公开(公告)号：WO2014154880A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/EP2014/056330

申请日：2014-03-28

Applicant: ALEDIA

Inventor： SCARINGELLA, Sylvia ,  GILET, Philippe ,  HUGON, Xavier ,  GIBERT, Philippe

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/38 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/24

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2924/00014

Abstract: L'invention a pour objet un dispositif électroluminescent comprenant un ensemble de nanofils (NTi) sur l'ensemble de la surface d'un substrat (100), caractérisé en ce que : - il comprend au moins une première série de premiers nanofils et une seconde série de seconds nanofils; - ladite première série comprenant des premiers nanofils dits actifs (NTi a ) capables d'émettre de la lumière sous commande électrique, connectés entre un premier type de contact électrique et un second type de contact électrique pour permettre audit dispositif d'émettre de la lumière sous commande électrique, lesdits premiers nanofils étant recouverts d'au moins une couche (300) conductrice transparente à la longueur d'émission dudit dispositif électroluminescent, ladite couche étant en contact avec ledit premier type de contact électrique; - ladite seconde série comprenant des seconds nanofils dits de contact (NTi c ) encapsulés dans une couche de métal (700) permettant de constituer ledit premier type de contact électrique; - le second type de contact électrique étant situé en face arrière dudit substrat, opposée à la face comprenant lesdits nanofils et étant assuré par une couche conductrice au moins en regard de ladite première série de nanofils. L'invention a aussi pour objet un procédé de fabrication dudit dispositif électroluminescent.

Abstract translation: 本发明涉及一种电致发光器件，其包括在衬底（100）的整个表面上的纳米线阵列（Nti），其特征在于：其包括至少一个第一系列的第一纳米线和一个第二系列的第二纳米线; 所述第一系列包括能够在电气控制下发光的第一纳米线，称为活性纳米线（NTia），所述纳米线连接在第一类型的电接触和第二类型的电接触之间，以便允许所述器件发射 所述第一纳米线被所述电致发光器件的发射波长透明的至少一个导电层（300）覆盖，所述层与所述第一类型的电触头接触; 所述第二系列包括被称为接触纳米线（NTic）的第二纳米线，其被封装在允许形成所述第一类型电接触的金属层（700）中; 并且所述第二类型的电接触位于所述衬底的与所述纳米线的一侧相对的背面，并且由至少面向所述第一系列纳米线的导电层形成。 本发明还涉及一种用于制造所述电致发光器件的方法。

公开(公告)号：WO2020128341A1

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：PCT/FR2019/053176

申请日：2019-12-19

Applicant: ALEDIA

Inventor： MAYER, Frédéric ,  MERCIER, Frédéric ,  ROBIN, Ivan-Christophe ,  HUGON, Xavier

IPC: H01L25/075 ,  H01L25/16 ,  H01L33/44

Abstract: La présente description concerne un dispositif optoélectronique (100) comprenant un circuit intégré comprenant des diodes électroluminescentes (104), des transistors en couches minces (110), et un empilement (126) de couches isolantes électriquement, ledit empilement (126) étant situé entre les diodes électroluminescentes (104) et les transistors (110, 504), ledit empilement (126) comprenant en outre des éléments conducteurs (128, 132), entre et à travers lesdites couches isolantes, lesdits éléments conducteurs (128, 132) connectant au moins certains des transistors aux diodes électroluminescentes (104).

公开(公告)号：WO2019155146A1

公开(公告)日：2019-08-15

申请号：PCT/FR2019/050227

申请日：2019-02-01

Applicant: ALEDIA

Inventor： ROBIN, Ivan-Christophe ,  CHARBONNIER, Matthieu ,  HUGON, Xavier ,  DORNEL, Erwan

IPC: H01L27/15

CPC classification number: H01L27/15 ,  H01L27/156 ,  H01L33/24

Abstract: Un dispositif optoélectronique (10) comprend un substrat (11) et une pluralité d'ensembles (D,) de diodes électroluminescentes (DEL,) où chaque ensemble (D,) comprend une pluralité de diodes électroluminescentes (DEL,), une première électrode inférieure, une seconde électrode supérieure, un composant électronique d'un circuit électronique (16,) formé dans une première portion (14,, 14',) de substrat (11), du côté de la face (13) du substrat (11) ne portant pas les diodes électroluminescentes, et un premier moyen conducteur formé à travers la première portion (14,, 14',) et connectant électriquement une première borne du composant électronique à l'une des première et seconde électrodes. Le premier moyen conducteur d'un ensemble (D,) donné est électriquement isolé des premiers moyens conducteurs des autres ensembles (D,).

