公开(公告)号：WO2011044359A2

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：PCT/US2010/051818

申请日：2010-10-07

Applicant: OVSHINSKY INNOVATION, LLC ,  OVSHINSKY, Stanford

Inventor： OVSHINSKY, Stanford

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32752 ,  H01J37/32761 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/18

Abstract: A continuous thin film deposition apparatus that includes a remote plasma source. The source forms a plasma from a precursor and delivers a modified form of the plasma as a charge-depleted deposition medium to a deposition apparatus for formation of a thin film material. The thin film may be formed on a continuous web or other moving substrate. The charge-depleted deposition medium may be formed within the remote plasma source and delivered to an operatively coupled deposition apparatus or the charge-depleted deposition medium may form as the plasma exits the remote plasma source. The initial plasma is formed within the remote plasma source and includes a distribution of charged species (electrons and ions). The charge-depleted deposition medium contains a reduced concentration of the charged species and permits deposition of thin film materials having lower defect concentration. The thin film material may be a solar material.

Abstract translation: 一种包括远程等离子体源的连续薄膜沉积设备。 源形成来自前体的等离子体，并将等离子体的修饰形式作为电荷耗尽的沉积介质递送到用于形成薄膜材料的沉积设备。 薄膜可以形成在连续的幅材或其它移动的基底上。 电荷耗尽的沉积介质可以形成在远程等离子体源内并且被输送到可操作耦合的沉积设备，或者当等离子体离开远程等离子体源时可形成耗尽电荷的沉积介质。 初始等离子体形成在远程等离子体源内，并且包括带电物质（电子和离子）的分布。 电荷耗尽的沉积介质含有降低的带电量的浓度，并允许沉积具有较低缺陷浓度的薄膜材料。 薄膜材料可以是太阳能材料。

公开(公告)号：WO2010124271A3

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：PCT/US2010032333

申请日：2010-04-26

Applicant: OVSHINSKY INNOVATION LLC ,  OVSHINSKY STANFORD

Inventor： OVSHINSKY STANFORD

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C16/44 ,  C23C16/452 ,  C23C16/50 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32761 ,  H01L21/0262

Abstract: A method and apparatus for forming thin film materials via a plasma deposition process in the presence of a magnetic field. A precursor is delivered to a deposition chamber and activated to form a plasma. The plasma may be initiated in the presence of a magnetic field or subjected to a magnetic field after initiation. The plasma includes ionized and neutral species derived from the precursor and the magnetic field manipulates the plasma to effect a reduction in the population of ionized species and an enhancement of the population of neutral species. A thin film material is subsequently formed from the resulting neutral-enriched deposition medium. The method permits formation of thin film materials having a low density of defects. In one embodiment, the thin film material is a photovoltaic material and the suppression of defects leads to an enhancement in photovoltaic efficiency.

Abstract translation: 一种在磁场存在下通过等离子体沉积工艺形成薄膜材料的方法和装置。 将前体输送到沉积室并激活以形成等离子体。 等离子体可以在磁场的存在下开始，或者在引发之后经受磁场。 等离子体包括源自前体的离子化和中性物质，并且磁场操纵等离子体以实现电离物质群体的减少和中性物种群体的增强。 随后由所得中性富集沉积介质形成薄膜材料。 该方法允许形成具有低密度缺陷的薄膜材料。 在一个实施例中，薄膜材料是光伏材料，并且缺陷的抑制导致光伏效率的提高。

公开(公告)号：WO2010054087A3

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：PCT/US2009063408

申请日：2009-11-05

Applicant: UNITED SOLAR OVONIC LLC ,  XU XIXIANG ,  BEGLAU DAVID ALAN ,  YUE GUOZHEN ,  YAN BAOJIE ,  LI YANG ,  JONES SCOTT ,  GUHA SUBHENDU ,  YANG CHI

Inventor： XU XIXIANG ,  BEGLAU DAVID ALAN ,  YUE GUOZHEN ,  YAN BAOJIE ,  LI YANG ,  JONES SCOTT ,  GUHA SUBHENDU ,  YANG CHI

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C16/22 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32761 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262

Abstract: A VHF energized plasma deposition process wherein a process gas is decomposed in a plasma so as to deposit the thin film material onto a substrate, is carried out at process gas pressures which are in the range of 0.5-2.0 torr, with substrate temperatures that do not exceed 300° C, and substrate-cathode spacings in the range of 10-50 millimeters. Deposition rates are at least 5 angstroms per second. The present method provides for the high speed deposition of semiconductor materials having a quality at least equivalent to materials produced at a much lower deposition rate.

