公开(公告)号：US07957204B1

公开(公告)日：2011-06-07

申请号：US11229667

申请日：2005-09-20

申请人： Yonggang Wu ,  Guowei Wang ,  Nian Yang ,  Sachit Chandra ,  Aaron Lee

发明人： Yonggang Wu ,  Guowei Wang ,  Nian Yang ,  Sachit Chandra ,  Aaron Lee

IPC分类号： G11C7/12 ,  G11C8/08 ,  G11C8/12 ,  G11C16/12

CPC分类号： G11C16/12 ,  G11C5/145 ,  G11C8/08

摘要： A non-volatile memory device includes an array of non-volatile memory cells. When programming the memory cells, a voltage supply source is used that includes multiple independent charge pumps. The independent charge pumps supply the programming voltage to different ones of bit lines in the array of memory cells. Using multiple charge pumps tends to reduce output voltage fluctuations and thereby reduce power loss.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括非易失性存储器单元阵列。 当对存储器单元进行编程时，使用包括多个独立电荷泵的电压源。 独立电荷泵将编程电压提供给存储器单元阵列中的不同位线。 使用多个电荷泵倾向于降低输出电压波动，从而降低功率损耗。

公开(公告)号：US08462564B1

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：US13090981

申请日：2011-04-20

申请人： Yonggang Wu ,  Guowei Wang ,  Nian Yang ,  Sachit Chandra ,  Aaron Lee

发明人： Yonggang Wu ,  Guowei Wang ,  Nian Yang ,  Sachit Chandra ,  Aaron Lee

IPC分类号： G11C7/12 ,  G11C8/08 ,  G11C8/12 ,  G11C16/12

CPC分类号： G11C16/12 ,  G11C5/145 ,  G11C8/08

摘要： A non-volatile memory device includes an array of non-volatile memory cells. When programming the memory cells, a voltage supply source is used that includes multiple independent charge pumps. The independent charge pumps supply the programming voltage to different ones of bit lines in the array of memory cells. Using multiple charge pumps tends to reduce output voltage fluctuations and thereby reduce power loss.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括非易失性存储器单元阵列。 当对存储器单元进行编程时，使用包括多个独立电荷泵的电压源。 独立电荷泵将编程电压提供给存储器单元阵列中的不同位线。 使用多个电荷泵倾向于降低输出电压波动，从而降低功率损耗。

公开(公告)号：US07443732B2

公开(公告)日：2008-10-28

申请号：US11229527

申请日：2005-09-20

申请人： Tiao-Hua Kuo ,  Nancy Leong ,  Nian Yang ,  Guowei Wang ,  Aaron Lee ,  Sachit Chandra ,  Michael A. VanBuskirk ,  Johnny Chen ,  Darlene Hamilton ,  Binh Quang Le

发明人： Tiao-Hua Kuo ,  Nancy Leong ,  Nian Yang ,  Guowei Wang ,  Aaron Lee ,  Sachit Chandra ,  Michael A. VanBuskirk ,  Johnny Chen ,  Darlene Hamilton ,  Binh Quang Le

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C5/147 ,  G11C16/12

摘要： A method is provided for programming a nonvolatile memory array including an array of memory cells, where each memory cell including a substrate, a control gate, a charge storage element, a source region and a drain region. The method includes receiving a programming window containing a predetermined number of bits that are to be programmed in the array and determining which of the predetermined number of bits are to be programmed in the memory array. The predetermined number of bits are simultaneously programmed to corresponding memory cells in the array. A programming state of the predetermined number of bits in the array is simultaneously verified.

摘要翻译： 提供了一种用于对包括存储器单元阵列的非易失性存储器阵列进行编程的方法，其中每个存储单元包括衬底，控制栅极，电荷存储元件，源极区域和漏极区域。 该方法包括接收包含要在阵列中被编程的预定数量的位的编程窗口，并且确定在存储器阵列中哪个预定位数被编程。 预定数量的位同时被编程到阵列中的对应存储器单元。 同时验证阵列中预定位数的编程状态。

公开(公告)号：US20070064464A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US11229527

申请日：2005-09-20

申请人： Tiao-Hua Kuo ,  Nancy Leong ,  Nian Yang ,  Guowei Wang ,  Aaron Lee ,  Sachit Chandra ,  Michael VanBuskirk ,  Johnny Chen ,  Darlene Hamilton ,  Binh Le

发明人： Tiao-Hua Kuo ,  Nancy Leong ,  Nian Yang ,  Guowei Wang ,  Aaron Lee ,  Sachit Chandra ,  Michael VanBuskirk ,  Johnny Chen ,  Darlene Hamilton ,  Binh Le

IPC分类号： G11C17/00

CPC分类号： G11C5/147 ,  G11C16/12

摘要： A method is provided for programming a nonvolatile memory array including an array of memory cells, where each memory cell including a substrate, a control gate, a charge storage element, a source region and a drain region. The method includes receiving a programming window containing a predetermined number of bits that are to be programmed in the array and determining which of the predetermined number of bits are to be programmed in the memory array. The predetermined number of bits are simultaneously programmed to corresponding memory cells in the array. A programming state of the predetermined number of bits in the array is simultaneously verified.