公开(公告)号：WO2015155437A1

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：PCT/FR2015/050810

申请日：2015-03-27

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  ALEDIA

Inventor： GASSE, Adrien ,  ANDRE, Bernard ,  BONO, Hubert ,  HUGON, Xavier

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/18

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L27/15 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: L'invention concerne un dispositif optoélectronique (5) comprenant un support (10) comprenant une face (14) ayant au moins une portion (15) concave ou convexe, l'amplitude de la flèche de ladite portion étant supérieure à 1/20 ème de la corde (C) de ladite portion, et des diodes électroluminescentes (18) reposant sur ladite portion, chaque diode électroluminescente comprenant un élément semiconducteur cylindrique, conique ou tronconique, au contact de ladite portion, l'amplitude de la flèche de la surface de contact entre chaque élément semiconducteur et ladite portion étant inférieure ou égale à 0,5 um.

Abstract translation: 本发明涉及一种光电子器件（5），其具有支撑件（10），该支架（10）包括具有至少一个凹部或凸部（15）的面（14），所述部分的矢状面的振幅高于 所述部分的弦（C）和布置在所述部分上的发光二极管（18），每个发光二极管包括与所述部分接触的圆柱形，圆锥形或截头圆锥形或截头圆锥半导体元件，触点的矢状的振幅 每个半导体元件和所述部分之间的表面低于或等于0.5μm。

公开(公告)号：WO2014064276A1

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：PCT/EP2013/072448

申请日：2013-10-25

Applicant: ALEDIA ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： GILET, Philippe ,  HUGON, Xavier ,  VAUFREY, David ,  BONO, Hubert ,  HYOT, Bérangère

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1852 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24

Abstract: Method for manufacturing an optoelectronic device (10) including a semiconductor substrate (14), pads (20) on a surface (18) of the substrate, semiconductor elements (24) each being in contact with a pad, and a dielectric region (22) extending in the substrate from said surface and connecting, for each pair of pads, one pad to the other pad; the method comprising the successive steps of: depositing a layer (50) on the substrate; forming portions (52) on said layer; etching parts of said layer not being covered with said portions to form the pads; removing said portions; and nitriding the pads and the parts of the substrate not being covered with the pads, wherein the nitriding step comprises successively: a first step of nitriding the pads at a first temperature; and a second step of nitriding the parts of the substrate not being covered with the pads at a second, different temperature.

Abstract translation: 制造包括半导体衬底（14）的光电子器件（10）的方法，衬底的表面（18）上的焊盘（20），与衬垫接触的半导体元件（24）和介电区域（22） ）从所述表面延伸到所述基板中，并且对于每对焊盘将一个焊盘连接到另一个焊盘; 该方法包括以下连续步骤：在衬底上沉积层（50）; 在所述层上形成部分（52）; 蚀刻所述层的部分不被所述部分覆盖以形成所述焊盘; 去除所述部分; 并且将所述衬垫和所述衬底的所述部分氮化并不被衬垫覆盖，其中所述氮化步骤包括：第一步骤，在第一温度下对所述衬垫进行氮化; 以及第二步骤，在不同温度的第二不同温度下，不用垫覆盖衬底的部分。

公开(公告)号：WO2022043053A1

公开(公告)日：2022-03-03

申请号：PCT/EP2021/072310

申请日：2021-08-10

Applicant: ALEDIA

Inventor： HUGON, Xavier ,  POURQUIER, Eric ,  MAYER, Frédéric ,  LACAVE, Thomas ,  GIBERT, Philippe ,  REBAUD, Mickaël ,  PETITPREZ, Emmanuel

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (1) comprenant : - Une fourniture d'un support (3) portant une pluralité de structures (2) semi-conductrices tridimensionnelles, - Une formation, d'une portion sacrificielle (30) sous un premier ensemble (21) de structures (2a) 3D de la pluralité de structures (2) semi-conductrices tridimensionnelles, - Une formation d'une portion barrière (50) autour de la portion sacrificielle (30), ladite portion barrière (50) présentant une paroi basale (51) s'étendant sous la portion sacrificielle (30), et une paroi latérale (52) s'étendant en bordure de la portion sacrificielle (30), - Une formation d'une tranchée d'accès (132) jusqu'à la portion sacrificielle (30), ladite tranchée d'accès (132) s'étendant de façon continue le long de la paroi latérale (52) de la portion barrière (50), - Une gravure de la portion sacrificielle (30) à partir de la tranchée d'accès (132), - Un enlèvement du premier ensemble (21) de structures (2a) 3D.

