公开(公告)号：WO2012071243A2

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：PCT/US2011/061199

申请日：2011-11-17

申请人： 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY ,  CLOUGH, Robert S., ,  NOVACK, James C., ,  REDINGER, David H., ,  MAO, Guoping, ,  GRIFFIN, Michael E.,

发明人： CLOUGH, Robert S., ,  NOVACK, James C., ,  REDINGER, David H., ,  MAO, Guoping, ,  GRIFFIN, Michael E.,

IPC分类号： H01L51/10

CPC分类号： H01L51/0537 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/052

摘要： An assembly includes a dielectric layer in contact with a semiconductor layer. The dielectric layer includes a crosslinked polymeric material having isocyanurate groups, wherein the dielectric layer is free of zirconium oxide particles. The semiconductor layer includes a non-polymeric organic semiconductor material, and is substantially free of electrically insulating polymer. Electronic components and devices including the assembly are also disclosed.

摘要翻译： 组件包括与半导体层接触的电介质层。 介电层包括具有异氰脲酸酯基团的交联聚合物材料，其中介电层不含氧化锆颗粒。 半导体层包括非聚合物有机半导体材料，并且基本不含电绝缘聚合物。 包括该组件的电子组件和设备也被披露。

公开(公告)号：WO2012059386A1

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：PCT/EP2011/068808

申请日：2011-10-27

申请人： BASF SE ,  KIRNER, Hans Jürg ,  KASTLER, Marcel ,  MARTIN, Emmanuel

发明人： KIRNER, Hans Jürg ,  KASTLER, Marcel ,  MARTIN, Emmanuel

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78 ,  H01L51/05 ,  H01L51/00 ,  B32B27/08 ,  B32B27/00 ,  C08J7/04 ,  C09D179/08 ,  C08G73/10

CPC分类号： C09D179/08 ,  C08G73/1042 ,  C08G73/106 ,  C08G73/1067 ,  C08G73/1075 ,  C08G73/1082 ,  C08J2477/00 ,  C08J2479/08 ,  C09B57/00 ,  C09B57/004 ,  C09B69/008 ,  C09B69/105 ,  C09B69/109 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545

摘要： The present invention provides a process for the preparation of a transistor on a substrate, which transistor comprises a layer, which layer comprises polyimide B, which process comprises the steps of i) forming a layer comprising photocurable polyimide A by applying photocur- able polyimide A on a layer of the transistor or on the substrate ii) irradiating the layer comprising photocurable polyimide A with light of a wavelength of > = 360 nm in order to form the layer comprising polyimide B, and a transistor obtainable by that process.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于在衬底上制备晶体管的方法，该晶体管包括一层，该层包括聚酰亚胺B，该层包括以下步骤：i）通过施加光固化聚酰亚胺A形成包含可光固化的聚酰亚胺A的层 在晶体管或衬底的层上，ii）用波长> = 360nm的光照射含有光固化聚酰亚胺A的层，以形成包含聚酰亚胺B的层，以及可通过该工艺获得的晶体管。

公开(公告)号：WO2011062093A9

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：PCT/JP2010069968

申请日：2010-11-10

申请人： SUMITOMO CHEMICAL CO ,  YAHAGI ISAO

发明人： YAHAGI ISAO

IPC分类号： H01L29/786 ,  C08G18/80 ,  C08K5/00 ,  C08L25/08 ,  C08L33/14 ,  H01L21/312 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/052 ,  C09J133/02 ,  C09J133/06 ,  H01L51/0545

摘要： Disclosed is an insulating layer material for an organic thin film transistor, which enables the production of an organic thin film transistor that has a threshold voltage of a small absolute value and low hysteresis. Specifically disclosed is a gate insulating layer material for an organic thin film transistor, which contains: (A) a polymer compound that has a repeating unit having a group that contains a fluorine atom, a repeating unit having a photodimerization reactive group, and a repeating unit having a first functional group that produces a second functional group that is reactive with active hydrogen by the action of an electromagnetic wave or heat; and an active hydrogen compound (B).

