公开(公告)号：WO2007073356A2

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：PCT/SG2006/000399

申请日：2006-12-20

Applicant: ROKKO SYSTEMS PTE LTD ,  LIM, Chong Chen, Gary ,  BAEK, Seung Ho ,  JUNG, Jong Jae ,  SHIN, Yun Suk ,  SHEN, Xue Fang ,  LING, Nee Seng ,  ANG, Soo Loo

Inventor： LIM, Chong Chen, Gary ,  BAEK, Seung Ho ,  JUNG, Jong Jae ,  SHIN, Yun Suk ,  SHEN, Xue Fang ,  LING, Nee Seng ,  ANG, Soo Loo

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67 ,  H01L21/784 ,  B81C1/00 ,  B28D5/00

CPC classification number: B28D5/0017 ,  B81C1/00904 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67236

Abstract: A system for singulating an IC unit from a substrate, said IC unit having a combination of linear and non-linear peripheral edges, said system comprising a profile cutting device for cutting the non-linear portions of the IC unit; a longitudinal cutting device for cutting the linear portions of the IC unit, said cutting means located within a singulation zone.

Abstract translation: 一种用于从衬底上分离IC单元的系统，所述IC单元具有线性和非线性周边边缘的组合，所述系统包括用于切割IC单元的非线性部分的轮廓切割装置; 用于切割IC单元的直线部分的纵向切割装置，所述切割装置位于单个区域内。

公开(公告)号：WO2007032392A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：PCT/JP2006/318163

申请日：2006-09-13

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 ,  筬島 哲也 ,  杉浦 隆二 ,  渥美 一弘

Inventor： 筬島 哲也 ,  杉浦 隆二 ,  渥美 一弘

IPC: B23K26/40 ,  B23K26/00 ,  B23K26/073 ,  B28D5/00 ,  B23K101/40

CPC classification number: B28D5/00 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/50 ,  H01L21/78

Abstract: 　このレーザ加工方法では、集光点Ｐにおけるレーザ光Ｌの断面形状を、切断予定ライン５に垂直な方向の最大長さが切断予定ライン５に平行な方向の最大長さより短い形状とする。そのため、シリコンウェハ１１の内部に形成される改質領域７の形状は、レーザ光Ｌの入射方向から見ると、切断予定ライン５に垂直な方向の最大長さが切断予定ライン５に平行な方向の最大長さより短い形状となる。このような形状を有する改質領域７が加工対象物１の内部に形成されると、改質領域７を切断の起点として加工対象物１を切断した際に、切断面にツイストハックルが現れるのを抑制することができ、切断面の平坦度を向上させることが可能になる。

Abstract translation: 激光处理方法，其中激光束L的聚焦点P处的截面形状使得垂直于预定切割线（5）的方向上的最大长度比平行于调度的切割线（5）的方向上的最大长度短 切割线（5）。 因此，当从激光束L入射方向观察时，形成在硅晶片（11）内部的改质区域（7）的形状使得垂直于预定切割线（5）的方向的最大长度较短 比平行于预定切割线（5）的方向上的最大长度。 当具有这种形状的改质区域（7）形成在待处理物体（1）的内部时，当被加工物体（1）被切割成改质区域时，可以防止在切割部分出现扭扭 7）作为切割起点，由此可以提高切割部分的平坦度。

公开(公告)号：WO2007004890A1

公开(公告)日：2007-01-11

申请号：PCT/NO2006/000244

申请日：2006-06-26

Applicant: REC SCANWAFER AS ,  SAUAR, Erik ,  WANG, Per Arne

Inventor： SAUAR, Erik ,  WANG, Per Arne

IPC: B28D5/00 ,  B23D57/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: B28D5/0082

Abstract: The present invention is related to a method for reducing attraction forces between wafers (4). This method is characterized in that it comprises the step of, after sawing and before dissolution of the adhesive (5), introducing spacers (6) between wafers (4). The invention comprises also a wafer singulation method and an agent for use in said methods .

