法，其中每个混合存储单元包括耗尽型存储单元和增强型存储单元。 该方法包括以通道热载波的方式对增强型存储器单元进行编程的步骤，并以带对带隧道热载波的方式对耗尽型存储单元进行编程。

公开(公告)号：US20100044803A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12389535

申请日：2009-02-20

申请人： Chien-Hao Chen ,  Hao-Ming Lien ,  Ssu-Yi Li ,  Jun-Lin Yeh ,  Kang-Cheng Lin ,  Kuo-Tai Huang ,  Chii-Horng Li ,  Chien-Liang Chen ,  Chung-Hau Fei ,  Wen-Chih Yang ,  Jin-Aun Ng ,  Chi Hsin Chang ,  Chun Ming Lin ,  Harry Chuang

发明人： Chien-Hao Chen ,  Hao-Ming Lien ,  Ssu-Yi Li ,  Jun-Lin Yeh ,  Kang-Cheng Lin ,  Kuo-Tai Huang ,  Chii-Horng Li ,  Chien-Liang Chen ,  Chung-Hau Fei ,  Wen-Chih Yang ,  Jin-Aun Ng ,  Chi Hsin Chang ,  Chun Ming Lin ,  Harry Chuang

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： The present disclosure provides a semiconductor device that includes a semiconductor substrate and a transistor formed in the substrate. The transistor includes a gate stack having a high-k dielectric and metal gate, a sealing layer formed on sidewalls of the gate stack, the sealing layer having an inner edge and an outer edge, the inner edge interfacing with the sidewall of the gate stack, a spacer formed on the outer edge of the sealing layer, and a source/drain region formed on each side of the gate stack, the source/drain region including a lightly doped source/drain (LDD) region that is aligned with the outer edge of the sealing layer.

摘要翻译： 本公开提供一种半导体器件，其包括半导体衬底和形成在衬底中的晶体管。 晶体管包括具有高k电介质和金属栅极的栅极堆叠，形成在栅极叠层的侧壁上的密封层，密封层具有内边缘和外边缘，内边缘与栅叠层的侧壁相接合 ，形成在密封层的外边缘上的隔离物和形成在栅极堆叠的每一侧上的源极/漏极区域，源极/漏极区域包括与外部电极对准的轻掺杂源极/漏极（LDD）区域 密封层的边缘。

公开(公告)号：US20080056009A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：US11930132

申请日：2007-10-31

申请人： Cheng-Hsing Hsu ,  Hao-Ming Lien

发明人： Cheng-Hsing Hsu ,  Hao-Ming Lien

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C11/34

CPC分类号： H01L29/7923 ,  G11C16/12 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66833

摘要： A non-volatile memory having a gate structure, a pair of storage units and two assist gates is provided. The gate structure is disposed on the substrate. The storage units are disposed on the sidewalls of the gate structure. The assist gates are disposed on the respective sides of the gate structure and adjacent to the storage units. Each assist gate is shared between two adjacent memory cells. The gate structure, the storage units and the assist gates are electrically isolated from one another.

摘要翻译： 提供具有栅极结构的非易失性存储器，一对存储单元和两个辅助栅极。 栅极结构设置在基板上。 存储单元设置在栅极结构的侧壁上。 辅助闸门设置在闸门结构的相应侧面上并且与储存单元相邻。 每个辅助门在两个相邻的存储单元之间共享。 栅极结构，存储单元和辅助栅极彼此电隔离。

公开(公告)号：US07307882B2

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：US11160561

申请日：2005-06-29

申请人： Cheng-Hsing Hsu ,  Hao-Ming Lien

发明人： Cheng-Hsing Hsu ,  Hao-Ming Lien

IPC分类号： G11C16/04 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L29/7923 ,  G11C16/12 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66833

摘要： A non-volatile memory having a gate structure, a pair of storage units and two assist gates is provided. The gate structure is disposed on the substrate. The storage units are disposed on the sidewalls of the gate structure. The assist gates are disposed on the respective sides of the gate structure and adjacent to the storage units. Each assist gate is shared between two adjacent memory cells. The gate structure, the storage units and the assist gates are electrically isolated from one another.

