公开(公告)号：WO2017055244A1

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：PCT/EP2016/072912

申请日：2016-09-27

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

Inventor： STEGMEIER, Stefan ,  ZAPF, Jörg

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/03318 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15786 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kontaktierung einer Kontaktfläche (90) eines Halbleiterbauteils (50) und ein Elektronikmodul. Bei dem Verfahren zur Kontaktierung einer Kontaktfläche (90) eines Halbleiterbauteils (50), wird zunächst an die Kontaktfläche (90) eine sich in Richtung von der Kontaktfläche (90) weg verjüngende elektrisch leitfähige Schicht (200) gebracht und nachfolgend wird an der Schicht in zumindest einer Erstreckungsrichtung der Kontaktfläche angrenzend Isolationsmaterial (230) gebracht. Das Elektronikmodul ist insbesondere ein Leistungsmodul und umfasst ein Halbleiterbauteil mit einer Kontaktfläche (90) und mit einer Leiterbahn (225), wobei die Kontaktfläche (90) mittels eines solchen Verfahrens kontaktiert ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于接触半导体器件（50）和电子模块的接触表面（90）。 在用于接触半导体器件（50）的接触表面（90）的方法中，在所述接触表面（90）远离锥形导电层（200）的方向配置第一在接触表面（90），并随后在层 带来了相邻的绝缘材料（230）的接触面中的至少一个延伸的方向。 电子模块是特别的功率模块，并包括具有接触表面（90）的半导体器件，并与导体路径（225），其中，所述接触表面（90）是由这样的方法的装置接触。

公开(公告)号：WO2017035321A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：PCT/US2016/048609

申请日：2016-08-25

Applicant: ZIPTRONIX, INC.

Inventor： ENQUIST, Paul, M.

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/52 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L24/09 ,  H01L21/50 ,  H01L24/03 ,  H01L24/80 ,  H01L24/89 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/8019 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2225/06513

Abstract: A method for forming a direct hybrid bond and a device resulting from a direct hybrid bond including a first substrate having a first set of metallic bonding pads, preferably connected to a device or circuit, capped by a conductive barrier, and having a first non- metallic region adjacent to the metallic bonding pads on the first substrate, a second substrate having a second set of metallic bonding pads capped by a second conductive barrier, aligned with the first set of metallic bonding pads, preferably connected to a device or circuit, and having a second non-metallic region adjacent to the metallic bonding pads on the second substrate, and a contact-bonded interface between the first and second set of metallic bonding pads capped by conductive barriers formed by contact bonding of the first non-metallic region to the second non-metallic region.

Abstract translation: 一种用于形成直接杂化键的方法和由直接杂化键形成的器件，其包括具有第一组金属接合焊盘的第一衬底，该第一衬底优选地连接到被导电屏障封盖的器件或电路上， 金属区域，与第一基板上的金属接合焊盘相邻，第二基板具有由第二导电屏障覆盖的第二组金属接合焊盘，第二组导电屏障与第一组金属焊盘对准，优选地连接到器件或电路，以及 具有与第二基板上的金属接合焊盘相邻的第二非金属区域，以及由第一非金属区域与第一非金属区域接触形成的导电屏障封住的第一和第二组金属接合焊盘之间的接触接合界面 第二个非金属区域。

公开(公告)号：WO2017024140A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：PCT/US2016/045566

申请日：2016-08-04

Applicant: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

Inventor： CHANG, Randy, Li-Kai ,  PARRIS, Gene, Everad ,  CHEN, Hsiu, Mei ,  LEE, Yi-chia ,  LIU, Wen, Dar ,  CHEN, Tianniu ,  MATZ, Laura, M. ,  LO, Ryback, Li Chang ,  MENG, Ling-Jen

IPC: C11D11/00 ,  C11D3/39 ,  C11D3/34 ,  C11D3/00

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/0073 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5013 ,  C11D7/5022 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31133 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05614 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01047

Abstract: It is disclosed a photoresist cleaning composition for stripping a photoresist pattern having a film thickness of 3-150 μm, which contains (a) quaternary ammonium hydroxide (b) a mixture of water-soluble organic solvents (c) at least one corrosion inhibitor and (d) water, and a method for treating a substrate therewith.

