公开(公告)号：WO2015156912A1

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：PCT/US2015/017078

申请日：2015-02-23

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： NEMANI, Srinivas D. ,  YIEH, Ellie Y. ,  GODET, Ludovic ,  FAN, Yin

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02304 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32422 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803

Abstract: Methods for forming fin structure with desired materials formed on different locations of the fin structure using a selective deposition process for three dimensional (3D) stacking of fin field effect transistor (FinFET) for semiconductor chips are provided. In one embodiment, a method of forming a structure with desired materials on a substrate includes forming a patterned self-assembled monolayer on a circumference of a structure formed on a substrate, wherein the patterned self-assembled monolayer includes a treated layer formed among a self-assembled monolayer, and performing an atomic layer deposition process to form a material layer predominantly on the self-assembled monolayer from the patterned self-assembled monolayer.

Abstract translation: 提供了使用用于半导体芯片的鳍状场效应晶体管（FinFET）的三维（3D）堆叠的选择性沉积工艺在翅片结构的不同位置形成所需材料的翅片结构的方法。 在一个实施例中，在衬底上形成具有期望材料的结构的方法包括在形成在衬底上的结构的圆周上形成图案化的自组装单层，其中所述图案化的自组装单层包括在自身中形成的处理层 并且执行原子层沉积工艺，以从图案化的自组装单层形成主要在自组装单层上的材料层。

公开(公告)号：WO2013085684A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：PCT/US2012/065086

申请日：2012-11-14

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： UNDERWOOD, Brian S. ,  INGLE, Nitin K. ,  MALLICK, Abhijit Basu

IPC: H01L21/3115 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02356 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31155

Abstract: Methods are described for forming and treating a flowable silicon-carbon-and-nitrogen-containing layer on a semiconductor substrate. The silicon and carbon constituents may come from a silicon-and-carbon-containing precursor while the nitrogen may come from a nitrogen-containing precursor that has been activated to speed the reaction of the nitrogen with the silicon-and-carbon-containing precursor at lower deposition temperatures. The initially-flowable silicon-carbon-and-nitrogen-containing layer is ion implanted to increase etch tolerance, prevent shrinkage, adjust film tension and/or adjust electrical characteristics. Ion implantation may also remove components which enabled the flowability, but are no longer needed after deposition. Some treatments using ion implantation have been found to decrease the evolution of properties of the film upon exposure to atmosphere.

Abstract translation: 描述了用于在半导体衬底上形成和处理可流动的含硅 - 碳和氮的层的方法。 硅和碳组分可以来自含硅和碳的前体，而氮可以来自已经被活化以加速氮与含硅和碳的前体的反应的含氮前体 较低的沉积温度。 初始可流动的含硅碳和氮的层被离子注入以增加蚀刻耐受性，防止收缩，调节膜张力和/或调节电特性。 离子注入还可以去除能够流动的组分，但是在沉积后不再需要它们。 已经发现使用离子注入的一些处理降低了暴露于大气中的膜的性质的演变。

公开(公告)号：WO2011021316A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：PCT/JP2010/001051

申请日：2010-02-18

Applicant: パナソニック株式会社 ,  佐藤好弘 ,  山田隆順

Inventor： 佐藤好弘 ,  山田隆順

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/318 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 　半導体装置は、第１のＭＩＳトランジスタｎＴｒと第２のＭＩＳトランジスタｐＴｒとを備えている。第１のＭＩＳトランジスタｎＴｒは、半導体基板１０における第１の活性領域１０ａ上に形成され、第１の高誘電率膜１４Ｘａを有する第１のゲート絶縁膜１４Ａと、第１のゲート絶縁膜１４Ａ上に形成された第１のゲート電極１８Ａとを備えている。第２のＭＩＳトランジスタｐＴｒは、半導体基板１０における第２の活性領域１０ｂ上に形成され、第２の高誘電率膜１４ｘを有する第２のゲート絶縁膜１４Ｂと、第２のゲート絶縁膜１４Ｂ上に形成された第２のゲート電極１８Ｂとを備えている。第２の高誘電率膜１４ｘは、第１の調整用金属を含み、第１の高誘電率膜１４Ｘａは、第２の高誘電率膜１４ｘよりも窒素濃度が高く、且つ、第１の調整用金属を含まない。

