公开(公告)号：WO2016011683A1

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：PCT/CN2014/084332

申请日：2014-08-14

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 李泳锐 ,  张霞 ,  李吉 ,  陈雅惠

IPC: C09J9/02 ,  C08J7/00 ,  H01B1/24 ,  C09J163/00

CPC classification number: C09J9/02 ,  B01J2/003 ,  B01J2/06 ,  C01B31/0453 ,  C01B32/186 ,  C01B32/194 ,  C01P2004/32 ,  C08K3/042 ,  C08K9/12 ,  C08K2201/001 ,  C09J163/00 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4417 ,  C23C16/481 ,  H01B1/24

Abstract: 一种石墨烯球导电胶的制备方法及该石墨烯球导电胶，所述石墨烯球导电胶的制备方法包括以下步骤：步骤1、提供单体、引发剂、分散剂和溶剂制备一单体混合物，并采用该单体混合物制得高分子微球；步骤2、对所述高分子微球进行加热或等离子刻蚀预处理；步骤3、采用化学气相沉积方法在经步骤2预处理过的高分子微球表面或内部包覆或生长石墨烯，制得石墨烯球；步骤4、称取一定比例的环氧树脂、固化剂、促进剂，混合搅拌至分散均匀，制得环氧树脂胶体系；步骤5、将步骤3制得的石墨烯球分散于所述环氧树脂胶体系中，获得石墨烯球导电胶预备材料；步骤6、将所述石墨烯球导电胶预备材料进行脱泡处理，得到石墨烯球导电胶。

公开(公告)号：WO2015062022A1

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：PCT/CN2013/086317

申请日：2013-10-31

Applicant: EAST CHINA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： ZHAO, Chongjun ,  DONG, Jianbo ,  DONG, Xiangmao ,  QIAN, Xiuzhen

IPC: C01B31/02 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C23C14/5813 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/0453 ,  C01B32/184 ,  C01B32/186 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/843

Abstract: Methods described herein generally relate to producing patterned graphene. The method may include irradiating at least one focal point on a surface of a metal substrate with a laser beam in the presence of carbon dioxide, wherein the laser beam is generated by an ultra-short pulse laser; and causing the laser beam to move relative to the surface of the metal substrate such that the at least one focal point is displaced along a pattern on the surface, thereby producing a patterned graphene. Apparatuses for producing patterned graphene are also disclosed.

Abstract translation: 本文所述的方法通常涉及制备图案化的石墨烯。 该方法可以包括在存在二氧化碳的情况下用激光束在金属基板的表面上照射至少一个焦点，其中激光束由超短脉冲激光产生; 并且使激光束相对于金属基板的表面移动，使得至少一个焦点沿着表面上的图案移位，从而产生图案化的石墨烯。 还公开了用于生产图案化石墨烯的装置。

公开(公告)号：WO2014077507A1

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：PCT/KR2013/008815

申请日：2013-10-02

Applicant: 삼성테크윈 주식회사

Inventor： 윤종혁

IPC: C01B31/02 ,  B01J19/24

CPC classification number: C01B31/0453 ,  C01B32/186

Abstract: 본 발명은 그래핀 합성장치를 개시한다. 본 발명은, 연속적인 촉매금속박막 상에 열을 가하는 히터부와, 상기 촉매금속박막과 상기 히터부 사이에 배치되어 상기 히터부의 열을 상기 촉매금속박막에 균일하게 제공하는 서셉터부와, 상기 촉매금속박막의 측면으로 원료물질을 제공하는 원료물질공급부를 포함한다.

Abstract translation: 公开了一种石墨烯合成装置。 本发明包括：向连续催化金属薄膜施加热量的加热器单元; 布置在催化金属薄膜和加热器单元之间的基座单元，以便均匀地将来自加热器单元的热量提供给催化金属薄膜; 以及源材料供给单元，其将源材料提供到催化金属薄膜的侧表面。

公开(公告)号：WO2012150761A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：PCT/KR2012/001451

申请日：2012-02-27

Applicant: 한국과학기술원 ,  전석우 ,  이진섭 ,  오세란

Inventor： 전석우 ,  이진섭 ,  오세란

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/26 ,  C01B31/02

CPC classification number: C01B31/0453 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C23C16/26 ,  C23C16/46

Abstract: 그래핀의 제조 방법에 있어서, 촉매층이 증착된 기판을 챔버 내에 로딩한다. 상기 챔버 내에 탄소 소스 가스를 공급한다. 국부적 가열원을 이용하여 상기 촉매층의 제1 부분을 가열함으로써, 상기 촉매층의 상기 제1 부분에 탄소 성분을 고용시킨다. 상기 국부적 가열원을 이동시켜 상기 촉매층의 상기 제1 부분을 냉각시킴과 동시에 다른 위치의 제2 부분을 가열하여 상기 촉매층 상에 연속적인 열처리를 수행함으로써, 상기 촉매층 상에 상기 고용된 탄소 성분으로부터 석출된 그래핀층을 형성한다.

