公开(公告)号：US08432096B2

公开(公告)日：2013-04-30

申请号：US12517618

申请日：2007-07-26

申请人： Yohsuke Kanzaki ,  Hirohiko Nishiki ,  Tohru Okabe

发明人： Yohsuke Kanzaki ,  Hirohiko Nishiki ,  Tohru Okabe

IPC分类号： H05B33/06

CPC分类号： H01J9/221 ,  H01L27/3288 ,  H01L2251/5361 ,  H01L2251/568

摘要： A single-color EL element includes a substrate; a plurality of signal wires arranged over the substrate; a plurality of pixel electrodes electrically coupled with a respective one of the plurality of signal wires via connecting wires to constitute a matrix as a whole, the plurality of pixel electrodes being separate from one another; and a single-color EL layer arranged over the plurality of pixel electrodes.

摘要翻译： 单色EL元件包括基板; 布置在所述基板上的多个信号线; 多个像素电极，经由连接线与所述多个信号线中的相应一个电连接，以构成整体的矩阵，所述多个像素电极彼此分离; 以及布置在多个像素电极上的单色EL层。

公开(公告)号：US20100073910A1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：US12517618

申请日：2007-07-26

申请人： Yohsuke Kanzaki ,  Hirohiko Nishiki ,  Tohru Okabe

发明人： Yohsuke Kanzaki ,  Hirohiko Nishiki ,  Tohru Okabe

IPC分类号： G09F13/04 ,  H01J1/46 ,  H01J9/50

CPC分类号： H01J9/221 ,  H01L27/3288 ,  H01L2251/5361 ,  H01L2251/568

摘要： A single-color EL element includes a substrate; a plurality of signal wires arranged over the substrate; a plurality of pixel electrodes electrically coupled with a respective one of the plurality of signal wires via connecting wires to constitute a matrix as a whole, the plurality of pixel electrodes being separate from one another; and a single-color EL layer arranged over the plurality of pixel electrodes.

摘要翻译： 单色EL元件包括基板; 布置在所述基板上的多个信号线; 多个像素电极，经由连接线与所述多个信号线中的相应一个电连接，以构成整体的矩阵，所述多个像素电极彼此分离; 以及布置在多个像素电极上的单色EL层。

公开(公告)号：US08810765B2

公开(公告)日：2014-08-19

申请号：US12527731

申请日：2008-01-11

申请人： Tohru Okabe ,  Hirohiko Nishiki

发明人： Tohru Okabe ,  Hirohiko Nishiki

IPC分类号： G02F1/1339 ,  H05B33/04 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32 ,  H05B33/22

CPC分类号： H05B33/22 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/525 ,  H01L51/5259 ,  H01L2251/5338 ,  H05B33/04

摘要： An electroluminescence element includes an electroluminescence substrate including a thin film transistor substrate, and a light-emitting layer provided over the thin film transistor substrate and divided by picture-element separating portions so as to correspond to unit picture elements; and a sealing substrate arranged to hermetically seal the light-emitting layer of the electroluminescence substrate. At least one of the electroluminescence substrate and the sealing substrate is a flexible substrate. Spacers are provided between the electroluminescence substrate and the sealing substrate.

摘要翻译： 电致发光元件包括具有薄膜晶体管基板的电致发光基板和设置在薄膜晶体管基板上并由图像元素分离部分分割以对应于单位图像元素的发光层; 以及密封基板，其设置成气密地密封电致发光基板的发光层。 电致发光基板和密封基板中的至少一个是柔性基板。 在电致发光基板和密封基板之间设置隔板。

公开(公告)号：US20120108018A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13383220

申请日：2010-03-16

申请人： Tohru Okabe ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshimasa Chikama ,  Takeshi Hara

发明人： Tohru Okabe ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshimasa Chikama ,  Takeshi Hara

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/42384

摘要： A method for manufacturing a thin film transistor substrate includes a step of forming a gate electrode (11a) and a first interconnect on a substrate (10), a step of forming a gate insulating film (12a) having a contact hole at a position overlapping the first interconnect, a step of forming a source electrode (13a) and a drain electrode (13b) overlapping the gate electrode (11a) and separated apart from each other, and a second interconnect connected via the contact hole to the first interconnect, a step of successively forming an oxide semiconductor film (14) and a second insulating film (15), and thereafter, patterning the second insulating film (15) to form an interlayer insulating film (15a), and a step of reducing the resistance of the oxide semiconductor film (14) exposed through the interlayer insulating film (15a) to form a pixel electrode (14b).

