公开(公告)号：US08062422B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12371138

申请日：2009-02-13

申请人： Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Hua Chung ,  Christophe Marcadal ,  Seshadri Ganguli ,  Jenny Lin ,  Dien-Yeh Wu ,  Alan Ouye ,  Mei Chang

发明人： Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Hua Chung ,  Christophe Marcadal ,  Seshadri Ganguli ,  Jenny Lin ,  Dien-Yeh Wu ,  Alan Ouye ,  Mei Chang

IPC分类号： C30B25/02

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/4487 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： Embodiments described herein are directed to an apparatus for generating a precursor for a semiconductor processing system. In one embodiment, an apparatus for generating a precursor gas during a vapor deposition process is described. The apparatus includes a canister containing an interior volume between a lid and a bottom, a gaseous inlet and a gaseous outlet disposed on the lid, a plurality of silos coupled to the bottom and extending from a lower region to an upper region of the interior volume, and a tantalum precursor having a chlorine concentration of about 5 ppm or less contained within the lower region of the canister.

摘要翻译： 本文描述的实施例涉及用于产生半导体处理系统的前体的装置。 在一个实施例中，描述了在气相沉积工艺期间产生前体气体的装置。 该装置包括容纳盖和底部之间的内部容积的容器，设置在盖上的气体入口和气体出口，与底部相连并从内部容积的下部区域延伸到上部区域的多个筒仓 ，以及包含在罐的下部区域内的氯浓度为约5ppm以下的钽前体。

公开(公告)号：US07678194B2

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US11563830

申请日：2006-11-28

申请人： Seshadri Ganguli ,  Ling Chen ,  Vincent W. Ku

发明人： Seshadri Ganguli ,  Ling Chen ,  Vincent W. Ku

IPC分类号： C30B21/04

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/4487 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： A method and apparatus for generating gas for a processing system is provided. In one embodiment, an apparatus for generating gas for a processing system includes a canister having at least one baffle disposed between two ports and containing a precursor material. The precursor material is adapted to produce a gas vapor when heated to a defined temperature at a defined pressure. The baffle forces a carrier gas to travel an extended mean path between the inlet and outlet ports. In another embodiment, an apparatus for generating gas includes a canister having a tube that directs a carrier gas flowing into the canister away from a precursor material disposed within the canister.

摘要翻译： 提供了一种用于产生用于处理系统的气体的方法和装置。 在一个实施例中，一种用于产生用于处理系统的气体的装置包括：罐，其具有设置在两个端口之间的至少一个挡板并且容纳前体材料。 当在限定的压力下加热到限定的温度时，前体材料适于产生气体蒸气。 挡板迫使载气在入口和出口之间延伸平均路径。 在另一个实施例中，一种用于产生气体的装置包括一个罐，该罐具有一个管，其引导流入罐中的载气远离设置在罐内的前体材料。

公开(公告)号：US20070110898A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11613153

申请日：2006-12-19

申请人： Seshadri Ganguli ,  Ling Chen ,  Vincent Ku

发明人： Seshadri Ganguli ,  Ling Chen ,  Vincent Ku

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/4487 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： In one embodiment, an apparatus for generating a gaseous chemical precursor used in a vapor deposition processing system is provided which includes a canister comprising a sidewall, a top, and a bottom encompassing an interior volume therein, an inlet port and an outlet port in fluid communication with the interior volume, and an inlet tube extending from the inlet port into the canister. The apparatus further may contain a plurality of baffles within the interior volume extending between the top and the bottom of the canister, and a precursor slurry contained within the interior volume, wherein the precursor slurry contains a solid precursor material and a thermally conductive material that is unreactive towards the solid precursor material. In one example, the solid precursor material solid precursor material is pentakis(dimethylamino) tantalum.