Abstract translation: 公开了一种具有第一MIS晶体管（nTr）和第二MIS晶体管（pTr）的半导体器件。 第一MIS晶体管（nTr）设置有形成在半导体衬底（10）上的第一有源区（10a）上并具有第一高介电常数膜（14Xa）的第一栅极绝缘膜（14A） ; 以及形成在第一栅极绝缘膜（14A）上的第一栅电极（18A）。 第二MIS晶体管（pTr）设置有形成在半导体衬底（10）上的第二有源区（10b）上的第二栅极绝缘膜（14B），并具有第二高介电常数膜（14x） ; 和形成在第二栅极绝缘膜（14B）上的第二栅电极（18B）。 第二高介电常数膜（14x）包含用于调节的第一金属，第一高介电常数膜（14Xa）的氮浓度高于第二高介电常数膜（14x），并且不含第一金属 用于调整。

公开(公告)号：WO2010090903A2

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：PCT/US2010/022061

申请日：2010-01-26

Applicant: TEL EPION INC. ,  HAUTALA, John, J.

Inventor： HAUTALA, John, J.

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/31608

Abstract: A method of forming shallow trench isolation on a substrate (152, 252, 1102, 1202, 1302) using a gas cluster ion beam (GCIB) (128, 1101, 1201, 1301) is described. The method comprises generating a GCIB (128, 1101, 1201, 1301), and irradiating the substrate (152, 252, 1102, 1202, 1302) with the GCIB (128, 1101, 1201, 1301) to form a shallow trench isolation structure (1100, 1200, 1300) by growing a dielectric layer (1114, 1204, 1312) in at least one region on the substrate (152, 252, 1102, 1202, 1302).

Abstract translation: 描述了使用气体簇离子束（GCIB）（128,1101,1201,1301）在衬底（152,252,1102,1202,1302）上形成浅沟槽隔离的方法。 该方法包括产生GCIB（128,1101,1201,1301），并用GCIB（128,1101,1201,1301）照射衬底（152,252,1102,1202,1302）以形成浅沟槽隔离结构 （1100,2200,1300），通过在衬底（152,252,1102,1202,1302）的至少一个区域中生长介电层（1114,1204,1312）。

公开(公告)号：WO2008120378A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：PCT/JP2007/056940

申请日：2007-03-29

Applicant: 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  田辺 亮

Inventor： 田辺 亮

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/04 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02321 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7846

Abstract: 　第２の方向において、平面視で、ｎチャネルＭＯＳトランジスタと膨張膜（１１）とが隣り合っている。このため、ｎチャネルＭＯＳトランジスタは膨張膜（１１）からチャネル長が広げられる方向への正の応力を受ける。この結果、ｎチャネルＭＯＳトランジスタのチャネルには、電子の移動方向への正の引張歪が生じる。一方、第２の方向において、平面視で、ｐチャネルＭＯＳトランジスタと膨張膜（１１）とは互いからずれている。このため、ｐチャネルＭＯＳトランジスタは膨張膜（１１）からチャネル長が狭められる方向への正の応力を受ける。この結果、ｐチャネルＭＯＳトランジスタのチャネルには、正孔の移動方向への正の圧縮歪が生じる。従って、ｎチャネルＭＯＳトランジスタ及びｐチャネルＭＯＳトランジスタの双方のオン電流を向上することができる。

Abstract translation: 在第二方向上，n沟道MOS晶体管和扩展膜（11）在平面图中彼此相邻。 为此，n沟道MOS晶体管在扩展其通道长度的方向上从扩展膜（11）接收正应力。 结果，在n沟道MOS晶体管中的电子移动方向上产生正的失真。 同时，在第二方向上，p沟道MOS晶体管和扩展膜（11）彼此偏移。 为此，p沟道MOS晶体管在从扩展膜（11）减小沟道长度的方向上接收正应力。 结果，在孔移动方向上产生正压缩变形。 因此，可以提高n沟道MOS晶体管和p沟道MOS晶体管的导通电流。

公开(公告)号：WO2016039935A1

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：PCT/US2015/045393

申请日：2015-08-14

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： YIEH, Ellie Y. ,  GODET, Ludovic ,  XUE, Jun ,  NEMANI, Srinivas D. ,  LI, DongQing (Karen) ,  CHEN, Erica

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

Abstract: Species are supplied to a flowable layer over a substrate. A property of the flowable layer is modified by implanting the species to the flowable layer. The property comprises a density, a stress, a film shrinkage, an etch selectivity, or any combination thereof.