摘要翻译： 提供了一种用于对包括存储器单元阵列的非易失性存储器阵列进行编程的方法，其中每个存储单元包括衬底，控制栅极，电荷存储元件，源极区域和漏极区域。 该方法包括接收包含要在阵列中被编程的预定数量的位的编程窗口，并且确定在存储器阵列中哪个预定位数被编程。 预定数量的位同时被编程到阵列中的对应存储器单元。 同时验证阵列中预定位数的编程状态。

公开(公告)号：US07196938B1

公开(公告)日：2007-03-27

申请号：US11229530

申请日：2005-09-20

申请人： Yonggang Wu ,  Guowei Wang ,  Nian Yang ,  Aaron Lee

发明人： Yonggang Wu ,  Guowei Wang ,  Nian Yang ,  Aaron Lee

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/12

摘要： A non-volatile memory cell array, such as a Flash NOR array, is programmed by applying voltages to bit lines that connect to memory cells in the memory cell array. A first bit line corresponding to a first memory cell in the memory array may be turned on to perform a first programming operation for the first memory cell and second bit line corresponding to a second memory cell in the memory array may be turned on to perform a second programming operation that is configured to complete after the first programming operation. The turning on/off of the first and second bit lines may be overlapped to share charge between the first and second bit lines. This overlapping can reduce wasted power and decrease programming pulse overshoot problems.

摘要翻译： 诸如闪存NOR阵列的非易失性存储单元阵列通过将电压施加到连接到存储单元阵列中的存储单元的位线来编程。 对应于存储器阵列中的第一存储器单元的第一位线可以被接通以对第一存储器单元执行第一编程操作，并且可以打开与存储器阵列中的第二存储器单元相对应的第二位线来执行 第二编程操作被配置为在第一编程操作之后完成。 第一和第二位线的导通/截止可以重叠以在第一和第二位线之间共享电荷。 这种重叠可以减少浪费的功率并减少编程脉冲过冲问题。

公开(公告)号：US07352626B1

公开(公告)日：2008-04-01

申请号：US11212614

申请日：2005-08-29

申请人： Yonggang Wu ,  Guowei Wang ,  Nian Yang ,  Aaron Lee

发明人： Yonggang Wu ,  Guowei Wang ,  Nian Yang ,  Aaron Lee

IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C5/14

摘要： A voltage regulator may include an operational-amplifier section, a capacitor connected to an output of the operational-amplifier section, and a switch configured to connect the capacitor to a voltage supply. The switch is configured to charge the capacitor before activating the operational-amplifier section. The capacitor is configured to store charge to supplement current being supplied from the operational-amplifier section. The voltage regulator may be used to supply power to non-volatile memory cells.

摘要翻译： 电压调节器可以包括运算放大器部分，连接到运算放大器部分的输出的电容器和被配置为将电容器连接到电压源的开关。 开关被配置为在激活运算放大器部分之前对电容器充电。 电容器被配置为存储电荷以补充从运算放大器部分提供的电流。 电压调节器可以用于向非易失性存储单元供电。

公开(公告)号：US07453724B2

公开(公告)日：2008-11-18

申请号：US11931992

申请日：2007-10-31

申请人： Aaron Lee ,  Hounien Chen ,  Sachit Chandra ,  Nancy Leong ,  Guowei Wang

发明人： Aaron Lee ,  Hounien Chen ,  Sachit Chandra ,  Nancy Leong ,  Guowei Wang

IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C16/06

CPC分类号： G11C16/0475 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459

摘要： A method is provided for programming a nonvolatile memory device including an array of memory cells, where each memory cell including a substrate, a control gate, a charge storage element, a source region and a drain region. The method includes receiving a programming window that identifies a plurality of memory cells in the array. A first group of memory cells to be programmed is identified from the plurality of memory cells in the programming window. The first group of memory cells is programmed and a programming state of the first group of memory cells is verified.

摘要翻译： 提供了一种用于对包括存储器单元阵列的非易失性存储器件进行编程的方法，其中每个存储器单元包括衬底，控制栅极，电荷存储元件，源极区域和漏极区域。 该方法包括接收标识阵列中的多个存储单元的编程窗口。 在编程窗口中从多个存储器单元识别要编程的第一组存储器单元。 第一组存储器单元被编程，并且验证第一组存储器单元的编程状态。

公开(公告)号：US07307878B1

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：US11212850

申请日：2005-08-29

申请人： Aaron Lee ,  Hounien Chen ,  Sachit Chandra ,  Nancy Leong ,  Guowei Wang

发明人： Aaron Lee ,  Hounien Chen ,  Sachit Chandra ,  Nancy Leong ,  Guowei Wang

IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C16/06

CPC分类号： G11C16/0475 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459

摘要： A method is provided for programming a nonvolatile memory device including an array of memory cells, where each memory cell including a substrate, a control gate, a charge storage element, a source region and a drain region. The method includes receiving a programming window that identifies a plurality of memory cells in the array. A first group of memory cells to be programmed is identified from the plurality of memory cells in the programming window. The first group of memory cells is programmed and a programming state of the first group of memory cells is verified.