Abstract translation: 本发明涉及减少晶片（4）之间的吸引力的方法。 该方法的特征在于，其包括在锯切之后并且在粘合剂（5）溶解之前，在晶片（4）之间引入间隔物（6）的步骤。 本发明还包括晶片分离方法和用于所述方法的试剂。

公开(公告)号：WO2006133798A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：PCT/EP2006/005037

申请日：2006-05-26

Applicant: SCHMID TECHNOLOGY SYSTEMS GMBH ,  GENTISCHER, Josef ,  HABERMANN, Dirk

Inventor： GENTISCHER, Josef ,  HABERMANN, Dirk

IPC: B28D5/00 ,  B23D57/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: B28D5/0082 ,  Y10T83/0467 ,  Y10T83/6571

Abstract: Eine Einrichtung (10) zum Positionieren und Lageerhalten von dünnen Siliziumwafern (14) nach dem Drahtsägen eines Siliziumwaferblocks (13) ist mit einer den Waferblock (13) aufnehmenden Kassette (17) mit zwei Andrückleisten (20) versehen, deren dem Waferblock (13) zugewandte Seiten mit Elementen (32, 33, 34, 36) versehen sind, die in den engen Schneidspalt (15) zwischen den Wafern (14) distanzwahrend und haltgebend eingreifen. Auf diese Weise sind die Wafer in ihrer Lage und Position auch nach dem Ablösen einer Trägerglasplatte (11) fixiert, so dass insbesondere der Spalt (15) im Bereich der bisherigen Verbindungsstelle (25) mit der dann abgelösten Trägerglasplatte (11) erhalten bleibt und so die nachfolgende Vereinzelung vereinfacht.

Abstract translation: 装置（10）为金属丝后定位和位置获取薄的硅晶片（14）具有两个压力条带（20），其在晶片块锯切的硅晶片块（13）接收晶片块（13）盒（17）（13） 用部件（32，33，34，36）被提供，其在接合过程中距离晶片（14）之间的窄切割间隙（15）和停止打印面对的侧面。 以这种方式，即使在支承玻璃板（11）的分离之后在适当位置和位置的晶片被固定，以使得在特定的间隙（15）在前面的结点（25）的范围内保持与所述然后分离载体玻璃板（11）等 后续分离简化。

公开(公告)号：WO2006101091A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：PCT/JP2006/305594

申请日：2006-03-20

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 ,  久野 耕司 ,  鈴木 達也

Inventor： 久野 耕司 ,  鈴木 達也

IPC: B23K26/40 ,  B28D5/00 ,  H01L21/301

CPC classification number: C03C23/0025 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/50 ,  B28D5/0011 ,  C03B33/0222 ,  H01L21/78

Abstract: 　改質領域が形成された板状の加工対象物がその分断工程以外の工程で小片化されることによってチッピングが生じるのを低減することができるレーザ加工方法を提供する。 　加工対象物１における切断予定ラインに沿った部分５０において、有効部４１を含む中間部分５１ではレーザ光をパルス発振させ、中間部分５１の両側の一端部分５２及び他端部分５３ではレーザ光を連続発振させる。連続発振させた場合のレーザ光の強度は、パルス発振させた場合のレーザ光の強度に比べ低くなるため、中間部分５１には改質領域７１，７２，７３を形成し、一端部分５２及び他端部分５３には改質領域７１，７２，７３を形成しないようにすることができる。これにより、改質領域７１，７２，７３は基板４の外面に達しないため、改質領域７１，７２，７３の形成に際してパーティクルの発生を防止することが可能になる。

Abstract translation: 一种激光加工方法，其中当具有修改区域的平面工件在除了其分割步骤之外的步骤中被分割时可以减小碎裂。 在沿着切割线的工件（1）的一部分（50）处，产生激光束以对包括有效部分（41）的中间部分（51）进行脉冲振荡，并且激光束连续振荡一个 端部（52）和另一端部（53）在中间部分（51）的两侧。 由于连续振荡的激光束的强度低于由脉冲振荡产生的激光束的强度，所以可以在中间部分（51）中形成改变区域（71,72,73），同时防止在一端形成 部分（52）和另一端部（53）。 由于改性区域（71,72,73）不到达基板（4）的外表面，所以当形成改质区域（71,72,73）时，可以防止颗粒的产生。