摘要翻译： 提供具有栅极结构的非易失性存储器，一对存储单元和两个辅助栅极。 栅极结构设置在基板上。 存储单元设置在栅极结构的侧壁上。 辅助闸门设置在闸门结构的相应侧面上并且与储存单元相邻。 每个辅助门在两个相邻的存储单元之间共享。 栅极结构，存储单元和辅助栅极彼此电隔离。

公开(公告)号：US08735252B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US13490635

申请日：2012-06-07

申请人： Weibo Yu ,  Ming-Hsi Yeh ,  Chih-Tang Peng ,  Hao-Ming Lien ,  Chao-Cheng Chen ,  Syun-Ming Jang

发明人： Weibo Yu ,  Ming-Hsi Yeh ,  Chih-Tang Peng ,  Hao-Ming Lien ,  Chao-Cheng Chen ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L29/66795

摘要： A method of fabricating a semiconductor IC is disclosed. The method includes receiving a device. The device includes a semiconductor substrate, a plurality of fins and trenches between fins in the semiconductor substrate. The method also includes filling the trenches with a dielectric material to form shallow trench isolations (STI), applying a low-thermal-budget annealing to the dielectric material, and applying a wet-treatment to the dielectric material.

摘要翻译： 公开了制造半导体IC的方法。 该方法包括接收设备。 该器件包括半导体衬底，半导体衬底中的翅片之间的多个散热片和沟槽。 该方法还包括用介电材料填充沟槽以形成浅沟槽隔离（STI），对介电材料施加低热预算退火，以及对电介质材料进行湿法处理。

公开(公告)号：US08404561B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12774219

申请日：2010-05-05

申请人： Tze-Liang Lee ,  Pei-Ren Jeng ,  Chu-Yun Fu ,  Chyi Shyuan Chern ,  Jui-Hei Huang ,  Chih-Tang Peng ,  Hao-Ming Lien

发明人： Tze-Liang Lee ,  Pei-Ren Jeng ,  Chu-Yun Fu ,  Chyi Shyuan Chern ,  Jui-Hei Huang ,  Chih-Tang Peng ,  Hao-Ming Lien

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/76232

摘要： The invention relates to integrated circuit fabrication, and more particularly to an electronic device with an isolation structure made having almost no void. An exemplary method for fabricating an isolation structure, comprising: providing a substrate; forming a trench in the substrate; partially filling the trench with a first silicon oxide; exposing a surface of the first silicon oxide to a vapor mixture comprising NH3 and a fluorine-containing compound; heating the substrate to a temperature between 100° C. to 200° C.; and filling the trench with a second silicon oxide, whereby the isolation structure made has almost no void.

摘要翻译： 本发明涉及集成电路制造，更具体地说涉及具有几乎没有空隙的隔离结构的电子器件。 一种用于制造隔离结构的示例性方法，包括：提供衬底; 在衬底中形成沟槽; 用第一氧化硅部分地填充沟槽; 将第一氧化硅的表面暴露于包含NH 3和含氟化合物的蒸汽混合物中; 将基板加热至100℃至200℃的温度; 并用第二氧化硅填充沟槽，由此所制成的隔离结构几乎没有空隙。

公开(公告)号：US20100008153A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12561849

申请日：2009-09-17

申请人： Hao-Ming Lien ,  Ming-Hsiu Lee

发明人： Hao-Ming Lien ,  Ming-Hsiu Lee

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/0466 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

摘要： A method for programming a mixed nonvolatile memory array having a plurality of mixed memory cells, wherein each mixed memory cell includes a depletion mode memory cell and an enhanced mode memory cell. The method comprises steps of programming the enhanced mode memory cell in a way of channel hot carrier and programming the depletion mode memory cell in a way of band-to-band tunneling hot carrier.

摘要翻译： 一种用于编程具有多个混合存储器单元的混合非易失性存储器阵列的方法，其中每个混合存储单元包括耗尽型存储单元和增强型存储单元。 该方法包括以通道热载波的方式对增强型存储器单元进行编程的步骤，并以带对带隧道热载波的方式对耗尽型存储单元进行编程。