Abstract translation: 公开了一种用于剥离膜厚度为3-150μm的光致抗蚀剂图案的光致抗蚀剂清洁组合物，其包含（a）季铵氢氧化物（b）水溶性有机溶剂（c），至少一种腐蚀抑制剂和 （d）水，以及用于处理基材的方法。

公开(公告)号：WO2017023579A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：PCT/US2016/043624

申请日：2016-07-22

Applicant: INVENSAS CORPORATION

Inventor： UZOH, Cyprian, Emeka ,  GAO, Guilian ,  LEE, Bongsub ,  MCGRATH, Scott ,  SHEN, Hong ,  WOYCHIK, Charles, G. ,  SITARAM, Arkalgud, R. ,  AGRAWAL, Akash

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/486 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

Abstract: A method of processing an interconnection element can include providing a substrate element having front and rear opposite surfaces and electrically conductive structure, a first dielectric layer overlying the front surface and a plurality of conductive contacts at a first surface of the first dielectric layer, and a second dielectric layer overlying the rear surface and having a conductive element at a second surface of the second dielectric layer. The method can also include removing a portion of the second dielectric layer so as to reduce the thickness of the portion, and to provide a raised portion of the second dielectric layer having a first thickness and a lowered portion having a second thickness. The first thickness can be greater than the second thickness. At least a portion of the conductive element can be recessed below a height of the first thickness of the second dielectric layer.

Abstract translation: 处理互连元件的方法可以包括提供具有前后相对表面和导电结构的衬底元件，覆盖前表面的第一电介质层和在第一介电层的第一表面处的多个导电触点，以及 第二电介质层覆盖在后表面上并且在第二介电层的第二表面处具有导电元件。 该方法还可以包括去除第二电介质层的一部分以减小该部分的厚度，并且提供具有第一厚度的第二介电层的凸起部分和具有第二厚度的下降部分。 第一厚度可以大于第二厚度。 导电元件的至少一部分可以凹陷到第二介电层的第一厚度的高度以下。

公开(公告)号：WO2016143580A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：PCT/JP2016/056061

申请日：2016-02-29

Applicant: 東レ株式会社

Inventor： 小山祐太朗 ,  奥田良治 ,  増田有希 ,  北村友弘 ,  荘司優

IPC: G03F7/023 ,  C08G73/10 ,  G03F7/20

CPC classification number: C08G73/1039 ,  C08G73/10 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/022 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/0236 ,  G03F7/031 ,  G03F7/039 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/322 ,  G03F7/40 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/3511

Abstract: 感光性樹脂組成物に用いた場合に、高伸度、低ストレス性、高感度、高残膜率を有する樹脂を提供する。 一般式（１）および／または（２）で表される構造を有し、 （ａ）一般式（１）および（２）のＲ １ として脂環構造を有する炭素数４～４０の有機基を１０～８０モル％含有し、（ｂ）一般式（１）および（２）のＲ ２ として炭素数２０～１００のポリエーテル構造を有する有機基を１０～８０モル％含有することを特徴とする樹脂を含有する、感光性樹脂組成物。 （一般式（１）および（２）中、Ｒ １ は単環式もしくは縮合多環式の脂環構造を有する炭素数４～４０の４価の有機基を示す。Ｒ ２ は炭素数２０～１００のポリエーテル構造を有する２価の有機基を示す。Ｒ ３ は水素または炭素数１～２０の有機基を示す。ｎ１、ｎ２はそれぞれ１０～１００，０００の範囲を示し、ｐ、ｑは０≦ｐ＋ｑ≦６を満たす整数を示す。）

Abstract translation: 提供一种如果在感光性树脂组合物中使用，则具有高伸长率，低应力，高灵敏度和高保持率的树脂。 一种含有具有通式（1）和/或通式（2）所示结构的树脂的感光性树脂组合物，其特征在于，（a）10-80摩尔％具有脂环式 包含作为通式（1）和（2）的R 1部分的结构和4-40个碳原子，（b）含有具有20-100个碳原子的聚醚结构的有机基团的10-80摩尔％ 作为通式（1）和（2）的R 2部分。 （通式（1）和（2）中，R 1表示具有单环或多环脂环结构和4-40个碳原子的四价有机基团; R 2表示具有20-100个碳原子的聚醚结构的二价有机基团; R3表示氢原子或具有1-20个碳原子的有机基团; n1和n2各自表示10-100,000的数字; p和q表示满足0≤p+q≤6的整数）。

