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    POSITIVE RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS
    3.
    发明申请
    POSITIVE RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS 有权
    积极的组合物和绘图过程

    公开(公告)号：US20090186296A1

    公开(公告)日：2009-07-23

    申请号：US12355072

    申请日：2009-01-16

    申请人： Youichi OHSAWA ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe

    发明人： Youichi OHSAWA ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/122

    摘要： A positive resist composition comprises (A) a resin component which becomes soluble in an alkaline developer under the action of an acid and (B) an acid generator. The resin (A) is a polymer comprising specific recurring units, represented by formula (1). The acid generator (B) is a specific sulfonium salt compound. When processed by lithography, the composition is improved in resolution and forms a pattern with a satisfactory mask fidelity and a minimal LER. Herein R1 is H or methyl, m is 1 or 2, and n is 1 or 2.

    摘要翻译： 正型抗蚀剂组合物包含（A）在酸的作用下变得可溶于碱性显影剂的树脂组分和（B）酸产生剂。 树脂（A）是包含由式（1）表示的特定重复单元的聚合物。 酸产生剂（B）是特定的锍盐化合物。 当通过光刻处理时，组合物的分辨率提高，并形成具有令人满意的掩模保真度和最小LER的图案。 其中R1为H或甲基，m为1或2，n为1或2。

    NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    5.
    发明申请
    NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS 有权
    新型光电发生器，电阻组合和图案处理

    公开(公告)号：US20090061358A1

    公开(公告)日：2009-03-05

    申请号：US12204685

    申请日：2008-09-04

    申请人： Masaki OHASHI ,  Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho

    发明人： Masaki OHASHI ,  Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  C07J5/00 ,  C07J43/00

    CPC分类号： C07J31/006 ,  C07J41/0055 ,  C07J43/003 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/114

    摘要： Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) or (1c) upon exposure to high-energy radiation. R1—COOCH(CF3)CF2SO3+H+  (1a) R1—O—COOCH(CF3)CF2SO3−H+  (1c) R1 is a C20-C50 hydrocarbon group having a steroid structure. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

    摘要翻译： 光生酸发生剂在暴露于高能量辐射时产生式（1a）或（1c）的磺酸。 <？in-line-formula description =“In-line formula”end =“lead”？> R1-COOCH（CF3）CF2SO3 + H +（1a）<？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“tail”？> <？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“lead”？> R1-O-COOCH（CF3）CF2SO3-H +（1c） =“内联式”末端=“尾”→R1是具有类固醇结构的C20-C50烃基。 光致酸产生剂与树脂相容并且可以控制酸扩散，因此适用于化学增幅抗蚀剂组合物。

    Positive resist compositions and patterning process
    8.
    发明授权
    Positive resist compositions and patterning process 有权
    正极抗蚀剂组成和图案化工艺

    公开(公告)号：US08021822B2

    公开(公告)日：2011-09-20

    申请号：US12355072

    申请日：2009-01-16

    申请人： Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe

    发明人： Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30

    CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/122

    摘要： A positive resist composition comprises (A) a resin component which becomes soluble in an alkaline developer under the action of an acid and (B) an acid generator. The resin (A) is a polymer comprising specific recurring units, represented by formula (1). The acid generator (B) is a specific sulfonium salt compound. When processed by lithography, the composition is improved in resolution and forms a pattern with a satisfactory mask fidelity and a minimal LER. Herein R1 is H or methyl, m is 1 or 2, and n is 1 or 2.

    摘要翻译： 正型抗蚀剂组合物包含（A）在酸的作用下变得可溶于碱性显影剂的树脂组分和（B）酸产生剂。 树脂（A）是包含由式（1）表示的特定重复单元的聚合物。 酸产生剂（B）是特定的锍盐化合物。 当通过光刻处理时，组合物的分辨率提高，并形成具有令人满意的掩模保真度和最小LER的图案。 其中R1为H或甲基，m为1或2，n为1或2。