摘要翻译： 本发明公开了一种用于有机薄膜晶体管的绝缘层材料，其能够制造具有小绝对值和低滞后阈值电压的有机薄膜晶体管。 本发明的有机薄膜晶体管用栅极绝缘层材料具有：（A）具有含有氟原子的基团的重复单元的聚合物化合物，具有光二聚化反应性基团的重复单元以及重复 具有第一官能团的单元，所述第一官能团通过电磁波或热的作用产生可与活性氢反应的第二官能团; 和活性氢化合物（B）。

公开(公告)号：WO2011125690A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：PCT/JP2011/057937

申请日：2011-03-30

申请人： 住友化学株式会社 ,  矢作 公

发明人： 矢作　公

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/107 ,  H01L51/052

摘要： 発明の課題は、閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物を提供することである。課題の解決手段は、（Ａ）フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位を有する高分子化合物、及び（Ｂ）溶媒としてフッ素原子を有する有機化合物、を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物である。

摘要翻译： 所公开的用于有机薄膜晶体管绝缘层的组合物使得可以制造出具有很小滞后且具有低绝对值的阈值电压的有机薄膜晶体管。 所述组合物含有：（A）具有含有氟原子的基团的重复单元的高分子化合物; 和（B）由含有氟原子的有机化合物组成的溶剂。

公开(公告)号：WO2011111736A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：PCT/JP2011/055495

申请日：2011-03-09

申请人： 日本電気株式会社 ,  遠藤 浩幸

发明人： 遠藤　浩幸

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

摘要： 　本発明は、半導体層にカーボンナノ材料を用いたとしても、ヒステリシスの増大を抑制すると共に、半導体層と絶縁層の接着性を維持し、フレキシブル性を確保することができる電界効果型トランジスタ及びその製造方法を提供する。電界効果型トランジスタは、カーボンナノ材料を含有する半導体層と、半導体層に接して形成された第１電極及び第２電極と、第１電極と第２電極との間に流れる電流を制御するための第３電極と、半導体層と第３電極との間に形成された絶縁層と、を備える。絶縁層は、炭素数１～２０の炭素含有置換基を有する芳香族ポリアミドを含有する。

摘要翻译： 提供一种能够抑制滞后增加，保持半导体层和绝缘层之间的粘附性的场效应晶体管，并且即使当在半导体层中使用碳纳米材料时也确保柔性，并且还提供了一种用于 制造场效应晶体管。 场效应晶体管包括：含有碳纳米材料的半导体层; 形成为与半导体层接触的第一电极和第二电极; 用于控制在所述第一电极和所述第二电极之间流动的电流的第三电极; 以及形成在所述半导体层和所述第三电极之间的绝缘层。 绝缘层含有含有1〜20个碳原子的取代基的芳香族聚酰胺。

公开(公告)号：WO2010030050A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：PCT/KR2008/005427

申请日：2008-09-12

申请人： POSTECH ACADEMY-INDUSTRY FOUNDATION ,  CHO, Kil Won ,  LEE, Wi Hyoung ,  QIU, Long Zhen ,  LIM, Jung Ah ,  WANG, Xiao Hong

发明人： CHO, Kil Won ,  LEE, Wi Hyoung ,  QIU, Long Zhen ,  LIM, Jung Ah ,  WANG, Xiao Hong

IPC分类号： H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0566 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545

摘要： The present invention relates to a method of forming a multilayered thin film used to manufacture an organic thin film transistor, and, more particularly, to a method of simultaneously forming an organic semiconductor thin layer and a dielectric thin layer using vertical phase separation, and a high-performance organic thin film transistor manufactured using the method. The multilayered thin film of the present invention is formed by coating a substrate with a mixed solution of an organic semiconductor and an insulating polymer having different surface energies and then vertically phase- separating the applied mixed solution. The multilayered thin film includes an organic semiconductor thin film formed on an insulating polymer thin film. The organic thin film transistor including the multilayered thin film according to the present invention can exhibit excellent performance even when a small amount of organic semiconductor is used. Further, since the insulating polymer thin film can be used as a dielectric layer of the organic thin film transistor, a process of forming the dielectric layer is not required, and the damage of a lower layer of the multilayered thin film, occurring when the multilayered thin film is formed through a solution process, can be prevented.