摘要翻译： 制造薄膜晶体管基板的方法包括在基板（10）上形成栅极（11a）和第一布线的步骤，在重叠的位置形成具有接触孔的栅极绝缘膜（12a）的步骤 所述第一互连，形成与所述栅电极（11a）重叠并分离的源电极（13a）和漏电极（13b）的步骤，以及经由所述接触孔与所述第一互连件连接的第二互连件， 连续地形成氧化物半导体膜（14）和第二绝缘膜（15）的步骤，然后对第二绝缘膜（15）进行图案化以形成层间绝缘膜（15a），并且降低 氧化物半导体膜（14）通过层间绝缘膜（15a）露出以形成像素电极（14b）。

公开(公告)号：US08168511B2

公开(公告)日：2012-05-01

申请号：US12675501

申请日：2008-06-12

申请人： Hirohiko Nishiki ,  Tohru Okabe

发明人： Hirohiko Nishiki ,  Tohru Okabe

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1214

摘要： A method for manufacturing a display device includes a step of preparing a flexible substrate including a delamination layer on its back surface, a step of bonding a support substrate to the delamination layer of the flexible substrate via an adhesive layer, a step of forming predetermined devices on a front surface of the flexible substrate having the support substrate bonded thereto, and a step of removing the support substrate by delaminating the delamination layer from the flexible substrate having the devices formed thereon.

摘要翻译： 一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括在其背面包含剥离层的柔性基板的制造工序，通过粘接层将支撑基板与柔性基板的分层接合的工序， 在具有与其结合的支撑基板的柔性基板的前表面上，以及通过从其上形成有器件的柔性基板剥离分层而去除支撑基板的步骤。

公开(公告)号：US20140014950A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：US13976056

申请日：2011-12-20

申请人： Takeshi Hara ,  Hirohiko Nishiki ,  Hisao Ochi ,  Tetsuya Aita ,  Tohru Okabe ,  Yuya Nakano

发明人： Takeshi Hara ,  Hirohiko Nishiki ,  Hisao Ochi ,  Tetsuya Aita ,  Tohru Okabe ,  Yuya Nakano

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1248 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78696

摘要： An active matrix substrate (20a) includes a gate electrode (25) formed on an insulating substrate (10a), and a planarizing film (26) formed on the gate electrode (25) and made of a baked SOG material. The gate electrode (25) is a multilayer film including a first conductive film (27) formed on the insulating substrate (10a) and made of a metal except copper, a second conductive film (28) formed on the first conductive film (27) and made of copper, and a third conductive film (29) formed on the second conductive film (28) and made of the metal except copper.

摘要翻译： 有源矩阵基板（20a）包括形成在绝缘基板（10a）上的栅极（25）和形成在栅电极（25）上并由焙烧的SOG材料制成的平坦化膜（26）。 栅电极（25）是包括形成在绝缘基板（10a）上的由铜以外的金属制成的第一导电膜（27）的多层膜，形成在第一导电膜（27）上的第二导电膜（28） 并由铜制成，第三导电膜（29）形成在第二导电膜（28）上，并由除铜以外的金属制成。

公开(公告)号：US08481373B2

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：US13383220

申请日：2010-03-16

申请人： Tohru Okabe ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshimasa Chikama ,  Takeshi Hara

发明人： Tohru Okabe ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshimasa Chikama ,  Takeshi Hara

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/42384

摘要： A method for manufacturing a thin film transistor substrate includes a step of forming a gate electrode (11a) and a first interconnect on a substrate (10), a step of forming a gate insulating film (12a) having a contact hole at a position overlapping the first interconnect, a step of forming a source electrode (13a) and a drain electrode (13b) overlapping the gate electrode (11a) and separated apart from each other, and a second interconnect connected via the contact hole to the first interconnect, a step of successively forming an oxide semiconductor film (14) and a second insulating film (15), and thereafter, patterning the second insulating film (15) to form an interlayer insulating film (15a), and a step of reducing the resistance of the oxide semiconductor film (14) exposed through the interlayer insulating film (15a) to form a pixel electrode (14b).

