公开(公告)号：US08017929B2

公开(公告)日：2011-09-13

申请号：US12285449

申请日：2008-10-06

申请人： Youn-seon Kang ,  Daniel Wamwangi ,  Matthias Wuttig ,  Ki-joon Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Cheol-kyu Kim ,  Dong-seok Suh ,  Tae-yon Lee

发明人： Youn-seon Kang ,  Daniel Wamwangi ,  Matthias Wuttig ,  Ki-joon Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Cheol-kyu Kim ,  Dong-seok Suh ,  Tae-yon Lee

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625

摘要： A phase change material layer includes antimony (Sb) and at least one of indium (In) and gallium (Ga). A phase change memory device includes a storage node including a phase change material layer and a switching device connected to the storage node. The phase change material layer includes Sb and at least one of In and Ga.

摘要翻译： 相变材料层包括锑（Sb）和铟（In）和镓（Ga）中的至少一种。 相变存储器件包括：存储节点，包括相变材料层和连接到存储节点的开关器件。 相变材料层包括Sb和In和Ga中的至少一种。

公开(公告)号：US20090179185A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：US12285449

申请日：2008-10-06

申请人： Youn-seon Kang ,  Daniel Wamwangi ,  Matthias Wuttig ,  Ki-joon Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Cheol-kyu Kim ,  Dong-seok Suh ,  Tae-yon Lee

发明人： Youn-seon Kang ,  Daniel Wamwangi ,  Matthias Wuttig ,  Ki-joon Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Cheol-kyu Kim ,  Dong-seok Suh ,  Tae-yon Lee

IPC分类号： H01L47/00 ,  C09K5/00

CPC分类号： H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625

摘要： A phase change material layer includes antimony (Sb) and at least one of indium (In) and gallium (Ga). A phase change memory device includes a storage node including a phase change material layer and a switching device connected to the storage node. The phase change material layer includes Sb and at least one of In and Ga.

摘要翻译： 相变材料层包括锑（Sb）和铟（In）和镓（Ga）中的至少一种。 相变存储器件包括：存储节点，包括相变材料层和连接到存储节点的开关器件。 相变材料层包括Sb和In和Ga中的至少一种。

公开(公告)号：US20080149908A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11980431

申请日：2007-10-31

申请人： Yoon-ho Khang ,  Daniel Wamwangi ,  Matthias Wuttig ,  Ki-joon Kim ,  Dong-seok Suh

发明人： Yoon-ho Khang ,  Daniel Wamwangi ,  Matthias Wuttig ,  Ki-joon Kim ,  Dong-seok Suh

IPC分类号： H01L45/00 ,  C01B19/00

CPC分类号： C01B19/007 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/33 ,  C01P2006/34 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141

摘要： Provided are a doped phase change material and a phase change memory device including the phase change material. The phase change material, which may be doped with Se, has a higher crystallization temperature than a Ge2Sb2Te5 (GST) material. The phase change material may be InXSbYTeZSe100−(X+Y+Z). The index X of indium (In) is in the range of 25 wt %≦X≦60 wt %. The index Y of antimony (Sb) is in the range of 1 wt %≦Y≦17 wt %. The index Z of tellurium (Te) is in the range of 0 wt %

摘要翻译： 提供了掺杂相变材料和包括相变材料的相变存储器件。 可以掺杂有Se的相变材料具有比Ge 2 Sb 2 Sb 5（GST）材料更高的结晶温度 。 相变材料可以是在<！ - SIPO - >中，Z 100，（X + Y + Z） 。 铟（In）的指数X在25重量％<= X <= 60重量％的范围内。 锑（Sb）的指数Y在1重量％<= Y <17重量％的范围内。 碲（Te）的指数Z在0重量％

公开(公告)号：US07763886B2

公开(公告)日：2010-07-27

申请号：US11980431

申请日：2007-10-31

申请人： Yoon-ho Khang ,  Daniel Wamwangi ,  Matthias Wuttig ,  Ki-joon Kim ,  Dong-seok Suh

