公开(公告)号：US20060240748A1

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：US10545370

申请日：2004-02-10

申请人： Yoshiharu Ohta ,  Yasuyuki Itai ,  Keiji Fukuda

发明人： Yoshiharu Ohta ,  Yasuyuki Itai ,  Keiji Fukuda

IPC分类号： B24B7/30 ,  B24B1/00 ,  B24B7/19

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02

摘要： A process for producing a polishing composition excelling in dispersion stability wherein the amount of agglomerated particles is reduced. In step 1-1 thereof, ultrapure water is adjusted so as to have a pH value of 1.0 to 2.7. Under shearing force given by a high shear disperser, fumed silica powder of 50 to 200 m2/g specific surface area is charged therein until an initial silica concentration of 46 to 54 wt %, and the high shear disperser is operated so as to apply shearing force for 1 to 5 hours. In step 1-2, a small amount of ultrapure water is added to the silica dispersion so as to realize a silica concentration of 45 to 53 wt % and shearing force is applied for 10 to 40 minutes. In step 1-3, ultrapure water is added to the silica dispersion so as to realize a silica concentration of 33 to 44 wt % and shearing force is applied for 0.5 to 4 hours. In step 2-1, the silica dispersion is added to an aqueous basic substance solution prepared so that a pH value after mixing is in a range of 8 to 12 and so that silica concentration is in a range of 10 to 30 wt %.

摘要翻译： 一种抛光组合物的制备方法，其中分散稳定性优异，其中附聚颗粒的量减少。 在步骤1-1中，调节超纯水使其pH值为1.0〜2.7。 在高剪切分散机给出的剪切力下，加入比表面积为50〜200m 2 / g的热解二氧化硅粉末，直到初始二氧化硅浓度为46〜54wt％，高剪切力 操作分散器以施加剪切力1〜5小时。 在步骤1-2中，向二氧化硅分散体中加入少量超纯水，以达到45〜53重量％的二氧化硅浓度，并施加剪切力10〜40分钟。 在步骤1-3中，向二氧化硅分散体中加入超纯水，实现二氧化硅浓度为33〜44重量％，剪切力为0.5〜4小时。 在步骤2-1中，将二氧化硅分散体加入到制备的碱性水溶液中，使得混合后的pH值在8〜12的范围内，使得二氧化硅浓度在10〜30重量％的范围内。

公开(公告)号：US20080263965A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US10594635

申请日：2005-03-28

申请人： Yoshiharu Ohta ,  Yasuyuki Itai

发明人： Yoshiharu Ohta ,  Yasuyuki Itai

IPC分类号： C09K3/14

CPC分类号： H01L21/02024 ,  C09G1/02

摘要： A semiconductor polishing composition is disclosed. The semiconductor polishing composition includes fumed silica. The semiconductor polishing composition is an aqueous dispersion solution of fumed silica. Further, an increase rate of average particle diameter of fumed silica after a shake test for 10 days is 10% or less.

摘要翻译： 公开了一种半导体抛光组合物。 半导体抛光组合物包括热解法二氧化硅。 半导体抛光组合物是热解法二氧化硅的水性分散液。 此外，振动试验10天后的热解法二氧化硅的平均粒径的增加率为10％以下。

公开(公告)号：US07611552B2

公开(公告)日：2009-11-03

申请号：US10594480

申请日：2005-03-28

申请人： Yoshiharu Ohta ,  Yasuyuki Itai

发明人： Yoshiharu Ohta ,  Yasuyuki Itai

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/14

CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02

摘要： A semiconductor polishing composition is disclosed. The composition includes fumed silica. The semiconductor polishing composition is an aqueous dispersion solution of fumed silica. Further, the number of particles of fumed silica having a particle diameter of 0.5 μm or more is 600,000 pieces/ml or less and the number of particles of fumed silica having a particle diameter of 1 μm or more is 6000 pieces/ml or less.