摘要翻译： 本发明涉及一种形成用于制造有机薄膜晶体管的多层薄膜的方法，更具体地，涉及一种使用垂直相分离同时形成有机半导体薄层和电介质薄层的方法，以及 使用该方法制造的高性能有机薄膜晶体管。 本发明的多层薄膜通过用有机半导体和具有不同表面能的绝缘聚合物的混合溶液涂布基板，然后垂直相分离所施加的混合溶液而形成。 多层薄膜包括形成在绝缘聚合物薄膜上的有机半导体薄膜。 包括根据本发明的多层薄膜的有机薄膜晶体管即使在使用少量的有机半导体时也能表现出优异的性能。 此外，由于绝缘聚合物薄膜可以用作有机薄膜晶体管的电介质层，因此不需要形成电介质层的过程，并且多层薄膜的下层的损伤发生在多层薄膜 通过溶液法形成薄膜，可以防止。

公开(公告)号：WO2010010233A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：PCT/FI2009/050635

申请日：2009-07-20

申请人： ÖSTERBACKA, Ronald ,  WILÉN, Carl-Erik ,  KAIHOVIRTA, Nikolai ,  WIKMAN, Carl-Johan ,  MÄKELÄ, Tapio

发明人： ÖSTERBACKA, Ronald ,  WILÉN, Carl-Erik ,  KAIHOVIRTA, Nikolai ,  WIKMAN, Carl-Johan ,  MÄKELÄ, Tapio

IPC分类号： H01L51/05 ,  G02F1/167 ,  G01N27/414

CPC分类号： H01L51/052 ,  G02F1/1506 ,  G02F1/167 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0575 ,  H01M12/06

摘要： A circuit arrangement comprises a first electronic component, which is an organic field-effect transistor. It comprises a source electrode (111 ), a drain electrode (112), a channel region (113) and a gate electrode (114). A second electronic component is electrically coupled to the first electronic component. A membrane (101 ) exhibits ion-conductivity between the channel region (113) and the gate electrode (114). The membrane also exhibits ion-conductivity in a section (121 ) of the membrane that is located between a first part of the second electronic component and a second part of the second electronic component.

摘要翻译： 电路装置包括作为有机场效应晶体管的第一电子部件。 它包括源电极（111），漏电极（112），沟道区（113）和栅电极（114）。 第二电子部件电耦合到第一电子部件。 膜（101）在沟道区（113）和栅电极（114）之间显示出离子传导性。 所述膜还在所述膜的位于所述第二电子部件的第一部分和所述第二电子部件的第二部分之间的部分（121）中具有离子传导性。

公开(公告)号：WO2009075233A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：PCT/JP2008/072181

申请日：2008-12-05

申请人： 株式会社カネカ ,  井手 正仁 ,  眞鍋 貴雄 ,  情野 真

发明人： 井手 正仁 ,  眞鍋 貴雄 ,  情野 真

IPC分类号： C08G77/388 ,  B32B27/00 ,  C08G59/20 ,  C08K5/09 ,  C08K5/13 ,  C08K5/3477 ,  C08L83/08 ,  G03F7/075 ,  H01L21/312 ,  H01L29/786

CPC分类号： C08G77/388 ,  C08K5/549 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/0757 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3122 ,  H01L23/296 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/052 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： 　本発明の目的は、アルカリ水溶液での現像性を有し、かつ耐熱透明性、絶縁性に優れた硬化物、薄膜を与える、ポリシロキサン系化合物、その硬化性組成物及びそれを用いたパッシベーション膜またはゲート絶縁膜を有する薄膜トランジスタを提供することであり、本発明は、一分子中に光重合性官能基を少なくとも１個有し、かつ、イソシアヌル酸骨格構造と、フェノール性水酸基と、カルボキシル基とからなる群から選ばれる少なくとも一種を同一分子内に有するポリシロキサン系化合物、当該ポリシロキサン系化合物を含有する硬化性組成物、その硬化物に関する。

摘要翻译： 公开了提供可以用碱性水溶液显影的固化产物或薄膜，同时具有优异的耐热透明性和绝缘性的聚硅氧烷化合物。 还公开了聚硅氧烷化合物的可固化组合物和具有通过使用可固化组合物形成的钝化膜或栅极绝缘膜的薄膜晶体管。 具体公开了在分子内具有至少一个可光聚合官能团的聚硅氧烷化合物，同时具有至少一种选自异氰脲酸骨架结构，酚羟基和羧基的成员。 还具体公开了含有聚硅氧烷化合物的固化性组合物和可固化组合物的固化物。