Abstract translation: 物质被提供到基底上的可流动层。 可流动层的性质通过将物种注入可流动层来改变。 该性质包括密度，应力，薄膜收缩率，蚀刻选择性或其任何组合。

公开(公告)号：WO2014190771A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：PCT/CN2014/070302

申请日：2014-01-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  安霞 ,  黎明 ,  云全新 ,  李志强 ,  李敏 ,  刘朋强 ,  张兴

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02321 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/517

Abstract: 提供一种沉积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法。该方法包括：在锗基或三五族化合物基衬底（1）上沉积高K栅介质（2），对高K栅介质（2）进行氟等离子体处理，并在处理过程中施加引导电场，电场使得氟离子加速到栅介质表面时能量达到5-50eV，氟等离子体漂移到栅介质中，高K介质（2）中的氟离子密度与氧原子密度比为0.01-0.15:1。该方法提高了栅介质质量和钝化缺陷效率，减小了界面态密度，提高了锗基或三五族化合物基MOS器件的性能。

公开(公告)号：WO2013153777A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：PCT/JP2013/002296

申请日：2013-04-02

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 松本　賢治 ,  濱田　龍文 ,  前川　薫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76864 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　凹部が形成された絶縁層上に金属元素含有層を形成する半導体装置の製造方法であって、凹部を含む絶縁層上に金属元素の酸化物を主成分とするオキサイド層を形成する工程と、還元雰囲気下でのアニールにより、オキサイド層をシリケート化して、金属元素の珪酸塩を主成分とするシリケート層を形成する工程と、を有することを特徴とする。

Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法，其中在设置有凹部的绝缘层上形成含金属元素的层。 该半导体装置的制造方法的特征在于，在具有凹部的绝缘层上形成有主要由金属元素的氧化物构成的氧化物层的工序， 以及通过在还原气氛中退火将氧化物层转变为硅酸盐而形成主要由金属元素的硅酸盐形成的硅酸盐层的工序。

公开(公告)号：WO2012166850A2

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：PCT/US2012040094

申请日：2012-05-31

Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  YAO DAPING ,  PORSHNEV PETER I

Inventor： YAO DAPING ,  PORSHNEV PETER I

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31155 ,  H01J37/32412 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L2221/1063

Abstract: Methods for repairing low-k dielectrics using a plasma immersion carbon doping process are provided herein. In some embodiments, a method of repairing a low-k dielectric material disposed on a substrate having one or more features disposed through the low-k dielectric material may include depositing a conformal oxide layer on the low-k dielectric material and within the one or more features; and doping the conformal oxide layer with carbon using a plasma doping process.

Abstract translation: 本文提供了使用等离子体浸渍碳掺杂工艺修复低k电介质的方法。 在一些实施例中，修复设置在具有通过低k电介质材料布置的一个或多个特征的衬底上的低k电介质材料的方法可以包括在低k电介质材料上以及在一个或多个 更多功能; 并使用等离子体掺杂工艺用碳掺杂保形氧化物层。

公开(公告)号：WO2010090903A3

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：PCT/US2010022061

申请日：2010-01-26

Applicant: TEL EPION INC ,  HAUTALA JOHN J

Inventor： HAUTALA JOHN J

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/31608

Abstract: A method of forming shallow trench isolation on a substrate (152, 252, 1102, 1202, 1302) using a gas cluster ion beam (GCIB) (128, 1101, 1201, 1301) is described. The method comprises generating a GCIB (128, 1101, 1201, 1301), and irradiating the substrate (152, 252, 1102, 1202, 1302) with the GCIB (128, 1101, 1201, 1301) to form a shallow trench isolation structure (1100, 1200, 1300) by growing a dielectric layer (1114, 1204, 1312) in at least one region on the substrate (152, 252, 1102, 1202, 1302).

Abstract translation: 描述了使用气体团簇离子束（GCIB）（128,1101,1201,1301）在衬底（152,252,1102,1202,1302）上形成浅沟槽隔离的方法。 该方法包括生成GCIB（128,1101,1201,1301），并用GCIB（128,1101,1201,1301）照射衬底（152,252,1102,1202,1302）以形成浅沟槽隔离结构 通过在所述衬底（152,252,1102,1202,1302）上的至少一个区域中生长电介质层（1114,1204,1312）来生长所述衬底（1100,1200,1300）。