发明人： Yoon-ho Khang ,  Daniel Wamwangi ,  Matthias Wuttig ,  Ki-joon Kim ,  Dong-seok Suh

IPC分类号： H01L45/00 ,  C01B19/00

CPC分类号： C01B19/007 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/33 ,  C01P2006/34 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141

摘要： Provided are a doped phase change material and a phase change memory device including the phase change material. The phase change material, which may be doped with Se, has a higher crystallization temperature than a Ge2Sb2Te5 (GST) material. The phase change material may be InXSbYTeZSe100−(X+Y+Z). The index X of indium (In) is in the range of 25 wt %≦X≦60 wt %. The index Y of antimony (Sb) is in the range of 1 wt %≦Y≦17 wt %. The index Z of tellurium (Te) is in the range of 0 wt %

摘要翻译： 提供了掺杂相变材料和包括相变材料的相变存储器件。 可以掺杂Se的相变材料具有比Ge2Sb2Te5（GST）材料更高的结晶温度。 相变材料可以是InXSbYTeZSe100-（X + Y + Z）。 铟（In）的指数X在25重量％＆lt; lE; X＆lt; lE; 60重量％的范围内。 锑（Sb）的指数Y在1重量％＆lt; 1E; Y＆lt; 1; 17重量％的范围内。 碲（Te）的指数Z在0重量％

公开(公告)号：US07994492B2

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：US12232661

申请日：2008-09-22

申请人： Youn-seon Kang ,  Ki-joon Kim ,  Cheol-kyu Kim ,  Tae-yon Lee

发明人： Youn-seon Kang ,  Ki-joon Kim ,  Cheol-kyu Kim ,  Tae-yon Lee

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625

摘要： Disclosed may be a phase change material alloy, a phase change memory device including the same, and methods of manufacturing and operating the phase change memory device. The phase change material alloy may include Si and Sb. The alloy may be a Si—O—Sb alloy further including O. The Si—O—Sb alloy may be SixOySbz, wherein, when x/(x+z) may be x1, 0.05≦x1≦0.30, 0.00≦y≦0.50, and x+y+z may be 1. The Si—O—Sb alloy may further comprise an element other than Si, O, and Sb.

摘要翻译： 公开了相变材料合金，包括该相变材料合金的相变存储器，以及制造和操作相变存储器件的方法。 相变材料合金可以包括Si和Sb。 该合金可以是进一步包括O的Si-O-Sb合金.Si-O-Sb合金可以是SixOySbz，其中当x /（x + z）可以是x1,0.05＆nlE; x1＆nlE; 0.30,0.00＆ y和nl; 0.50和x + y + z可以为1.Si-O-Sb合金还可以包含除Si，O和Sb以外的元素。

公开(公告)号：US20090196089A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12232661

申请日：2008-09-22

申请人： Youn-seon Kang ,  Ki-joon Kim ,  Cheol-kyu Kim ,  Tae-yon Lee

发明人： Youn-seon Kang ,  Ki-joon Kim ,  Cheol-kyu Kim ,  Tae-yon Lee

IPC分类号： G11C11/00 ,  C01B33/113 ,  C01B21/068 ,  H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625

摘要： Disclosed may be a phase change material alloy, a phase change memory device including the same, and methods of manufacturing and operating the phase change memory device. The phase change material alloy may include Si and Sb. The alloy may be a Si—O—Sb alloy further including O. The Si—O—Sb alloy may be SixOySbz, wherein, when x/(x+z) may be x1, 0.05≦x1≦0.30, 0.00≦y≦0.50, and x+y+z may be 1. The Si—O—Sb alloy may further comprise an element other than Si, O, and Sb.