摘要翻译： 在一个实施方案中，提供了一种用于产生气相沉积处理系统中使用的气态化学前体的装置，其包括一个罐，该罐包括侧壁，顶部和包围内部容积的底部，入口和出口在流体 与内部容积的连通，以及从入口延伸到罐中的入口管。 该装置还可以在内部容积内容纳多个挡板，其在罐的顶部和底部之间延伸，以及包含在内部容积内的前体浆料，其中前体浆料包含固体前体材料和导热材料， 对固体前体材料没有反应。 在一个实例中，固体前体材料固体前体材料是五（二甲基氨基）钽。

公开(公告)号：US06905541B2

公开(公告)日：2005-06-14

申请号：US10447255

申请日：2003-05-27

申请人： Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Hua Chung ,  Christophe Marcadal ,  Seshadri Ganguli ,  Jenny Lin ,  Dien-Yeh Wu ,  Alan Ouye ,  Mei Chang

发明人： Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Hua Chung ,  Christophe Marcadal ,  Seshadri Ganguli ,  Jenny Lin ,  Dien-Yeh Wu ,  Alan Ouye ,  Mei Chang

IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31 ,  C30B25/02

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/4487 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： A precursor and method for filling a feature in a substrate. The method generally includes depositing a barrier layer, the barrier layer being formed from pentakis(dimethylamido)tantalum having less than about 5 ppm of chlorine. The method additionally may include depositing a seed layer over the barrier layer and depositing a conductive layer over the seed layer. The precursor generally includes pentakis(dimethylamido)tantalum having less than about 5 ppm of chlorine. The precursor is generated in a canister having a surrounding heating element configured to reduce formation of impurities.

摘要翻译： 用于填充衬底中的特征的前体和方法。 该方法通常包括沉积阻挡层，阻挡层由具有小于约5ppm氯的五（二甲基氨基）钽形成。 该方法另外可以包括在阻挡层上沉积种子层并在种子层上沉积导电层。 前体通常包括具有小于约5ppm氯的五（二甲基氨基）钽。 在具有周围加热元件的罐中产生前体，该加热元件被配置为减少杂质的形成。

公开(公告)号：US20090011129A1

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：US12233464

申请日：2008-09-18

申请人： Seshadri Ganguli ,  Ling Chen ,  Vincent W. Ku

发明人： Seshadri Ganguli ,  Ling Chen ,  Vincent W. Ku

IPC分类号： C23C16/18 ,  B01D7/00 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/4487 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： Embodiments of the invention provide a method and an apparatus for generating a gaseous chemical precursor for a processing system. In one embodiment, an apparatus for generating the gaseous chemical precursor used in a vapor deposition processing system is provided and includes a canister having a sidewall, a top, and a bottom encompassing an interior volume therein, an inlet port and an outlet port in fluid communication with the interior volume, and an inlet tube extending from the inlet port into the canister, wherein the inlet tube contains an outlet positioned to direct a gas flow away from the outlet port and towards the sidewall of the canister.

摘要翻译： 本发明的实施方案提供了一种用于产生处理系统的气态化学前体的方法和装置。 在一个实施例中，提供了一种用于产生气相沉积处理系统中使用的气态化学前体的装置，其包括具有侧壁，顶部和底部的罐，所述底部包围其中的内部容积，流体入口端口和出口 与内部容积的连通以及从入口延伸到罐中的入口管，其中入口管包含定位成引导气流远离出口并朝向罐的侧壁的出口。

公开(公告)号：US20080216743A1

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：US11849125

申请日：2007-08-31

申请人： LING CHEN ,  Vincent W. Ku ,  Hua Chung ,  Christophe Marcadal ,  Seshadri Ganguli ,  Jenny Lin ,  Dien-Yeh Wu ,  Alan Ouye ,  Mei Chang

发明人： LING CHEN ,  Vincent W. Ku ,  Hua Chung ,  Christophe Marcadal ,  Seshadri Ganguli ,  Jenny Lin ,  Dien-Yeh Wu ,  Alan Ouye ,  Mei Chang