摘要翻译： 公开了一种半导体抛光组合物。 组合物包括热解法二氧化硅。 半导体抛光组合物是热解法二氧化硅的水性分散液。 此外，粒径为0.5μm以上的热解法二氧化硅的粒子数为600,000个/ ml以下，粒径为1μm以上的热解法二氧化硅的粒子数为6000个/ ml以下。

公开(公告)号：US20070209288A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：US10594636

申请日：2005-03-28

申请人： Yoshiharu Ohta ,  Yasuyuki Itai

发明人： Yoshiharu Ohta ,  Yasuyuki Itai

IPC分类号： B24D3/02 ,  C01B33/12

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

摘要： A semiconductor polishing composition is disclosed. The composition includes fumed silica, the semiconductor polishing composition being an aqueous dispersion solution of fumed silica. A content of the fumed silica includes a particle diameter of 100 nm or less is 15% by volume or more based on a total amount of the fumed silica.

摘要翻译： 公开了一种半导体抛光组合物。 该组合物包括热解法二氧化硅，半导体抛光组合物是热解二氧化硅的水性分散液。 热解法二氧化硅的含量相对于热解二氧化硅的总量，其粒径为100nm以下为15体积％以上。

公开(公告)号：US20070266640A1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：US10594480

申请日：2005-03-28

申请人： Yoshiharu Ohta ,  Yasuyuki Itai

发明人： Yoshiharu Ohta ,  Yasuyuki Itai

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02

摘要： A semiconductor polishing composition is disclosed. The composition includes fumed silica. The semiconductor polishing composition is an aqueous dispersion solution of fumed silica. Further, the number of particles of fumed silica having a particle diameter of 0.5 μm or more is 600,000 pieces/ml or less and the number of particles of fumed silica having a particle diameter of 1 μm or more is 6000 pieces/ml or less.

摘要翻译： 公开了一种半导体抛光组合物。 组合物包括热解法二氧化硅。 半导体抛光组合物是热解法二氧化硅的水性分散液。 此外，粒径为0.5μm以上的热解法二氧化硅的粒子数为600,000个/ ml以下，粒径为1μm以上的热解法二氧化硅的粒子数为6000个/ ml以下。

公开(公告)号：US20070224101A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：US10594475

申请日：2005-03-28

申请人： Yoshiharu Ohta ,  Yasuyuki Itai

发明人： Yoshiharu Ohta ,  Yasuyuki Itai

IPC分类号： H01L21/304 ,  C01B33/12

CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： A semiconductor polishing composition is provided that can, in at least one embodiment, efficiently polish a semiconductor device with high accuracy while preventing fumed silica from being agglomerated and without causing a polishing flaw in the semiconductor device. Fumed silica, of which a bulk density of powder before dispersed is 50 g/L or more and less than 100 g/L, is used as abrasive grains. This makes it possible to enhance a dispersion state of the fumed silica, and to realize reduction in transportation cost.

摘要翻译： 提供一种半导体抛光组合物，其在至少一个实施方案中可以高精度地有效地抛光半导体器件，同时防止热解二氧化硅聚集并且不会在半导体器件中引起抛光缺陷。 作为磨粒使用其分散前的粉末的体积密度为50g / L以上且小于100g / L的气相二氧化硅。 这使得可以提高热解法二氧化硅的分散状态，并且实现运输成本的降低。

公开(公告)号：US20100090159A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12654020

申请日：2009-12-08

申请人： Yoshiharu Ohta ,  Yasuyuki Itai

发明人： Yoshiharu Ohta ,  Yasuyuki Itai

IPC分类号： C09K13/02

CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： A semiconductor polishing composition is provided that can, in at least one embodiment, efficiently polish a semiconductor device with high accuracy while preventing fumed silica from being agglomerated and without causing a polishing flaw in the semiconductor device. Fumed silica, of which a bulk density of powder before dispersed is 50 g/L or more and less than 100 g/L, is used as abrasive grains. This makes it possible to enhance a dispersion state of the fumed silica, and to realize reduction in transportation cost.

