公开(公告)号：WO2022188711A1

公开(公告)日：2022-09-15

申请号：PCT/CN2022/079312

申请日：2022-03-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨超 ,  范睿博 ,  敖玉龙 ,  李敏 ,  李克森

IPC: G06K9/62 ,  G06T1/20 ,  G06N20/10

Abstract: SVM模型的训练方法、装置、设备和计算机可读存储介质，方法包括：获取数据集；加载数据集；通过自动调优框架在线预测数据集的最优存储格式并进行格式转换；执行SMO算法对SVM模型进行训练。

公开(公告)号：WO2014190771A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：PCT/CN2014/070302

申请日：2014-01-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  安霞 ,  黎明 ,  云全新 ,  李志强 ,  李敏 ,  刘朋强 ,  张兴

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02321 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/517

Abstract: 提供一种沉积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法。该方法包括：在锗基或三五族化合物基衬底（1）上沉积高K栅介质（2），对高K栅介质（2）进行氟等离子体处理，并在处理过程中施加引导电场，电场使得氟离子加速到栅介质表面时能量达到5-50eV，氟等离子体漂移到栅介质中，高K介质（2）中的氟离子密度与氧原子密度比为0.01-0.15:1。该方法提高了栅介质质量和钝化缺陷效率，减小了界面态密度，提高了锗基或三五族化合物基MOS器件的性能。

公开(公告)号：WO2014146418A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：PCT/CN2013/084721

申请日：2013-09-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  李志强 ,  安霞 ,  黎明 ,  云全新 ,  李敏 ,  刘朋强 ,  张兴

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/28537 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66848 ,  H01L29/806 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 一种锗基肖特基结的制备方法，包括：对N型锗基衬底（1）进行表面清洗，然后在其表面淀积一层CeO 2 （2），再淀积一层金属（3）。稀土气化物CeO 2 与锗衬底接触，可在界面处形成稳定的Ce-O-Ge键，有利于降低界面态密度，提高界面质量，并减小MIGS，抑制费米级钉扎。同时，CeO 2 在其金属与锗衬底之间引入的隧穿电阻相对于Si 3 N 4 、Al 2 O 3 、Ge 3 N 4 等情况要小。鉴于与锗衬底良好的界面特性与小的导带偏移量，CeO 2 介质层的插入适合制备低电阻率的锗基肖特基结。

公开(公告)号：WO2013170516A1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：PCT/CN2012/076877

申请日：2012-06-14

Applicant: 北京大学 ,  黄如 ,  李敏 ,  安霞 ,  黎明 ,  林猛 ,  张兴

Inventor： 黄如 ,  李敏 ,  安霞 ,  黎明 ,  林猛 ,  张兴

IPC: C23C8/40 ,  C23G1/02 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C23C22/58 ,  C23G1/10 ,  H01L21/02057

Abstract: 一种锗基器件的界面处理方法，包括如下步骤：1）对半导体锗基衬底进行清洗；2）在质量百分浓度15%~36%的浓盐酸溶液中浸泡，然后用去离子水反复冲洗干净，去除锗基衬底表面的自然氧化层；3）将锗基衬底在质量百分浓度5%~10%的稀盐酸溶液中浸泡，然后用去离子水反复冲洗干净，完成对锗基器件表面的钝化处理。

公开(公告)号：WO2013155775A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：PCT/CN2012/076875

申请日：2012-06-14

Applicant: 北京大学 ,  黎明 ,  李敏 ,  黄如 ,  安霞 ,  张兴

Inventor： 黎明 ,  李敏 ,  黄如 ,  安霞 ,  张兴

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/763 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/32 ,  H01L21/7621 ,  H01L21/763

Abstract: 本发明公开了一种实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法，在锗基衬底表面上覆盖一薄层多晶硅或多晶锗硅，然后在有源区被保护的情况下，通过两步氧化形成表面覆盖二氧化硅层或氧化锗硅层的二氧化锗隔离结构，这种以多晶硅多晶锗硅作为牺牲层的两步氧化工艺有利于提高所制备的二氧化锗隔离的质量，减小局部场氧氧化产生的鸟嘴效应，从而显著提高锗器件的性能。