公开(公告)号：WO2018002485A1

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：PCT/FR2017/051671

申请日：2017-06-22

Applicant: ALEDIA

Inventor： DUPONT, Tiphaine ,  SCARINGELLA, Sylvia ,  DORNEL, Erwan ,  GIBERT, Philippe ,  GILET, Philippe ,  HUGON, Xavier ,  GOUTAUDIER, Fabienne

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

Abstract: L'invention concerne un dispositif optoélectronique (10) comprenant un substrat (12) comprenant des première et deuxième faces opposées (14, 16) et des éléments (18) d'isolation électrique latérale s'étendant dans le substrat et délimitant des premières portions semiconductrices ou conductrices (20) isolées électriquement. Le dispositif optoélectronique comprend, pour chaque première portion, un ensemble (D) de diodes électroluminescentes reliées électriquement à la première portion. Le dispositif optoélectronique comprend une couche d'électrode (36) recouvrant toutes les diodes électroluminescentes, une couche de protection (40) recouvrant la couche d'électrode, et des murs (42) s'étendant dans la couche de protection et délimitant des deuxièmes portions entourant ou en vis-à-vis des ensembles (D) de diodes électroluminescentes. Les murs contiennent au moins un matériau compris dans le groupe comprenant: l'air, un métal, un matériau semiconducteur, un alliage métallique, un matériau partiellement transparent et un coeur en un matériau au moins partiellement transparent recouvert d'une couche opaque ou réfléchissante.

Abstract translation: 本发明涉及包括具有第一和第二相对面（14,16）和线圈（14）的衬底（12）的光电子器件（10）。 （18）侧电绝缘构件延伸到基板中并限定电绝缘的第一半导体或导电部分（20）。 对于每个第一部分，光电子器件包括电连接到彼此的一组（D）电致发光二极管。 第一部分。 该光电子器件包括覆盖所有电致发光二极管的电极层（36），覆盖电极层的保护层（40）和壁（42）。 趋向于保护层并且限制包围或相对于（D）二极管电致发光的一对部分。 壁包含至少一种材料，包括由空气，金属，半导体材料，金属合金，部分透明材料和芯材组成的组中的一种材料。 至少部分透明，覆盖有不透明或片状的层。

公开(公告)号：WO2016102610A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：PCT/EP2015/081063

申请日：2015-12-22

Applicant: ALEDIA

Inventor： HUGON, Xavier

IPC: H01L21/66 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L22/24 ,  C09K11/06 ,  H01L22/20 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156 ,  H01L33/08 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: L'invention a pour objet une source de lumière électroluminescente à paramètre de luminance ajusté ou ajustable ((1, L), (V,L),...) caractérisé en ce que : • ladite source comporte un ensemble de segments (S i ), chaque segment (S i ) comprenant un élément discret électroluminescent ou plusieurs éléments discrets électroluminescents connectés de manière permanente entre eux et présentant une surface d'émission; • au moins une partie desdits segments présente des surfaces d'émission différentes; • ladite source comprenant des moyens de commande d'au moins une partie desdits segments (S i ).

Abstract translation: 本发明涉及一种具有调整或可调节的亮度参数（（1，L），（V，L），...））的电致发光光源，其特征在于：所述源包括一组段（S i），每个段 S i）包括永久互连并具有发射表面的离散电致发光元件或多个离散电致发光元件; 至少一些所述段具有不同的发射表面; 并且所述源包括用于控制所述段（S i）中的至少一些的装置。

公开(公告)号：WO2015044619A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：PCT/FR2014/052471

申请日：2014-09-30

Applicant: ALEDIA

Inventor： BOUVIER, Christophe ,  DORNEL, Erwan ,  HUGON, Xavier ,  CAGLI, Carlo

IPC: H01L33/08 ,  H01L29/772 ,  H01L29/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L27/06 ,  H01L33/14 ,  H05B33/00 ,  H05B33/08

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L27/15 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2924/0002 ,  H05B33/0884 ,  H01L2924/00

Abstract: L'invention concerne un dispositif optoélectronique (5) comprenant un substrat (10) semiconducteur non dopé ou dopé d'un premier type de conductivité, une première région semiconductrice (14) reliée électriquement au substrat, dopée du premier type de conductivité ou d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type, et plus fortement dopée que le substrat, un premier ensemble (A) de premières diodes électroluminescentes (DEL) reposant sur la première région semiconductrice, les premières diodes électroluminescentes comprenant des éléments semiconducteurs filaires, coniques ou tronconiques et une portion conductrice (36) au contact de la première région semiconductrice.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括半导体衬底（10）的光电器件（5），该半导体衬底（10）可选地掺杂有第一类导电性; 第一半导体区域（14），其电连接到所述衬底，掺杂有所述第一类型的导电性或第二相反类型的导电性并且比所述衬底更强地掺杂; 位于第一半导体区域上的第一发光二极管（DEL）的第一组（A），所述第一发光二极管包括线状，锥形或截头圆锥半导体元件; 和与第一半导体区域接触的导电部分（36）。