Abstract translation: VHF通电等离子体沉积工艺，其中工艺气体在等离子体中分解以将薄膜材料沉积到衬底上，在处理气体压力为0.5-2.0乇的范围内进行，衬底温度为 不超过300℃，衬底 - 阴极间距在10-50毫米的范围内。 沉积速率至少为每秒5埃。 本方法提供了具有至少相当于以非常低的沉积速率产生的材料的质量的半导体材料的高速沉积。

公开(公告)号：WO2009059640A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：PCT/EP2007/062084

申请日：2007-11-08

Applicant: APPLIED MATERIALS INC., A CORPORATION OF THE STATE OF DELAWARE ,  STAHR, Frank ,  STEPHAN, Ulf ,  STEINKE, Olaff ,  SCHADE, Klaus

Inventor： STAHR, Frank ,  STEPHAN, Ulf ,  STEINKE, Olaff ,  SCHADE, Klaus

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32568 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32761

Abstract: The present invention comprises an electrode arrangement for a coating device with a stationary first electrode (3) and a second movable electrode (18), whose principle surfaces are opposing each other during coating, wherein the second electrode (18) may be moved along a plane parallel to the opposing principle surfaces, wherein at least one end face of an electrode running transversely to the principal surface an electrical shield (12, 19, 13) is provided, which extends at least partially parallel to the end face of one electrode, wherein at least one part (14) of the shield is formed so as to be movable.

Abstract translation: 本发明包括一种用于具有固定第一电极（3）和第二可动电极（18）的涂覆装置的电极装置，其主要表面在涂覆期间彼此相对，其中第二电极（18）可以沿着 平行于相对的原理表面的平面，其中提供横向于主表面延伸至少部分平行于一个电极的端面的电屏蔽（12,19）13的电极的至少一个端面， 其中所述屏蔽件的至少一个部分（14）形成为可移动的。

公开(公告)号：WO2009053235A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：PCT/EP2008/063354

申请日：2008-10-06

Applicant: Industrial Plasma Services & Technologies - IPST GmbH ,  VANDEN BRANDE, Pierre

Inventor： VANDEN BRANDE, Pierre

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32761

Abstract: L'invention concerne un procédé et un dispositif de traitement par plasma de substrats métalliques ou isolants (3) défilant d'une manière sensiblement continue dans une chambre à vide présentant une zone de traitement (2), le plasma étant maintenu par couplage inductif radio-fréquence dans la zone de traitement (2) au moyen d'un inducteur (4) connecté à un générateur radio-fréquence, dans lequel l'on protège l'inducteur (4) de toute contamination par la matière émise par la surface des substrats (3) par un écran de Faraday (7) qui est positionné entre le plasma et l'inducteur (4), et dans lequel l'on polarise électriquement positivement en moyenne l'écran de Faraday (7) par rapport aux substrats (3) ou par rapport à une contre-électrode présent dans le plasma.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于等离子体处理金属基板或绝缘基板（3）的方法和装置，该金属基板或绝缘基板（3）基本上连续地穿过具有处理区（2）的真空室，该等离子体由处理区中的射频感应耦合 2）通过连接到射频发生器的电感器（4），其中保护电感器（4）免受由法拉第笼（7）的衬底（3）的表面发射的材料的任何污染， ，其位于等离子体和电感器（4）之间，并且其中法拉第笼（7）平均相对于基板（3）正电积极地或相对于等离子体中存在的对电极而被电气偏置。

公开(公告)号：WO2008099630A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：PCT/JP2008/050348

申请日：2008-01-15

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  玉垣 浩

Inventor： 玉垣 浩

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32018 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32752 ,  H01J37/32761 ,  H01J37/3277

Abstract: 　巻き掛けられた基材Ｓが対向するように平行に対向して配置された一対の成膜ロール２，３と、前記各成膜ロール２，３の内部に設けられ、前記成膜ロールの間の対向空間５に面したロール表面付近にプラズマを収束させるように磁場を発生させる磁場発生部材１２，１３と、一方の電極と他方の電極とが交互に極性が反転するプラズマ電源１４と、前記対向空間５に成膜ガスを供給するガス供給管８及び前記対向空間を真空排気する真空排気手段を有する。前記プラズマ電源１４は、その一方の電極が一方の成膜ロール２に接続され、他方の電極が他方の成膜ロール３に接続される。