公开(公告)号：WO2009041365A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：PCT/JP2008/067004

申请日：2008-09-19

申请人： シャープ株式会社 ,  香村 勝一 ,  青森 繁 ,  葛本 恭崇

发明人： 香村 勝一 ,  青森 繁 ,  葛本 恭崇

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/312 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/052 ,  H01L51/0533 ,  H01L51/0545

摘要： 　低閾値電圧の有機トランジスタにおいて、ゲート絶縁層のピンホールが生じ易く、穏和な条件で、ピンホールを塞ぐことが困難であった。 　少なくともゲート電極と、該ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層とを有する有機トランジスタにおいて、 前記ゲート絶縁層は、前記ゲート電極表面に、第一の共有結合を介して前記ゲート電極表面に対して略垂直方向に結合している第一の有機分子層と、 前記第一の有機分子層の未反応末端部に、第二の共有結合を介して結合している第二の有機分子層とから構成される積層分子膜とを含み、 前記第二の共有結合が、前記積層分子の長軸方向に直交する面方向で、互いに隣接する他の第二の共有結合との間で水素結合を形成していることを特徴とする有機トランジスタを提供することにより上記課題を解決する。

摘要翻译： 在具有低阈值电压的有机晶体管中，可能在栅极绝缘层中产生针孔，并且在温和条件下闭合针孔是困难的。 上述问题可以通过一种有机晶体管来解决，所述有机晶体管至少包括设置在栅电极上的栅极电极和栅极绝缘层，其特征在于，所述栅极绝缘层在所述栅电极的表面上包括层叠分子膜，所述层叠分子膜包括 第一有机分子层，其通过第一共价键基本上垂直于栅电极的表面键合;以及第二有机分子层，其通过第二共价键与第一有机分子层中的未反应的末端部分键合，第二共价键和 彼此相邻的另一个第二共价键在与堆叠分子的长轴方向正交的面方向上形成氢键。

公开(公告)号：WO2009013291A3

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：PCT/EP2008059598

申请日：2008-07-22

申请人： BASF SE ,  HENNIG INGOLF ,  DOETZ FLORIAN ,  ECKERLE PETER ,  PARASHKOV RADOSLAV ,  KASTLER MARCEL ,  VAIDYANATHAN SUBRAMANIAN

发明人： HENNIG INGOLF ,  DOETZ FLORIAN ,  ECKERLE PETER ,  PARASHKOV RADOSLAV ,  KASTLER MARCEL ,  VAIDYANATHAN SUBRAMANIAN

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/052 ,  H01L51/0529

摘要： A field effect element comprising: a source electrode and a drain-electrode, a semiconducting layer comprising a semiconducting compound being in contact with the source electrode and the drain electrode, - a gate electrode, and a dielectric layer comprising one or more compounds selected from hygroscopic organic compounds and/or from nanoparticulate inorganic compounds being arranged between the semiconducting layer and the gate electrode, wherein said hygroscopic organic compounds have a water absorption capability of more than 1.2 % by weight, and a hydrophobic insulating layer being arranged between the gate electrode and the dielectric layer preventing diffusion of water into the one or more hygroscopic compounds of the dielectric layer during the time of use of the field effect element, said hydrophobic insulating layer having a water absorption capability of less than 1.2 % by weight, the semiconducting layer, the dielectric layer or the hydrophobic insulating layer, or a combination thereof, being disposable from a liquid; and a process for producting the same.

摘要翻译： 一种场效应元件，包括：源电极和漏电极，包括与源电极和漏极接触的半导体化合物的半导体层， - 栅电极和包含一种或多种选自以下的化合物的介电层： 吸湿性有机化合物和/或从纳米颗粒无机化合物排列在半导电层和栅电极之间，其中所述吸湿有机化合物具有大于1.2重量％的吸水能力，疏水绝缘层设置在栅电极 以及介电层，其防止在使用场效应元件期间水进入介电层的一种或多种吸湿性化合物，所述疏水性绝缘层的吸水能力小于1.2重量％，所述半导体层 ，介电层或疏水绝缘层，或组合体 从液体中一次性使用; 以及产品的制造过程。