公开(公告)号：US20090020140A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：US12135699

申请日：2008-06-09

申请人： Zhiwen WAN ,  Ashutosh Misra ,  Ziyun Wang

发明人： Zhiwen WAN ,  Ashutosh Misra ,  Ziyun Wang

IPC分类号： B08B3/10 ,  B08B3/08

CPC分类号： C11D11/0041 ,  C11D7/5018 ,  C23C16/4407

摘要： Methods and compositions for purging and cleaning a semiconductor fabrication system are disclosed herein. In general, the disclosed methods utilize solvents comprising hydrofluoroethers. Hydrofluoroethers are non-toxic and have low moisture content, preventing heat generation from organometallic precursor hydrolysis. In an embodiment, a method of cleaning a semiconductor fabrication system comprises dissolving at least one chemical precursor used in semiconductor fabrication in at least one delivery line with a solvent to clean the at least one delivery line. The solvent generally comprises a hydrofluoroether. The methods and compositions may be used in a variety of semiconductor film deposition processes.

摘要翻译： 本文公开了用于清洗和清洁半导体制造系统的方法和组合物。 通常，所公开的方法使用包含氢氟醚的溶剂。 氢氟醚无毒，水分含量低，防止有机金属前体水解产生热量。 在一个实施方案中，清洁半导体制造系统的方法包括将至少一种用于半导体制造的化学前体溶解在至少一个输送管线中的溶剂中以清洁至少一个输送管线。 溶剂通常包含氢氟醚。 该方法和组合物可用于各种半导体膜沉积工艺中。

公开(公告)号：US20100189898A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：US12691981

申请日：2010-01-22

申请人： Zhiwen WAN ,  Ashutosh Misra

发明人： Zhiwen WAN ,  Ashutosh Misra

IPC分类号： C23C16/18 ,  C07F17/00 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/18 ,  C07F17/00

摘要： Methods and compositions for the deposition of a metal containing film on a substrate. The film is deposited with a substantially adduct free precursor which is prepared by a process to remove the adduct from an adducted starting material.

摘要翻译： 用于在基材上沉积含金属膜的方法和组合物。 该膜沉积有基本上无加合物的前体，其通过从加合起始材料中除去加合物的方法制备。

公开(公告)号：US20190218233A1

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：US16331204

申请日：2017-04-10

申请人： Ziyun WANG ,  Zhiwen WAN ,  Jean-Marc GIRARD ,  L'Air Liquide, Société Anonyme pour I'Etude et I'Exploitation des Procédés Georges Claude

发明人： Ziyun WANG ,  Zhiwen WAN ,  Jean-Marc GIRARD

IPC分类号： C07F7/28 ,  C23C16/455 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40

CPC分类号： C07F7/28 ,  C07F7/00 ,  C07F17/00 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45553

摘要： Group 4 transition metal-containing film forming compositions comprising Group 4 transition metal azatrane precursors are disclosed. Also disclosed are methods of synthesizing and using the disclosed precursors to deposit Group 4 transition metal-containing films on one or more substrates via vapor deposition processes.

公开(公告)号：US20210087406A1

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：US16971869

申请日：2019-02-21

申请人： Antonio SANCHEZ ,  Gennadiy ITOV ,  Manish KHANDELWAL ,  Cole RITTER ,  Peng ZHANG ,  Jean-Marc GIRARD ,  Zhiwen WAN ,  Glenn KUCHENBEISER ,  David ORBAN ,  Sean KERRIGAN ,  Reno PESARESI ,  Matthew Damien STEPHENS ,  Yang WANG ,  Guillaume HUSSON ,  Grigory NIKIFOROV ,  L'Air Liquide, Société Anonyme pour I'Etude et I'Exploitation des Procédés Georges Claude ,  American Air Liquide, Inc.

发明人： Antonio SANCHEZ ,  Gennadiy ITOV ,  Manish KHANDELWAL ,  Cole RITTER ,  Peng ZHANG ,  Jean-Marc GIRARD ,  Zhiwen WAN ,  Glenn KUCHENBEISER ,  David ORBAN ,  Sean KERRIGAN ,  Reno PESARESI ,  Matthew Damien STEPHENS ,  Yang WANG ,  Guillaume HUSSON ,  Grigory NIKIFOROV

IPC分类号： C09D1/00 ,  C09D7/63 ,  C01B21/087 ,  C01B33/12 ,  C01B21/068 ,  C23C18/12 ,  B05D1/00 ,  B05D3/02

摘要： A Si-containing film forming composition comprising a catalyst and/or a polysilane and a N—H free, C-free, and Si-rich perhydropolysilazane having a molecular weight ranging from approximately 332 dalton to approximately 100,000 dalton and comprising N—H free repeating units having the formula [—N(SiH3)x(SiH2-)y], wherein x=0, 1, or 2 and y=0, 1, or 2 with x+y=2; and x=0, 1 or 2 and y=1, 2, or 3 with x+y=3. Also disclosed are synthesis methods and applications for using the same.