摘要翻译： 制造薄膜晶体管基板的方法包括在基板（10）上形成栅极（11a）和第一布线的步骤，在重叠的位置形成具有接触孔的栅极绝缘膜（12a）的步骤 所述第一互连，形成与所述栅电极（11a）重叠并分离的源电极（13a）和漏电极（13b）的步骤，以及经由所述接触孔与所述第一互连件连接的第二互连件， 连续地形成氧化物半导体膜（14）和第二绝缘膜（15）的步骤，然后对第二绝缘膜（15）进行图案化以形成层间绝缘膜（15a），并且降低 氧化物半导体膜（14）通过层间绝缘膜（15a）露出以形成像素电极（14b）。

公开(公告)号：US20110204361A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US12675501

申请日：2008-06-12

申请人： Hirohiko Nishiki ,  Tohru Okabe

发明人： Hirohiko Nishiki ,  Tohru Okabe

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1214

摘要： A method for manufacturing a display device includes; a step of preparing a flexible substrate including a delamination layer on its back surface, a step of bonding a support substrate to the delamination layer of the flexible substrate via an adhesive layer, a step of forming predetermined devices on a front surface of the flexible substrate having the support substrate bonded thereto, and a step of removing the support substrate by delaminating the delamination layer from the flexible substrate having the devices formed thereon.

摘要翻译： 一种显示装置的制造方法， 在其背面制备包括分层的柔性基板的步骤，通过粘合剂层将支撑基板粘合到柔性基板的分层上的步骤，在柔性基板的前表面上形成预定的装置的步骤 具有与其结合的支撑基板，以及通过从其上形成有器件的柔性基板剥离分层而去除支撑基板的步骤。

公开(公告)号：US20110043720A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12672740

申请日：2008-07-04

申请人： Tohru Okabe ,  Yoshimasa Chikama ,  Yohsuke Kanzaki ,  Yuya Nakano

发明人： Tohru Okabe ,  Yoshimasa Chikama ,  Yohsuke Kanzaki ,  Yuya Nakano

IPC分类号： G02F1/1333 ,  G02F1/1339

CPC分类号： G02F1/133305 ,  B32B37/0015 ,  B32B37/1018 ,  B32B38/1858 ,  B32B2309/02 ,  B32B2309/10 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/202 ,  G02F1/1303 ,  G02F2201/54

摘要： A method for manufacturing a display device includes; a first step of preparing a plastic substrate placed on a support substrate, a second step of bonding a first region of an expanded silicone sheet to an end of the plastic substrate, and bonding a second region of the silicone sheet to the support substrate having the plastic substrate placed thereon, thereby fixing the plastic substrate to the support substrate by a biasing force of the silicone sheet, and a third step of laminating a plurality of thin films over the plastic substrate fixed to the support substrate.

摘要翻译： 一种显示装置的制造方法， 制备放置在支撑基板上的塑料基板的第一步骤，将发泡硅胶片的第一区域接合到塑料基板的端部的第二步骤，以及将硅树脂薄片的第二区域粘合到具有 将塑料基板置于其上，由此通过硅树脂片的偏置力将塑料基板固定到支撑基板上;以及第三步骤，在固定到支撑基板上的塑料基板上层压多个薄膜。

公开(公告)号：US09087749B2

公开(公告)日：2015-07-21

申请号：US13976056

申请日：2011-12-20

申请人： Takeshi Hara ,  Hirohiko Nishiki ,  Hisao Ochi ,  Tetsuya Aita ,  Tohru Okabe ,  Yuya Nakano

发明人： Takeshi Hara ,  Hirohiko Nishiki ,  Hisao Ochi ,  Tetsuya Aita ,  Tohru Okabe ,  Yuya Nakano

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L27/12 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/45

CPC分类号： H01L27/1248 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78696

摘要： An active matrix substrate (20a) includes a gate electrode (25) formed on an insulating substrate (10a), and a planarizing film (26) formed on the gate electrode (25) and made of a baked SOG material. The gate electrode (25) is a multilayer film including a first conductive film (27) formed on the insulating substrate (10a) and made of a metal except copper, a second conductive film (28) formed on the first conductive film (27) and made of copper, and a third conductive film (29) formed on the second conductive film (28) and made of the metal except copper.

摘要翻译： 有源矩阵基板（20a）包括形成在绝缘基板（10a）上的栅极（25）和形成在栅电极（25）上并由焙烧的SOG材料制成的平坦化膜（26）。 栅电极（25）是包括形成在绝缘基板（10a）上的由铜以外的金属制成的第一导电膜（27）的多层膜，形成在第一导电膜（27）上的第二导电膜（28） 并由铜制成，第三导电膜（29）形成在第二导电膜（28）上，并由除铜以外的金属制成。