Abstract translation: 本发明的石墨烯的制造方法装载在室内，从其中蒸发出催化剂层的基板。 本发明提供了碳源气体到室内。 本发明使用局部加热源来加热催化剂层的第一部分，从而将碳成分溶解在催化剂层的第一部分中。 本发明移动局部加热源并冷却催化剂层的第一部分，同时加热不同位置的第二部分，从而在催化剂层上进行连续热处理，形成从 溶解的碳组分在催化剂层上。

公开(公告)号：WO2012008789A3

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：PCT/KR2011005213

申请日：2011-07-15

Applicant: UNIV SUNGKYUNKWAN FOUND ,  SAMSUNG TECHWIN CO LTD ,  HONG BYUNG HEE ,  AHN JONG-HYUN ,  YOO JI BEOM ,  BAE SU KANG ,  JUNG MYUNG HEE ,  JANG HOUK ,  LEE YOUNGBIN ,  KIM SANG JIN

Inventor： HONG BYUNG HEE ,  AHN JONG-HYUN ,  YOO JI BEOM ,  BAE SU KANG ,  JUNG MYUNG HEE ,  JANG HOUK ,  LEE YOUNGBIN ,  KIM SANG JIN

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50

CPC classification number: C01B31/0453 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C23C16/01 ,  C23C16/26

Abstract: The present invention relates to a method for forming graphene at a low temperature, to a method for direct transfer of graphene using same, and to a graphene sheet. The method for forming graphene at a low temperature comprises supplying a carbon-source-containing gas to a metal catalyst layer for graphene growth formed on a substrate, and forming graphene at a low temperature of 500°C or less by means of inductively coupled plasma-chemical vapor deposition (ICP-CVD).

Abstract translation: 本发明涉及一种在低温下形成石墨烯的方法，涉及使用该方法直接转移石墨烯的方法和石墨烯片。 在低温下形成石墨烯的方法包括向形成在基板上的石墨烯生长用金属催化剂层供给含碳源气体，并通过电感耦合等离子体在500℃以下的低温下形成石墨烯 化学气相沉积（ICP-CVD）。

公开(公告)号：WO2016027925A1

公开(公告)日：2016-02-25

申请号：PCT/KR2014/009605

申请日：2014-10-14

Applicant: 경희대학교산학협력단

Inventor： 최석호 ,  신동희 ,  김성

IPC: H01L29/88 ,  C01B31/04

CPC classification number: H01L29/88 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/0453 ,  C01B32/182 ,  C01B32/186 ,  C01B33/023 ,  C01B2204/22 ,  C01P2006/40 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/127 ,  H01L29/15 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66151 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/1804 ,  H01L33/06 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/814 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/896 ,  Y10S977/932

Abstract: 실리콘 양자점의 사이즈와, 그래핀의 도핑 농도의 제어를 통하여 다이오드의 성능 및 전기적 특성을 향상시킨 그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조를 포함하는 터널링 다이오드를 제공한다. 본 발명의 이상적인 터널링 다이오드는 다이오드 기반의 광전자 소자에 활용이 가능하다.

Abstract translation: 提供了一种包括石墨烯 - 硅量子点混合结构的隧道二极管，通过控制硅量子点的尺寸和石墨烯的掺杂浓度，隧道二极管具有增强的二极管性能和电性能。 根据本发明的优选的隧道二极管可以用于基于二极管的光电子器件。

公开(公告)号：WO2015169624A1

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：PCT/EP2015/058962

申请日：2015-04-24

Applicant: BASF SE ,  MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V.

Inventor： STRUDWICK, Andrew-James ,  SCHWAB, Matthias Georg ,  MÜLLEN, Klaus ,  SACHDEV, Hermann ,  WEBER, Nils-Eike ,  BINDER, Axel

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C01B31/0453 ,  C01B32/186 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/26 ,  C23C16/46 ,  Y02P20/544

Abstract: The present invention relates to a process for preparing graphene, comprising (i) providing in a chemical deposition chamber a substrate which has a surface S1, (ii) subjecting the substrate to a thermal pre-treatment while feeding at least one gaseous or supercritical oxidant into the chemical deposition chamber so as to bring the surface S1 into contact with the at least one gaseous or supercritical oxidant and obtain a pre-treated surface S2, (iii) preparing graphene on the pre-treated surface S2 by chemical deposition.