Abstract translation: 连续成膜装置包括一对成膜辊（2,3），其中卷绕基板（S）平行地相对布置，设置在各个成膜辊（2，3）中的磁场产生件（12,13） 3），并且产生用于将等离子体会聚到面向成膜辊之间的相对空间（5）的辊表面附近的磁场，其中一个和另一个电极的极性交替地反转的等离子体电源（14） 用于将气体供给到相对空间（5）的气体供给管（8）和用于真空泵送相对空间（5）的装置。 等离子体电源（14）具有与一个成膜辊（2）连接的一个电极，另一个电极与另一个成膜辊（3）连接。

公开(公告)号：WO2005007728A1

公开(公告)日：2005-01-27

申请号：PCT/KR2003/002110

申请日：2003-10-13

Applicant: EPON CO., LTD. ,  CHOI, Yong Rak

Inventor： CHOI, Yong Rak

IPC: C08J7/12

CPC classification number: C23C14/48 ,  B29C59/142 ,  C23C14/566 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32761

Abstract: The present invention provides a continuous surface treatment apparatus of tridimensional-shaped polymer by plasma ion implantation, which includes a high frequency power supplying device for generating plasma for injecting ions, and having a high frequency power supplying unit, a matching box, and an antenna, a gas introducing unit for supplying process gas to be ionized for plasma, a gas supplying unit connected to the gas introducing unit, a processing chamber having a vacuum pump and the like, a leading-in chamber, and an leading-out chamber, which are installed before and after the processing chamber respectively with adjacent thereto, and are adapted to be gas-exhaustible, a transferring unit installed to sequentially pass by through the leading-in chamber, the processing chamber, and the leading-out chamber, transferring means for driving the transferring unit, and doors being positioned in the leading-in chamber and the leading-out chamber respectively, and in partitions between the leading-in chamber and the processing chamber, and between the processing chamber and the leading-out chamber respectively, and automatically capable of being opened/closed so that the transferring unit can pass by therethrough.

Abstract translation: 本发明提供了一种通过等离子体离子注入的三维形状聚合物的连续表面处理装置，其包括用于产生用于注入离子的等离子体的高频供电装置，并具有高频供电部，匹配盒和天线 用于供给待等离子体离子化的处理气体的气体导入单元，连接到气体导入单元的气体供给单元，具有真空泵等的处理室，导入室和出口室， 它们分别安装在处理室之前和之后，分别与其相邻，并且适于被气体排出;传送单元，安装成依次通过引入室，处理室和引出室，传送 用于驱动传送单元的装置，以及分别位于引导室和引出室中的门和门 在导入室和处理室中，以及处理室和引出室之间，并且能够自动地打开/关闭，以使得传送单元能够通过。

公开(公告)号：WO2015055781A1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：PCT/EP2014/072257

申请日：2014-10-16

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.

Inventor： VERGÖHL, Michael ,  RADEMACHER, Daniel ,  ZICKENROTT, Tobias

IPC: G02B5/20 ,  C23C14/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/10 ,  H01J37/34

CPC classification number: H01J37/3405 ,  C23C14/0078 ,  C23C14/0094 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/14 ,  C23C14/35 ,  G02B5/285 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32761 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/347 ,  H01J2237/332

Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf die Abscheidung optischer Präzisionsschichten mit hoher Uniformität, Präzision, Partikelfreiheit und geringer Absorption auf dem Substrat. Dazu wird ein Verfahren und eine Vorrichtung vorgeschlagen. Ansatz ist die Verwendung von Targetmaterialien sowie ggf. von Oberflächen im Sputterbereich. Es wird eine besonders hohe Uniformität als auch eine besonders geringe Restabsorption mit diesen Materialien erreicht. Die Erfindung eignet sich zur Herstellung optischer Dünnschichtfilter, wie sie beispielsweise in der Laser-Materialbearbeitung, Laserkomponenten, optischen Sensoren für die Messtechnik, oder in der medizinischen Diagnostik zum Einsatz kommen.