摘要翻译： 提供一种半导体抛光组合物，其在至少一个实施方案中可以高精度地有效地抛光半导体器件，同时防止热解二氧化硅聚集并且不会在半导体器件中引起抛光缺陷。 作为磨粒使用其分散前的粉末的体积密度为50g / L以上且小于100g / L的气相二氧化硅。 这使得可以提高热解法二氧化硅的分散状态，并且实现运输成本的降低。

公开(公告)号：US4152055A

公开(公告)日：1979-05-01

申请号：US798416

申请日：1977-05-19

申请人： Yoshiharu Ohta ,  Shinji Tominaga

发明人： Yoshiharu Ohta ,  Shinji Tominaga

IPC分类号： G03B7/16 ,  G03B15/05 ,  G03B17/20 ,  G03B7/08

CPC分类号： G03B15/05 ,  G03B2215/05

摘要： A device for visually indicating the camera incident light conditions and the readiness of an associated photoflash network on a single element includes an incandescent indicating lamp connected through parallel transistors to a current source. One transistor is controlled in response to the light incident on a photoconductor to apply a steady current to the lamp when the photoconductor incident light is below a predetermined level. The other transistor is controlled by a relax action oscillator including the photoflash triggering capacitor to apply an intermittent current at a visually perceptable frequency to the lamp when the charge on the photoflash main capacitor is at least at a predetermined value. The lamp is advantageously located as to be visible through the camera view finder.

摘要翻译： 用于在单个元件上可视地指示相机入射光条件和相关联的闪光灯网络的准备的装置包括通过并联晶体管连接到电流源的白炽指示灯。 响应于入射到光电导体上的光来控制一个晶体管，以在光电导入射光低于预定水平时向灯施加稳定的电流。 另一个晶体管由包括闪光闪光触发电容器的松弛动作振荡器控制，当闪光主电容器上的电荷至少为预定值时，将视觉上可感知的频率的间歇电流施加到灯。 该灯有利地位于通过照相机取景器可见。

公开(公告)号：US08062548B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US11794626

申请日：2006-01-05

申请人： Yoshiharu Ohta ,  Rika Tanaka ,  Hiroshi Nitta ,  Yoshitaka Morioka

发明人： Yoshiharu Ohta ,  Rika Tanaka ,  Hiroshi Nitta ,  Yoshitaka Morioka

IPC分类号： C09K13/00

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C23F3/06 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： An object of one embodiment of the present invention is to provide a polishing slurry which can reduce dishing and erosion of a to-be-polished semiconductor wafer. The polishing slurry contains an oxidizing agent and two or more kinds of abrasive grains for polishing, i.e., fumed silica and colloidal silica. A ratio (selectivity ratio) between a polishing rate of a metal film such as a tungsten film and a polishing rate of an insulating film (oxide film) such as a SiO2 film can be adjusted by changing a mixing ratio between fumed silica and colloidal silica, and dishing and erosion of the semiconductor wafer can be thus reduced.

摘要翻译： 本发明的一个实施方案的目的是提供一种能够减少被抛光的半导体晶片的凹陷和侵蚀的抛光浆料。 抛光浆料含有氧化剂和两种或更多种用于抛光的磨料颗粒，即煅制二氧化硅和胶体二氧化硅。 可以通过改变煅制二氧化硅和胶态二氧化硅之间的混合比来调节诸如钨膜的金属膜的研磨速率与诸如SiO 2膜的绝缘膜（氧化物膜）的研磨速率之间的比率（选择比） ，因此可以减少半导体晶片的凹陷和侵蚀。

公开(公告)号：US4199242A

公开(公告)日：1980-04-22

申请号：US945789

申请日：1978-09-25

申请人： Hiroshi Hosomizu ,  Yoshiharu Ohta

发明人： Hiroshi Hosomizu ,  Yoshiharu Ohta

IPC分类号： G03B15/05 ,  G03B17/24 ,  G03B15/03

CPC分类号： G03B15/05 ,  G03B2215/05

摘要： In a system where a single power source battery is commonly used for the oscillation circuit of an electronic flash device and for another circuit, such as a control circuit for energizing a light source for a data recording for a given period of time, the operation of the oscillation circuit is interrupted by a semiconductor switching device in response to a firing of the flash tube of the flash device. The oscillation circuit interruption continues for a predetermined period during which the aforesaid another circuit is operated from the battery. To this end, the semiconductor switch may be controlled by a delay circuit.

摘要翻译： 在电子闪光装置的振荡电路中通常使用单个电源电池的系统和用于在给定时间段内为数据记录提供光源的控制电路的另一电路的操作， 响应于闪光装置的闪光管的点火，振荡电路被半导体开关装置中断。 振荡电路中断持续一段预定时间段，在此期间，上述另一电路从电池操作。 为此，半导体开关可以由延迟电路控制。