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    Transistor having a metal nitride layer pattern, etchant and methods of forming the same
    6.
    发明授权
    Transistor having a metal nitride layer pattern, etchant and methods of forming the same 有权
    具有金属氮化物层图案的晶体管，蚀刻剂及其形成方法

    公开(公告)号：US08637942B2

    公开(公告)日：2014-01-28

    申请号：US12461992

    申请日：2009-08-31

    申请人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

    发明人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

    IPC分类号： H01L29/78

    CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/02 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

    摘要： A transistor having a metal nitride layer pattern, etchant and methods of forming the same is provided. A gate insulating layer and/or a metal nitride layer may be formed on a semiconductor substrate. A mask layer may be formed on the metal nitride layer. Using the mask layer as an etching mask, an etching process may be performed on the metal nitride layer, forming the metal nitride layer pattern. An etchant, which may have an oxidizing agent, a chelate agent and/or a pH adjusting mixture, may perform the etching. The methods may reduce etching damage to a gate insulating layer under the metal nitride layer pattern during the formation of a transistor.

    摘要翻译： 提供具有金属氮化物层图案的晶体管，蚀刻剂及其形成方法。 可以在半导体衬底上形成栅极绝缘层和/或金属氮化物层。 掩模层可以形成在金属氮化物层上。 使用掩模层作为蚀刻掩模，可以对金属氮化物层进行蚀刻处理，形成金属氮化物层图案。 可以具有氧化剂，螯合剂和/或pH调节混合物的蚀刻剂可以进行蚀刻。 在形成晶体管期间，这些方法可以减少金属氮化物层图案下的栅极绝缘层的蚀刻损伤。

    IMAGE SENSOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
    7.
    发明申请
    IMAGE SENSOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 有权
    图像传感器及其制作方法

    公开(公告)号：US20120077301A1

    公开(公告)日：2012-03-29

    申请号：US13239457

    申请日：2011-09-22

    申请人： Yu-Jin Ahn ,  Duck-Hyung Lee ,  Jong-Cheol Shin ,  Chang-Rok Moon ,  Sang-Jun Choi ,  Eun-Kyung Park

    发明人： Yu-Jin Ahn ,  Duck-Hyung Lee ,  Jong-Cheol Shin ,  Chang-Rok Moon ,  Sang-Jun Choi ,  Eun-Kyung Park

    IPC分类号： H01L31/18

    CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1463

    摘要： An image sensor and a method for fabricating the image sensor are provided. The method for fabricating the image sensor includes forming a first insulating layer on a semiconductor epitaxial layer having multiple pixel regions; patterning a portion of the semiconductor epitaxial layer and the first insulating layer in a boundary region between the pixel regions to form a trench; forming a buried insulating layer on the first insulating layer, filling the trench, the buried insulating layer having a planar top surface; forming a second insulating layer on the buried insulating layer; forming a first mask pattern on the second insulating layer, the first mask pattern defining an opening overlapping the trench; and performing an ion implantation process using the first mask pattern as an ion implantation mask to form a first type potential barrier region in a bottom of the trench.

    摘要翻译： 提供了一种用于制造图像传感器的图像传感器和方法。 制造图像传感器的方法包括在具有多个像素区域的半导体外延层上形成第一绝缘层; 在像素区域之间的边界区域中构图半导体外延层和第一绝缘层的一部分以形成沟槽; 在所述第一绝缘层上形成掩埋绝缘层，填充所述沟槽，所述掩埋绝缘层具有平坦的顶表面; 在所述掩埋绝缘层上形成第二绝缘层; 在所述第二绝缘层上形成第一掩模图案，所述第一掩模图案限定与所述沟槽重叠的开口; 以及使用所述第一掩模图案作为离子注入掩模进行离子注入处理，以在所述沟槽的底部形成第一类型的势垒区域。

    Photoresist composition with high etching resistance
    9.
    发明申请
    Photoresist composition with high etching resistance 审中-公开
    具有高抗蚀性的光刻胶组合物

    公开(公告)号：US20100239982A1

    公开(公告)日：2010-09-23

    申请号：US12801146

    申请日：2010-05-25

    申请人： Sang-Jun Choi ,  Youn-Jin Cho ,  Seung-Wook Shin ,  Hye-Won Kim

    发明人： Sang-Jun Choi ,  Youn-Jin Cho ,  Seung-Wook Shin ,  Hye-Won Kim

    IPC分类号： G03F7/004

    CPC分类号： G03F7/0397

    摘要： A resist composition includes a first polymer including a repeating unit having the following Chemical Formula 1 and a repeating unit having the following Chemical Formula 2, a second polymer including a repeating unit having the following Chemical Formula 3, a repeating unit having the following Chemical Formula 4, and a repeating unit having the following Chemical Formula 5, a photoacid generator, and a solvent.

    摘要翻译： 抗蚀剂组合物包括包含具有以下化学式1的重复单元和具有以下化学式2的重复单元的第一聚合物，包含具有以下化学式3的重复单元的第二聚合物，具有以下化学式的重复单元 4和具有以下化学式5的重复单元，光酸产生剂和溶剂。