摘要翻译： 提供了一种用于对包括存储器单元阵列的非易失性存储器件进行编程的方法，其中每个存储器单元包括衬底，控制栅极，电荷存储元件，源极区域和漏极区域。 该方法包括接收标识阵列中的多个存储单元的编程窗口。 在编程窗口中从多个存储器单元识别要编程的第一组存储器单元。 第一组存储器单元被编程，并且验证第一组存储器单元的编程状态。

公开(公告)号：US07626882B2

公开(公告)日：2009-12-01

申请号：US11613383

申请日：2006-12-20

申请人： Nian Yang ,  Yonggang Wu ,  Aaron Lee ,  Wei Daisy Cai

发明人： Nian Yang ,  Yonggang Wu ,  Aaron Lee ,  Wei Daisy Cai

IPC分类号： G11C5/14

CPC分类号： G11C16/12

摘要： A semiconductor memory device (104) selectably connectable to an external high voltage power supply (122) is provided. The semiconductor memory device (104) includes a switch (314), a detector (316) and a timing device (318). The switch (314) is connected to external voltage supply signals and selectably couples the external voltage supply signals to memory cells (305) of the semiconductor memory device (104) for memory operations thereof. The external voltage supply signals including a high voltage signal (412) provided from the external high voltage power supply (122) and an operational voltage signal Vcc (402). The detector (316) is connected to the external voltage supply signals for generating a timer activation signal (404) in response to detecting an operational voltage power-on period. The timing device (318) signals the switch (314) to decouple the high voltage signal (412) and the operational voltage signal (402) from the memory cells (305) in response to the timer activation signal (404) and to recouple the high voltage signal (412) and the operational voltage signal (402) to the memory cells (305) a time delay interval thereafter. The time delay interval is determined in response to the high voltage signal (412).

摘要翻译： 提供可选择地连接到外部高压电源（122）的半导体存储器件（104）。 半导体存储器件（104）包括开关（314），检测器（316）和定时装置（318）。 开关（314）连接到外部电压源信号，并且可选择地将外部电压供应信号耦合到半导体存储器件（104）的存储单元（305），用于存储器操作。 包括从外部高压电源（122）提供的高电压信号（412）的外部电压供给信号和操作电压信号Vcc（402）。 检测器（316）连接到外部电压源信号，以响应于检测到工作电压通电周期而产生定时器激活信号（404）。 定时装置（318）响应于定时器启动信号（404），向开关314通知高压信号412和操作电压信号402与存储单元305的耦合， 高电压信号（412）和操作电压信号（402）到其后的时间延迟区间。 响应于高电压信号确定时间延迟间隔（412）。

公开(公告)号：US20080151639A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11613383

申请日：2006-12-20

申请人： Nian Yang ,  Yonggang Wu ,  Aaron Lee ,  Wei Daisy Cai

发明人： Nian Yang ,  Yonggang Wu ,  Aaron Lee ,  Wei Daisy Cai

IPC分类号： G11C16/32

CPC分类号： G11C16/12

摘要： A semiconductor memory device (104) selectably connectable to an external high voltage power supply (122) is provided. The semiconductor memory device (104) includes a switch (314), a detector (316) and a timing device (318). The switch (314) is connected to external voltage supply signals and selectably couples the external voltage supply signals to memory cells (305) of the semiconductor memory device (104) for memory operations thereof. The external voltage supply signals including a high voltage signal (412) provided from the external high voltage power supply (122) and an operational voltage signal Vcc (402). The detector (316) is connected to the external voltage supply signals for generating a timer activation signal (404) in response to detecting an operational voltage power-on period. The timing device (318) signals the switch (314) to decouple the high voltage signal (412) and the operational voltage signal (402) from the memory cells (305) in response to the timer activation signal (404) and to recouple the high voltage signal (412) and the operational voltage signal (402) to the memory cells (305) a time delay interval thereafter. The time delay interval is determined in response to the high voltage signal (412).

摘要翻译： 提供可选择地连接到外部高压电源（122）的半导体存储器件（104）。 半导体存储器件（104）包括开关（314），检测器（316）和定时装置（318）。 开关（314）连接到外部电压源信号，并且可选择地将外部电压供应信号耦合到半导体存储器件（104）的存储单元（305），用于存储器操作。 包括从外部高压电源（122）提供的高电压信号（412）的外部电压供给信号和操作电压信号Vcc（402）。 检测器（316）连接到外部电压源信号，以响应于检测到工作电压通电周期而产生定时器激活信号（404）。 定时装置（318）响应于定时器启动信号（404），向开关314通知高压信号412和操作电压信号402与存储单元305的耦合， 高电压信号（412）和操作电压信号（402）到其后的时间延迟区间。 响应于高电压信号确定时间延迟间隔（412）。