Abstract translation: 本发明涉及具有高的均匀性，精度，无微粒和低吸收到衬底精密光学层的沉积。 为此目的，一种方法和设备，提出了 的方法是使用靶材料，和任选的在所述溅射区域的表面。 所以实现特别高的均匀性，并与这些材料具有特别低的残留吸收。 本发明是适用于制造光学薄膜滤波器的激光组件，光学传感器，用于测量或在医学诊断中使用，例如在激光材料加工。

公开(公告)号：WO2014118063A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：PCT/EP2014/051261

申请日：2014-01-22

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  LOTZ, Hans-Georg ,  MORRISON, Neil ,  DIEGUEZ-CAMPO, Jose Manuel ,  LANDGRAF, Heike ,  STOLLEY, Tobias ,  HEIN, Stefan ,  RIES, Florian ,  BUSCHBECK, Wolfgang

Inventor： LOTZ, Hans-Georg ,  MORRISON, Neil ,  DIEGUEZ-CAMPO, Jose Manuel ,  LANDGRAF, Heike ,  STOLLEY, Tobias ,  HEIN, Stefan ,  RIES, Florian ,  BUSCHBECK, Wolfgang

IPC: C23C14/56 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/458 ,  C23C14/562 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32761 ,  H01J37/3277 ,  Y10T29/49826

Abstract: An apparatus for coating a thin film on a flexible substrate is described. The apparatus includes a coating drum having an outer surface for guiding the flexible substrate through a first vacuum processing region and at least one second vacuum processing region, a gas separation unit for separating the first vacuum processing region and at least one second vacuum processing region and adapted to form a slit through which the flexible substrate can pass between the outer surface of the coating drum and the gas separation unit, wherein the gas separation unit is adapted to control fluid communication between the first processing region and the second processing region by adjusting the position of the gas separation unit.

Abstract translation: 描述了在柔性基板上涂覆薄膜的装置。 该设备包括：涂层滚筒，其具有用于引导柔性基板穿过第一真空处理区域和至少一个第二真空处理区域的外表面;气体分离单元，用于分离第一真空处理区域和至少一个第二真空处理区域;以及 适于形成狭缝，柔性基底可以通过该狭缝在涂布滚筒的外表面和气体分离单元之间通过，其中气体分离单元适于通过调节第一处理区域和第二处理区域之间的流体连通 气体分离单元的位置。

公开(公告)号：WO2014002842A1

公开(公告)日：2014-01-03

申请号：PCT/JP2013/066804

申请日：2013-06-19

Applicant: 株式会社アルバック

Inventor： 齋藤　和彦 ,  飯島　正行 ,  廣野　貴啓 ,  中森　建治

IPC: C23C14/12 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C14/12 ,  B05D1/60 ,  B05D3/06 ,  B05D2252/02 ,  C23C14/228 ,  C23C14/562 ,  C23C14/58 ,  H01J37/32761 ,  H01J37/3277

Abstract: 　本発明は、加熱により生成した有機化合物の蒸気によって高成膜レートで有機薄膜を形成する。　成膜室４３をバッファー室４２の内部に配置し、中央ローラ１７の一部側面を成膜室開口５４から成膜室４３内に挿入し、その部分の側面に密着させながら、基材フィルム２３を走行させる。成膜室４３に接続された蒸気生成装置２６から蒸気をキャリアガスによって運搬し、冷却装置３０によって中央ローラ１７を冷却し、基材フィルム２３を蒸気の凝集温度以下の温度に冷却し、成膜室４３内に放出された蒸気によって基材フィルム２３の表面に有機原料層３５を形成し、中央ローラ１７を回転させて硬化室４４に於いてエネルギー線を照射し、硬化させる。バッファー室４２は低圧力に真空排気して、成膜室開口５４から流出したキャリアガスと蒸気が硬化室４４やロール室４１に流入しないようにされている。

Abstract translation: 本发明通过加热产生的有机化合物的蒸汽以高成膜速度形成有机薄膜。 成膜室（43）设置在缓冲室（42）的内部，中心辊（17）的一部分的侧面从成膜室开口部（43）插入成膜室（43） 54），并且在与上述部分的侧部紧密接触的同时使基材膜（23）进行行进运动。 连接到成膜室（43）的蒸汽产生装置（26）的蒸汽由载气承载，中心辊（17）通过冷却装置（30），基材膜 23）被冷却到等于或低于蒸气的冷凝温度的温度，并且通过释放的蒸气在基材膜（23）的表面上形成有机原料层（35） 成膜室（43），并通过使中心辊（17）旋转并通过在固化室（44）中发射的能量射线来固化。 缓冲室（42）被抽空到低压，使得从成膜室开口（54）流出的蒸汽和载气不流入固化室（44）或辊室（41）。