IPC分类号： C23C16/06

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/4487 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： Embodiments of the invention provide chemical precursor ampoules that may be used during vapor deposition processes. In one embodiment, an apparatus for generating a chemical precursor gas used in a vapor deposition processing system is provided which includes a canister having a sidewall, a top, and a bottom forming an interior volume and a solid precursor material at least partially contained within a lower region of the interior volume. The apparatus further contains an inlet port and an outlet port in fluid communication with the interior volume and an inlet tube connected to the inlet port and positioned to direct a carrier gas towards the sidewall and away form the outlet port. In one example, the solid precursor contains pentakis(dimethylamido) tantalum (PDMAT). In another example, the apparatus contains a plurality of baffles that form an extended mean flow path between the inlet port and the outlet port.

摘要翻译： 本发明的实施方案提供可在气相沉积工艺期间使用的化学前体安瓿。 在一个实施例中，提供了一种用于产生在气相沉积处理系统中使用的化学前体气体的装置，其包括具有侧壁，顶部和形成内部容积的底部的罐，以及固体前体材料，其至少部分地包含在 内部体积的较低区域。 该装置还包括与内部空间流体连通的入口端口和出口端口，以及连接到入口端口的入口管，并且定位成将载气朝着侧壁引导并从出口端口移开。 在一个实例中，固体前体含有五（二甲基氨基）钽（PDMAT）。 在另一示例中，该装置包含多个挡板，其在入口和出口之间形成延伸的平均流动路径。

公开(公告)号：US20070089817A1

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：US11563830

申请日：2006-11-28

申请人： Seshadri Ganguli ,  Ling Chen ,  Vincent Ku

发明人： Seshadri Ganguli ,  Ling Chen ,  Vincent Ku

IPC分类号： C06B45/10 ,  C06B31/28

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/4487 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： A method and apparatus for generating gas for a processing system is provided. In one embodiment, an apparatus for generating gas for a processing system includes a canister having at least one baffle disposed between two ports and containing a precursor material. The precursor material is adapted to produce a gas vapor when heated to a defined temperature at a defined pressure. The baffle forces a carrier gas to travel an extended mean path between the inlet and outlet ports. In another embodiment, an apparatus for generating gas includes a canister having a tube that directs a carrier gas flowing into the canister away from a precursor material disposed within the canister.

摘要翻译： 提供了一种用于产生用于处理系统的气体的方法和装置。 在一个实施例中，一种用于产生用于处理系统的气体的装置包括：罐，其具有设置在两个端口之间的至少一个挡板并且容纳前体材料。 当在限定的压力下加热到限定的温度时，前体材料适于产生气体蒸气。 挡板迫使载气在入口和出口之间延伸平均路径。 在另一个实施例中，一种用于产生气体的装置包括一个罐，该罐具有一个管，其引导流入罐中的载气远离设置在罐内的前体材料。

公开(公告)号：US07186385B2

公开(公告)日：2007-03-06

申请号：US10198727

申请日：2002-07-17

申请人： Seshadri Ganguli ,  Ling Chen ,  Vincent W. Ku

发明人： Seshadri Ganguli ,  Ling Chen ,  Vincent W. Ku

IPC分类号： A01G13/06 ,  B01D7/00 ,  C23C14/00 ,  F24F3/14 ,  A61M16/00

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/4487 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： An apparatus for generating gas for a processing system is provided. In one embodiment, an apparatus for generating gas for a processing system includes a canister having at least one baffle disposed between two ports and containing a precursor material. The precursor material is adapted to produce a gas vapor when heated to a defined temperature at a defined pressure. The baffle forces a carrier gas to travel an extended mean path between the inlet and outlet ports. In another embodiment, an apparatus for generating gas includes a canister having a tube that directs a carrier gas flowing into the canister away from a precursor material disposed within the canister.