Abstract translation: 本发明涉及制备石墨烯的方法，其包括（i）在化学沉积室中提供具有表面S1的基底，（ii）使基底经受热预处理，同时进料至少一种气态或超临界氧化剂 进入化学沉积室以使表面S1与至少一种气态或超临界氧化剂接触并获得预处理的表面S2，（iii）通过化学沉积在预处理的表面S2上制备石墨烯。

公开(公告)号：WO2015119618A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：PCT/US2014/015320

申请日：2014-02-07

Applicant: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC

Inventor： CARLSON, William Brenden ,  CASASANTA III, Vincenzo ,  WAN, Feng ,  ROBERTS, Bradley Kirk ,  LONDERGAN, Timothy Martin

IPC: B23B3/26 ,  D01F9/12 ,  C01B31/04

CPC classification number: C01B31/0453 ,  B01J23/04 ,  B01J23/06 ,  B01J23/08 ,  B01J23/18 ,  B01J23/30 ,  B01J23/60 ,  B01J23/66 ,  B01J23/755 ,  B01J23/80 ,  B01J27/232 ,  B01J35/12 ,  B01J37/0081 ,  C01B32/186

Abstract: Methods of producing graphene, reaction chambers for forming graphene, and graphene sheets formed from the methods are described herein. A method may include adding at least one metal catalyst in a reaction chamber, adding at least one hydrocarbon gas in the reaction chamber, allowing the at least one metal catalyst and the at least one hydrocarbon gas to contact one another to produce a product, and dehydrogenating the product to produce the graphene.

Abstract translation: 本文描述了生产石墨烯的方法，用于形成石墨烯的反应室和由该方法形成的石墨烯片。 方法可以包括在反应室中加入至少一种金属催化剂，在反应室中加入至少一种烃气体，使至少一种金属催化剂和至少一种烃气体彼此接触以产生产物， 使产物脱氢以产生石墨烯。

公开(公告)号：WO2014209030A1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：PCT/KR2014/005677

申请日：2014-06-26

Applicant: 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단

Inventor： 조길원 ,  봉효진

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/06 ,  B01J23/755

CPC classification number: C01B31/0453 ,  C01B32/186 ,  C01B2204/32 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  Y02P20/149

Abstract: 본 발명의 실시예는 그래핀 및 그의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 그래핀의 제조방법은 기재상에 금속 촉매층을 형성하는 단계(단계 a); 단계 a의 금속 촉매층상에 커버 부재를 도입하는 단계(단계 b); 및 화학기상증착을 수행하여 단계 b의 금속 촉매층 상에 그래핀을 성장시키는 단계(단계 c);를 포함한다. 이에 의하여, 화학기상증착 장치 내에서 금속 촉매 분자의 응집을 촉진함과 동시에, 커버 부재의 영향으로 금속 촉매의 기상 증발을 방지함으로써 금속 촉매 표면의 마이크로 단위의 그레인 바운더리(Grain Boundary)의 크기를 줄여 합성된 그래핀의 투명성 등의 퀄리티를 향상시킬 수 있다. 또한, 탄소 원천(source)의 가스의 다양한 농도에서 성장하는 그래핀 시트를 합성할 수 있으며, 화학기상증착 장치 내의 한정된 공간 내에서 효율적으로 대량생산을 할 수 있다.

Abstract translation: 本发明的一个实施方案提供了石墨烯及其制造方法。 本发明的制造石墨烯的方法包括以下步骤：（a）在基材上形成金属催化剂层; （b）在步骤a的金属催化剂层上引入覆盖部件; 和（c）通过进行化学气相沉积在步骤b的金属催化剂层上生长石墨烯。 因此，通过同时促进化学气相沉积装置中的金属催化分子的聚集并且防止由于盖构件的影响而导致的金属催化剂的蒸发，可以提高合成石墨烯的质量，例如其透明度，由此 减小金属催化剂表面上的微尺度晶界的尺寸。 此外，可以在化学气相沉积装置的有限空间中合成并且高效地批量生产各种浓度的碳源气体的石墨烯片。

公开(公告)号：WO2013073367A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：PCT/JP2012/078124

申请日：2012-10-31

Applicant: JX日鉱日石金属株式会社

Inventor： 千葉　喜寛 ,  小野　俊之

IPC: C01B31/02 ,  C22C9/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08

CPC classification number: C01B31/0453 ,  B21B1/40 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C22F1/18 ,  C23F1/18 ,  Y10T428/12431

Abstract: 【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。 【解決手段】純度が99.95質量％以上のＣｕからなるグラフェン製造用銅箔である。

Abstract translation: [问题]提供一种能够以低成本制造大面积石墨烯的石墨烯制造用铜箔，以及使用其制造石墨烯的方法。 [解决方案]石墨烯生产用铜箔，其含有纯度为99.95质量％以上的Cu。