公开(公告)号：WO2006090632A1

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：PCT/JP2006/302714

申请日：2006-02-16

Applicant: 東レエンジニアリング株式会社 ,  植原 幸大 ,  内潟 外茂夫 ,  井中 千草 ,  陣田 敏行 ,  前田 耕志 ,  金沢 明浩

Inventor： 植原 幸大 ,  内潟 外茂夫 ,  井中 千草 ,  陣田 敏行 ,  前田 耕志 ,  金沢 明浩

IPC: B28D5/00 ,  B23K26/10 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  C03B33/09

CPC classification number: C03B33/03 ,  C03B33/0222 ,  C03B33/033

Abstract: 【課題】　余分な予備切断溝を形成することなく、レーザ光を用いて脆性材料製板を格子状に切断する。 【解決手段】　ガラス板を支承する回転テーブル１を、下板部材１ａと、上板部材１ｂと、下板部材１ａと上板部材１ｂとを互いに連結するように、第１の方向と平行な中心軸に沿って介在されたスペーサ１ｃと、下板部材１ａの隅角部に設けられて上板部材１ｂの隅角部を持ち上げるアクチュエータ１ｄとで構成する。    

Abstract translation: [问题]通过使用激光束而不形成额外的预切割槽来切割格子状的脆性材料板。 解决问题的手段本装置包括：旋转台（1），其可枢转地支撑具有下板构件（1a）的玻璃板，上板构件（1b），间隔件（1c），其沿与中心轴平行的中心轴插入 第一方向将下板部件（1a）连接到上板部件（1b），以及安装在下板部件（1a）的角部的致动器（1d），并且使上板部件 （1b）中。

公开(公告)号：WO2006082899A1

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：PCT/JP2006/301783

申请日：2006-02-02

Applicant: 三星ダイヤモンド工業株式会社 ,  近藤 幹夫 ,  栗山 和久 ,  冨森 紘

Inventor： 近藤 幹夫 ,  栗山 和久 ,  冨森 紘

IPC: B23K26/08 ,  B23K26/36 ,  B23K26/40 ,  B28D1/24 ,  B28D5/00 ,  C03B33/10 ,  H01L21/301

CPC classification number: B23K26/0622 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0823 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/361 ,  B23K26/40 ,  B23K2203/50 ,  B28D1/225 ,  B28D5/0011 ,  C03B33/107

Abstract: 　焼結ダイヤモンドをレーザで微細加工する際の加工部位のグラファイト化を抑え、かつ高い効率で精確な微細加工ができる方法を提供する。 　稜線部分２ａを含むホイール外周部にホイール側面側からレーザビームをホイール２に対して相対移動させながら照射して、稜線部分にホイール半径方向に向かって開口した微細な溝部を周方向に所望する間隔をあけて連続して形成する工程を含み、焼結ダイヤモンドを材料とする工作物に対して、前記工作物とレーザビームの相対移動速度を前記工作物の加工部位に照射して加工部位の最大厚さが２００μｍ以下の範囲で前記工作物を微細形状に加工する。

Abstract translation: 一种激光微加工烧结金刚石的方法，其中可以在工作现场抑制任何石墨化的同时实现高效的精密微细加工。 提供了一种方法，包括以下步骤：从轮侧面向包括脊线部分（2a）的轮周部分照射使得相对于轮（2）相对移动的激光束，使得在脊线部分处，微小凹槽部分开口 沿圆周方向连续地形成轮的方向，其中烧结金刚石材料的工件通过用工件的相对移动速率向工件照射的工件的工件的位置而精细地加工， 工件的最大厚度=200μm。

公开(公告)号：WO2006062017A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：PCT/JP2005/021984

申请日：2005-11-30

Applicant: 株式会社レーザーソリューションズ ,  長友 正平 ,  栗山 規由 ,  増尾 純一

Inventor： 長友 正平 ,  栗山 規由 ,  増尾 純一

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  B23K26/06 ,  B23K26/40 ,  B28D5/00 ,  B23K101/40

CPC classification number: B28D5/0011 ,  B23K26/032 ,  B23K26/06 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/123 ,  B23K26/142 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/50

