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    Heteroacene polymers and electronic devices generated therefrom
    3.
    发明申请
    Heteroacene polymers and electronic devices generated therefrom 有权
    异辛烯聚合物和由其生成的电子器件

    公开(公告)号：US20070235722A1

    公开(公告)日：2007-10-11

    申请号：US11399064

    申请日：2006-04-06

    申请人： Yuning Li ,  Beng Ong ,  Yiliang Wu

    发明人： Yuning Li ,  Beng Ong ,  Yiliang Wu

    IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L35/24 ,  H01L51/00

    CPC分类号： H01L51/0036 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

    摘要： An electronic device comprising a semiconductive material of Formula or structure (I) wherein each R1, R2, R3 and R4 are independently hydrogen (H), a heteroatom containing group, a suitable hydrocarbon, or a halogen; Ar and Ar′ each independently represents an aromatic moiety; x, y, a, b, c, d, e, f and g represent the number of groups or rings, respectively; Z represents sulfur, oxygen, selenium, or NR′″ wherein R′″ is hydrogen, alkyl, or aryl; and n represents the number of repeating units.

    摘要翻译： 一种电子器件，其包含式或结构（I）的半导体材料，其中每个R 1，R 2，R 3和R 3， 4个独立地是氢（H），含杂原子的基团，合适的烃或卤素; Ar和Ar'各自独立地表示芳族部分; x，y，a，b，c，d，e，f和g分别表示基团或环的数目; Z表示硫，氧，硒或NR“，其中R”“是氢，烷基或芳基; n表示重复单元的数量。

    Organic thin-film transistors
    4.
    发明申请
    Organic thin-film transistors 失效
    有机薄膜晶体管

    公开(公告)号：US20070145354A1

    公开(公告)日：2007-06-28

    申请号：US11315044

    申请日：2005-12-22

    申请人： Mihaela Birau ,  Yiliang Wu ,  Beng Ong

    发明人： Mihaela Birau ,  Yiliang Wu ,  Beng Ong

    IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L21/84

    CPC分类号： H01L51/10 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/107

    摘要： A novel barrier layer which protects electronic devices from adverse environmental effects such as exposure to light, especially white light, is described. The barrier layer comprises a copolymer having an acrylate unit and an acrylate unit with a pendant dye group. Also disclosed are processes for producing such electronic devices.

    摘要翻译： 描述了保护电子设备免受诸如曝光，特别是白光等不利环境影响的新颖的阻挡层。 阻挡层包括具有丙烯酸酯单元和具有侧基染料基团的丙烯酸酯单元的共聚物。 还公开了用于生产这种电子装置的方法。

    TFT gate dielectric with crosslinked polymer
    7.
    发明申请
    TFT gate dielectric with crosslinked polymer 审中-公开
    具有交联聚合物的TFT栅极电介质

    公开(公告)号：US20060231829A1

    公开(公告)日：2006-10-19

    申请号：US11104730

    申请日：2005-04-13

    申请人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Beng Ong

    发明人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Beng Ong

    IPC分类号： H01L29/08

    CPC分类号： H01L51/052 ,  H01L51/0036

    摘要： A thin film transistor composed of a gate dielectric which includes a radiation-induced crosslinked polymer composed of polymerized one or more monomers, wherein the one or more monomers include an optionally substituted vinyl arylalcohol.

    摘要翻译： 一种由栅电介质组成的薄膜晶体管，其包括由聚合的一种或多种单体组成的辐射诱导交联聚合物，其中所述一种或多种单体包括任选取代的乙烯基芳基醇。

    Polymers
    10.
    发明申请
    Polymers 有权
    聚合物

    公开(公告)号：US20050043504A1

    公开(公告)日：2005-02-24

    申请号：US10646196

    申请日：2003-08-22

    申请人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Lu Jiang ,  Beng Ong

    发明人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Lu Jiang ,  Beng Ong

    IPC分类号： C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  C08G61/12 ,  C08G75/00

    CPC分类号： C08G61/126 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10

    摘要： A thienylene-arylene polymer comprised of a repeating segment containing at least one 2,5-thienylene unit selected from (I) and (II), and from about one to about three arylene units selected from (IIIa), (IIIb), and/or (IIIc) wherein R is an alkyl or an alkoxy; R′ is halogen, alkyl, or alkoxy, and a and b represent the number of Rs.

    摘要翻译： 由含有至少一个选自（I）和（II）的2,5-亚噻吩基单元的重复链段和选自（IIIa），（IIIb）和（IIIb）中的约1至约3个亚芳基的亚噻吩基亚芳基聚合物 /或（IIIc）其中R是烷基或烷氧基; R'是卤素，烷基或烷氧基，a和b表示Rs的数目。