摘要翻译： 公开了相变材料合金，包括该相变材料合金的相变存储器，以及制造和操作相变存储器件的方法。 相变材料合金可以包括Si和Sb。 该合金可以是还包含O的Si-O-Sb合金.Si-O-Sb合金可以是SixOySbz，其中当x /（x + z）可以是x1时，0.05 <= x1 <= 0.30,0.00 < = y <= 0.50，x + y + z可以为1.Si-O-Sb合金还可以包含除Si，O和Sb以外的元素。

公开(公告)号：US07696507B2

公开(公告)日：2010-04-13

申请号：US11907844

申请日：2007-10-18

申请人： Yoon-ho Khang ,  Ki-joon Kim ,  Dong-seok Suh

发明人： Yoon-ho Khang ,  Ki-joon Kim ,  Dong-seok Suh

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1666

摘要： A storage node may include a bottom electrode contact layer, a phase change layer connected to the bottom electrode contact layer, and a top electrode layer connected to the phase change layer. The bottom electrode contact layer may protrude toward the phase change layer. A phase change memory device may include a switching device and the storage node. The switching device may be connected to the bottom electrode contact layer. A method of manufacturing the storage node may include forming a via hole in an insulating interlayer, at least partially filling the via hole to form a bottom electrode contact layer, protruding the bottom electrode contact layer from the via hole, and forming a phase change layer that covers the bottom electrode contact layer. A method of manufacturing a phase change memory device may include forming the switching device on a substrate and manufacturing the storage node.

摘要翻译： 存储节点可以包括底部电极接触层，连接到底部电极接触层的相变层和连接到相变层的顶部电极层。 底部电极接触层可以向相变层突出。 相变存储器件可以包括切换装置和存储节点。 开关器件可以连接到底部电极接触层。 制造存储节点的方法可以包括在绝缘中间层中形成通孔，至少部分地填充通孔以形成底电极接触层，从底孔电极接触层从通孔突出，并形成相变层 覆盖底部电极接触层。 相变存储器件的制造方法可以包括在基板上形成开关器件并制造存储节点。

公开(公告)号：US08116125B2

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：US12081451

申请日：2008-04-16

申请人： Cheol-kyu Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Ki-joon Kim

发明人： Cheol-kyu Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Ki-joon Kim

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C7/12 ,  G11C11/00 ,  G11C7/22 ,  G11C11/21

CPC分类号： G11C11/5678 ,  G11C13/0004

摘要： A method of operating a phase-change memory device, including a phase-change layer and a unit applying a voltage to the phase-change layer, which includes applying a reset voltage to the phase-change layer, wherein the reset voltage includes at least two pulse voltages which are continuously applied.

摘要翻译： 一种操作相变存储器件的方法，包括相变层和向相变层施加电压的单元，其包括向相变层施加复位电压，其中复位电压至少包括 连续施加的两个脉冲电压。

公开(公告)号：US20090141546A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US12081451

申请日：2008-04-16

申请人： Cheol-kyu Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Ki-joon Kim

发明人： Cheol-kyu Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Ki-joon Kim

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/5678 ,  G11C13/0004

摘要： A method of operating a phase-change memory device including a phase-change layer and a unit applying a voltage to the phase-change layer is provided. The method includes applying a reset voltage to the phase-change layer, wherein the reset voltage includes at least two pulse voltages which are continuously applied.

摘要翻译： 提供一种操作包括相变层和向相变层施加电压的单元的相变存储器件的方法。 该方法包括将复位电压施加到相变层，其中复位电压包括连续施加的至少两个脉冲电压。

公开(公告)号：US20120099371A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13343383

申请日：2012-01-04

申请人： Cheol-kyu KIM ,  Yoon-ho Khang ,  Ki-joon Kim

发明人： Cheol-kyu KIM ,  Yoon-ho Khang ,  Ki-joon Kim

IPC分类号： G11C11/21

CPC分类号： G11C11/5678 ,  G11C13/0004

摘要： A method of operating a phase-change memory device including a phase-change layer and a unit applying a voltage to the phase-change layer is provided. The method includes applying a reset voltage to the phase-change layer, wherein the reset voltage includes at least two pulse voltages which are continuously applied.

摘要翻译： 提供一种操作包括相变层和向相变层施加电压的单元的相变存储器件的方法。 该方法包括将复位电压施加到相变层，其中复位电压包括连续施加的至少两个脉冲电压。