Abstract: レーザー光を被分割体に照射することによる、該被分割体の分割に好適な起点の形成方法を提供する。被分割体Ｍの分割しようとする箇所に対して、アブレーションによってスクライブ溝が形成されるほどの強いエネルギーを有さないレーザー光を、焦点を被分割体Ｍの上面から内部に２０μｍ～３０μｍだけデフォーカスした状態で照射する。吸収による急速加熱とその後の急速冷却により、細長い断面形状を有する変質領域Ｔが形成される。ブレイク処理に際しては、該変質領域Ｔの最下端部が起点となった、良好なブレイクが実現される。さらに、使用するレーザー光の波長範囲において被分割体Ｍよりもレーザー光の吸収率が高い物質を分割しようとする箇所にあらかじめ付与しておくと、レーザー光の吸収効率が当該箇所のみ高められるので、本来であれば吸収が生じない弱いパルスエネルギーのレーザー光の照射によっても、分割起点となる変質領域の形成が確実に行えるようになる。

Abstract translation: 一种起点形成方法，适用于通过用激光束照射身体来划分待分割的身体。 对被分割体（M）进行分割的位置用能量不够强的激光束照射，由于其焦点从身体的上表面向内散开20-30μm的焦点，由于消融而形成刻划槽（ M）被划分。 通过随后的吸收和快速冷却的快速加热形成具有细长截面形状的退化区域（T）。 当身体（M）破裂时，从退化区域（T）的最下端开始实现良好的断裂。 此外，当激光束吸收系数比身体（M）更高的物质预先在要使用的激光束的波长范围内被提供给断开位置时，激光束吸收效率在该位置仅被提高到 从而能够使具有脉冲能量弱的激光束的照射不会基本上引起吸收，从而形成用作分割开始点的退化区域。

公开(公告)号：WO2006047326B1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：PCT/US2005038007

申请日：2005-10-21

Applicant: DIMATIX INC ,  BIRKMEYER JEFFREY ,  DEMING STEPHEN R

Inventor： BIRKMEYER JEFFREY ,  DEMING STEPHEN R

IPC: B81C1/00 ,  B28D5/00 ,  H01L21/762

CPC classification number: B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1635 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1645 ,  B41J2002/14403 ,  B81C99/001 ,  B81C99/008 ,  Y10T29/53983

Abstract: A method of etching a silicon substrate is described. The method includes bonding a first silicon substrate (200) to a sacrificial silicon substrate (240, 241). The first silicon substrate (200) is etched. A pressure is applied at an interface of the first silicon substrate (200) and the sacrificial silicon substrate (240, 241) to cause the first silicon substrate (200) to separate from the sacrificial silicon substrate (240, 241). An apparatus having metal blades (620) can be used to separate the substrates.

Abstract translation: 描述了蚀刻硅衬底的方法。 该方法包括将第一硅衬底（200）接合到牺牲硅衬底（240,241）。 蚀刻第一硅衬底（200）。 在第一硅衬底（200）和牺牲硅衬底（240,241）的界面处施加压力，以使第一硅衬底（200）与牺牲硅衬底（240,241）分离。 具有金属叶片（620）的装置可用于分离基板。

公开(公告)号：WO2006047326A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：PCT/US2005/038007

申请日：2005-10-21

Applicant: DIMATIX, INC. ,  BIRKMEYER, Jeffrey ,  DEMING, Stephen, R.

Inventor： BIRKMEYER, Jeffrey ,  DEMING, Stephen, R.

IPC: B81C1/00 ,  B28D5/00 ,  H01L21/762

CPC classification number: B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1635 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1645 ,  B41J2002/14403 ,  B81C99/001 ,  B81C99/008 ,  Y10T29/53983

Abstract: A method of etching a silicon substrate is described. The method includes bonding a first silicon substrate (200) to a sacrificial silicon substrate (240, 241). The first silicon substrate (200) is etched. A pressure is applied at an interface of the first silicon substrate (200) and the sacrificial silicon substrate (240, 241) to cause the first silicon substrate (200) to separate from the sacrificial silicon substrate (240, 241). An apparatus having metal blades (620) can be used to separate the substrates.

Abstract translation: 描述蚀刻硅衬底的方法。 该方法包括将第一硅衬底（200）接合到牺牲硅衬底（240,241）。 第一硅衬底（200）被蚀刻。 在第一硅衬底（200）和牺牲硅衬底（240,241）的界面处施加压力以使第一硅衬底（200）与牺牲硅衬底（240,241）分离。 具有金属刀片（620）的设备可用于分离基板。