公开(公告)号：WO2016107336A1

公开(公告)日：2016-07-07

申请号：PCT/CN2015/095422

申请日：2015-11-24

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 丁万春

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1162 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种晶圆级封装的制作方法，在第一芯片（1）上形成第一光刻胶（6），在第一光刻胶（6）上形成多个第一开口部（61），露出第一芯片（1）的功能面；在从多个第一开口部（61）露出的功能面上形成凸点下金属层（11），然后去除第一光刻胶（6）；将第二芯片（2）的功能凸点（21）与第一芯片（1）上的凸点下金属层（11）连接；在第一芯片（1）和第二芯片（2）之间形成填充层（5）；在第一芯片（1）上形成顶面包含有焊球（4）的连接部件（3），焊球（4）的顶面高于第二芯片（2）的顶面。将第一芯片（1）和第二芯片（2）面对面设置，形成填充层（5）；再在第一芯片（1）的连接部件（3）上植焊球（4），由此组成的芯片结构在后续倒装工艺中，利用焊球（4）与第二芯片（2）形成的高度差，就可以将芯片结构倒装，而不破坏芯片结构，倒装时不会损坏第二芯片（2），降低了加工过程中的风险。

公开(公告)号：WO2016083332A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：PCT/EP2015/077424

申请日：2015-11-24

Applicant: IMEC VZW

Inventor： KIM, Soon-Wook ,  PENG, Lan ,  VERDONCK, Patrick ,  MILLER, Robert ,  BEYER, Gerald ,  BEYNE, Eric

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31053 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/83031 ,  H01L2224/83047 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0504 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/2011

Abstract: A method for bonding a first semiconductor substrate to a second semiconductor substrate by direct bonding is described. The substrates are both provided on their contact surfaces with a dielectric layer, followed by a CMP step for reducing the roughness of the dielectric layer. Then a layer of SiCN is deposited onto the dielectric layer, followed by a CMP step which reduces the roughness of the SiCN layer to the order of 1 tenth of a nanometre. Then the substrates are subjected to a pre-bond annealing step and then bonded by direct bonding, possibly preceded by one or more pre- treatments of the contact surfaces, and followed by a post- bond annealing step, at a temperature of less than or equal to 250°C. It has been found that the bond strength is excellent, even at the above named annealing temperatures, which are lower than presently known in the art.

Abstract translation: 描述通过直接接合将第一半导体衬底接合到第二半导体衬底的方法。 这些基板都在其接触表面上设置有电介质层，接着是用于减小电介质层粗糙度的CMP步骤。 然后将一层SiCN沉积到介电层上，随后是CMP步骤，其将SiCN层的粗糙度降低到十分之一纳米。 然后将基板进行预结合退火步骤，然后通过直接接合进行粘合，可能之前是接触表面的一个或多个预处理，然后是后接合退火步骤，其温度低于或等于 等于250°C。 已经发现，即使在上述命名的退火温度下，粘合强度也是优异的，其比现有技术中已知的低。

公开(公告)号：WO2016059744A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：PCT/JP2015/004289

申请日：2015-08-26

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 渡邉　裕彦 ,  齋藤　俊介 ,  小野　眞裕 ,  渡辺　孝志 ,  佐野　真二 ,  大西　一永

IPC: B23K1/19 ,  B23K1/00 ,  B23K35/26 ,  C22C13/02 ,  H01L21/52 ,  H01L23/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/34 ,  B23K101/40 ,  B23K101/42

CPC classification number: H01L24/48 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K1/19 ,  B23K1/203 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K2201/42 ,  C22C13/02 ,  H01L21/52 ,  H01L23/40 ,  H01L23/4827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/49 ,  H01L24/81 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48506 ,  H01L2224/4852 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85359 ,  H01L2224/85805 ,  H01L2224/85825 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/10166 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 　Ａｇ含有部材に半田付けされるＡｇ含有鉛フリー半田の半田付け方法において、ボイドの発生防止及び半田濡れ性を向上させる。本発明のＡｇ含有鉛フリー半田の半田付け方法は、質量Ｍ（ｇ）の半田付け前のＳｎ－Ａｇ系鉛フリー半田に含まれるＡｇ濃度Ｃ（質量％）と、Ａｇ含有部材に含まれるＡｇの溶出量Ｂ（ｇ）との関係が、１．０質量％　≦（Ｍ×Ｃ＋Ｂ）Ｘ１００／（Ｍ＋Ｂ）≦　４．６質量％となるＡｇを含有し、残部がＳｎおよび不可避不純物よりなる組成を有する鉛フリー半田と、前記Ａｇ含有部材と接触させる第１工程と、前記鉛フリー半田を加熱して溶融する第２工程と、前記鉛フリー半田を冷却する第３工程と、を備えるＡｇ含有鉛フリー半田の半田付け方法。