摘要翻译： 提供了一种用于处理系统产生气体的装置。 在一个实施例中，一种用于产生用于处理系统的气体的装置包括：罐，其具有设置在两个端口之间的至少一个挡板并且容纳前体材料。 当在限定的压力下加热到限定的温度时，前体材料适于产生气体蒸气。 挡板迫使载气在入口和出口之间延伸平均路径。 在另一个实施例中，一种用于产生气体的装置包括一个罐，该罐具有一个管，其引导流入罐中的载气远离设置在罐内的前体材料。

公开(公告)号：US07429361B2

公开(公告)日：2008-09-30

申请号：US11613153

申请日：2006-12-19

申请人： Seshadri Ganguli ,  Ling Chen ,  Vincent W. Ku

发明人： Seshadri Ganguli ,  Ling Chen ,  Vincent W. Ku

IPC分类号： B01D7/00

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/4487 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： In one embodiment, an apparatus for generating a gaseous chemical precursor used in a vapor deposition processing system is provided which includes a canister comprising a sidewall, a top, and a bottom encompassing an interior volume therein, an inlet port and an outlet port in fluid communication with the interior volume, and an inlet tube extending from the inlet port into the canister. The apparatus further may contain a plurality of baffles within the interior volume extending between the top and the bottom of the canister, and a precursor slurry contained within the interior volume, wherein the precursor slurry contains a solid precursor material and a thermally conductive material that is unreactive towards the solid precursor material. In one example, the solid precursor material solid precursor material is pentakis(dimethylamino) tantalum.

摘要翻译： 在一个实施方案中，提供了一种用于产生气相沉积处理系统中使用的气态化学前体的装置，其包括一个罐，该罐包括侧壁，顶部和包围内部容积的底部，入口和出口在流体 与内部容积的连通，以及从入口延伸到罐中的入口管。 该装置还可以在内部容积内容纳多个挡板，其在罐的顶部和底部之间延伸，以及包含在内部容积内的前体浆料，其中前体浆料包含固体前体材料和导热材料， 对固体前体材料没有反应。 在一个实例中，固体前体材料固体前体材料是五（二甲基氨基）钽。

公开(公告)号：US20060257295A1

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：US11383642

申请日：2006-05-16

申请人： Ling Chen ,  Vincent Ku ,  Hua Chung ,  Christophe Marcadal ,  Seshadri Ganguli ,  Jenny Lin ,  Dien-Yeh Wu ,  Alan Ouye ,  Mei Chang

发明人： Ling Chen ,  Vincent Ku ,  Hua Chung ,  Christophe Marcadal ,  Seshadri Ganguli ,  Jenny Lin ,  Dien-Yeh Wu ,  Alan Ouye ,  Mei Chang

IPC分类号： B01J8/18

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/4487 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： Embodiments of an apparatus for generating a chemical precursor used in a vapor deposition processing system are provide which include a canister having a sidewall, a top, and a bottom forming an interior volume which is in fluid communication with an inlet port and an outlet port. The canister contains a plurality of baffles that extend from the bottom to an upper portion of the interior volume and form an extended mean flow path between the inlet port and the outlet port. In one embodiment, the baffles are contained on a prefabricated insert positioned on the bottom of the canister. In one example, an inlet tube may extend from the inlet port into the interior region and be positioned substantially parallel to the baffles. An outlet end of the inlet tube may be adapted to direct a gas flow away from the outlet port, such as towards the sidewall or top of the canister.

摘要翻译： 提供了一种用于生成在气相沉积处理系统中使用的化学前体的装置的实施例，其包括具有侧壁，顶部和底部的罐，该罐形成与入口端口和出口端口流体连通的内部容积。 罐包含多个挡板，其从内部容积的底部延伸到上部，并且在入口和出口之间形成延伸的平均流动路径。 在一个实施例中，挡板包含在位于罐底部的预制插入件上。 在一个示例中，入口管可以从入口端口延伸到内部区域中并且基本平行于挡板定位。 入口管的出口端可以适于将气流引导离开出口，例如朝向罐的侧壁或顶部。