Abstract translation: 用于将要焊接的含Ag的铅释放焊料焊接到含Ag构件的方法中，防止了空隙和焊料润湿性的发生。 根据本发明的用于焊接含Ag的无铅焊料的方法包括：第一步骤，其中含Ag组分和无铅焊料，其具有包含Ag的组成，使得Ag浓度C 焊锡前的Sn-Ag系无铅焊料的质量M（g）中含有的Ag含量（质量％）和含Ag成分中所含的Ag的溶出量B（g）满足1.0质量％≤（M× C + B）×100 /（M + B）≤4.4质量％，其余量由Sn和不可避免的杂质构成，彼此接触; 第二步，其中无铅焊料被加热和熔化; 以及第三步骤，其中无铅焊料被冷却。

公开(公告)号：WO2016049084A1

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：PCT/US2015/051552

申请日：2015-09-22

Applicant: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED ,  TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED

Inventor： WEN, Huang-Chun ,  BAILEY, Richard, Allen ,  ACOSTA, Antonio, Guillermo ,  RODRIGUEZ, John, A. ,  SUMMERFELT, Scott, Robert ,  SAN, Kemal, Tamer

IPC: H01L27/115 ,  H01G7/06

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/014

Abstract: Curing of a passivation layer (60) is applied to the surface of a ferroelectric integrated circuit to enhance the polarization characteristics of ferroelectric structures (55). A passivation layer (60), such as a polyimide, is applied to the surface of the ferroelectric integrated circuit after fabrication of the active devices. The passivation layer (60) is cured by exposure to a high temperature, below the Curie temperature of ferroelectric material (62), for a short duration such as on the order of ten minutes. Variable frequency microwave energy may be used to effect such curing. The cured passivation layer (60) attains a tensile stress state, and as a result imparts a compressive stress upon the underlying ferroelectric material (62). Polarization may be further enhanced by polarizing the ferroelectric material (62) before the cure process.

Abstract translation: 钝化层（60）的固化被施加到铁电集成电路的表面以增强铁电结构（55）的极化特性。 在制造有源器件之后，将钝化层（例如聚酰亚胺）施加到铁电集成电路的表面。 钝化层（60）通过暴露于低于铁电材料（62）的居里温度的高温下固化，持续时间短，例如十分钟左右。 可以使用变频微波能量来实现这种固化。 固化的钝化层（60）达到拉伸应力状态，并且因此施加压缩应力到下面的铁电材料（62）。 在固化过程之前极化铁电材料（62）可以进一步提高极化。

公开(公告)号：WO2016021632A1

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：PCT/JP2015/072215

申请日：2015-08-05

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社

Inventor： 藤井　義磨郎 ,  小栗　洋 ,  坂本　明 ,  田口　智也

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L23/12 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L31/02002 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/103 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/28105 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29018 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00014

Abstract: 　電子部品１Ａは、基材１０と、複数の導電性金属材料層２１，２２，２３の積層体２０と、Ａｕ－Ｓｎ合金ハンダからなるハンダ層３０と、を備えている。積層体２０は、基材１０上に配置されている。ハンダ層３０は、積層体２０上に配置されている。積層体２０は、最外層を構成する導電性金属材料層２３として、Ａｕからなる表面層を有している。表面層は、ハンダ層３０が配置されるハンダ層配置領域２３ａと、ハンダ層３０が配置されないハンダ層非配置領域２３ｂと、を含んでいる。ハンダ層配置領域２３ａとハンダ層非配置領域２３ｂとは、空間的に離間している。

Abstract translation: 电子部件1A设置有：基板10; 包括多个导电金属材料层21,22,23的层叠体20; 以及包含Au-Sn合金焊料的焊料层30。 层叠体20设置在基板10上。焊料层30配置在层叠体20上。层叠体20具有由构成最外层的导电性金属材料层23构成的​​Au的表面层。 表面层包括其中设置有焊料层30的焊料层设置区域23a和不设置焊料层30的焊料层未设置区域23b。 焊料层设置区域23a和焊料层非配置区域23b在空间上分离。