公开(公告)号：WO2012164992A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：PCT/JP2012/055909

申请日：2012-03-08

申请人： パナソニック株式会社 ,  国立大学法人信州大学 ,  関 直貴 ,  山田 勝信 ,  内田 雄一 ,  新井 進

发明人： 関　直貴 ,  山田　勝信 ,  内田　雄一 ,  新井　進

IPC分类号： C25D15/02 ,  C23C18/52 ,  C25D5/02 ,  C25D7/00 ,  H01R13/03

CPC分类号： H01R13/02 ,  C23C18/1603 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1662 ,  C25D3/12 ,  C25D3/62 ,  C25D5/02 ,  C25D5/026 ,  C25D5/12 ,  C25D15/00 ,  H01R12/716 ,  H01R13/03

摘要： 　接触により電気的接続を行う接点部と、半田接合により外部との電気的接続を行う実装部とを備える。前記接点部の表面にはカーボンナノチューブ又はカーボンブラックを含有するめっき層が選択的に形成される。前記実装部には前記カーボンナノチューブ又はカーボンブラックを含有するめっき層よりも半田濡れ性の高いめっき層が形成される。

摘要翻译： 该电接触部件包括用于通过接触提供电连接的接触点和用于通过焊料接合与外部电连接的安装部件。 在接触点的表面上选择性地形成含有碳纳米管或炭黑的镀层。 在安装部上形成有比含有碳纳米管或炭黑的镀层更大的焊料润湿性的镀层。

公开(公告)号：WO2011052966A3

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：PCT/KR2010007371

申请日：2010-10-26

申请人： HANWHA CHEMICAL CORP ,  UNIV YONSEI IACF ,  SON WON IL ,  PARK SUN JIN ,  KIM EUI DUK ,  OH SEOK HEON ,  MOON JOO HO ,  WOO KYOO HEE ,  KIM DONG JO

发明人： SON WON IL ,  PARK SUN JIN ,  KIM EUI DUK ,  OH SEOK HEON ,  MOON JOO HO ,  WOO KYOO HEE ,  KIM DONG JO

IPC分类号： C23C18/52 ,  C23C18/16 ,  C23C18/54

CPC分类号： H01B1/22 ,  B22F3/22 ,  B22F3/24 ,  B22F2998/10 ,  B82Y30/00 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/40 ,  C08K3/08 ,  C08K9/04 ,  C09C1/62 ,  C09C1/627 ,  C09D5/24 ,  C09D7/62 ,  C09D11/52 ,  B22F2001/0092 ,  B22F3/1021 ,  B22F3/105 ,  B22F2003/241

摘要： The present invention relates to a method for manufacturing a conductive metal thin film, including: preparing a conductive metal coating solution by adding carboxylic acid to a dispersion including a conductive metal particle having a core/shell structure; coating the conductive metal coating solution on a top portion of a substrate, heat-treating it, and removing an metal oxide layer of the surface of the conductive metal particle having the core/shell structure; and forming a thin film of the conductive metal particle from which the metal oxide layer is removed.

摘要翻译： 本发明涉及一种导电性金属薄膜的制造方法，其包括：在含有具有核/壳结构的导电性金属粒子的分散液中添加羧酸来制备导电性金属涂布液的工序; 将导电金属涂覆溶液涂覆在基板的顶部上，对其进行热处理，并去除具有核/壳结构的导电金属颗粒的表面的金属氧化物层; 以及形成去除了金属氧化物层的导电金属颗粒的薄膜。

公开(公告)号：WO2011089933A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：PCT/JP2011/050156

申请日：2011-01-07

申请人： アイテック株式会社 ,  国立大学法人 新潟大学 ,  小泉 将治 ,  佐々木 肇 ,  鈴木 寛 ,  坪川 紀夫

发明人： 小泉　将治 ,  佐々木　肇 ,  鈴木　寛 ,  坪川　紀夫

IPC分类号： C25D15/02 ,  C01B31/06 ,  C23C18/52

CPC分类号： C25D15/02 ,  C01B32/28

摘要： 本発明は、金属めっき皮膜中に平均粒径１ｎｍ～１０００ｎｍのダイヤモンド微粒子を均一に分散共析させ、耐摩耗性、自己潤滑性等の機能を付与することが可能な複合めっき液の製造方法を提供する。親水性ポリマー又はイオン性官能基が導入された平均粒径１ｎｍ～１０００ｎｍのダイヤモンド微粒子をイオン性又は非イオン性の界面活性剤とともに分散させた分散液を金属めっき液に添加して、ダイヤモンド微粒子を安定して分散させた複合めっき液を製造する。

摘要翻译： 公开了通过在金属镀膜中均匀地分散/共沉积平均粒径为1〜1000nm的金刚石微粒而赋予复合电镀液以赋予耐磨性和自润滑性等功能的方法。 将具有亲水性聚合物或离子性官能团的具有1〜1000nm的平均粒径的金刚石微粒与离子型或非离子性表面活性剂分散在一起，制成分散液，并将该分散体加入到金属电镀液中 生成稳定地分散有金刚石微粒的复合电镀液。

公开(公告)号：WO2011048983A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：PCT/JP2010/067920

申请日：2010-10-13

申请人： 株式会社 村田製作所 ,  木村 哲也 ,  伊田 康之 ,  小川 誠 ,  元木 章博

发明人： 木村　哲也 ,  伊田　康之 ,  小川　誠 ,  元木　章博

IPC分类号： C25D15/02 ,  C23C18/52

CPC分类号： C25D15/02 ,  C23C18/1662 ,  C23C18/1669 ,  C23C18/31 ,  C25D3/02

摘要： 　図（ａ）に示すように、界面活性剤以外の水溶性溶媒２に多数のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）１を投入し、撹拌して分散させる。次いで、図（ｂ）に示すように、金属イオンを含有した金属塩水溶液３を用意し、ＣＮＴ１を分散させた水溶性溶媒２を金属塩水溶液３に添加し、これにより（ｃ）に示すようにＣＮＴ１が分散しためっき浴４を作製する。これにより不純物の混入を抑制し、炭素系微粒子と複合した高品質のめっき皮膜を得ることができるようにする。

摘要翻译： 如图所示。 （a）中，将多个碳纳米管（CNT）（1）引入到与表面活性剂不同的水溶性溶剂（2）中，并通过搅拌分散在溶剂（2）中。 随后，如图1所示。 （b）中，提供含有金属离子的金属盐水溶液（3），并将其中分散有CNT（1）的水溶性溶剂（2）加入到金属盐水溶液（3）中。 以这种方式，如图1所示，其中分散有CNT（1）的电镀浴（4） （c）。 电镀液能够形成不含杂质的高品质涂膜，并且是含有碳质微粒的复合体。

公开(公告)号：WO2010065851A3

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：PCT/US2009066767

申请日：2009-12-04

申请人： OMG AMERICAS INC ,  PIANO ANTHONY M ,  TRAINOR JAMES

发明人： PIANO ANTHONY M ,  TRAINOR JAMES

IPC分类号： C23C18/52 ,  C23C18/31 ,  C23C18/54

CPC分类号： C23C18/24 ,  C23C18/1658 ,  C23C18/1831 ,  C23C18/44

摘要： Abstract An electroless palladium plating solution includes a polar solvent, at least one palladium salt, at least one non-nitrogenated complexing agent, an alkaline adjusting agent that adjusts the plating solution to a pH of at least 8.0, and a reducing agent. The plating solution, which is used for forming a layer of palladium on a surface of a substrate, yields a substantially pure palladium deposit on the substrate. Precipitation of reduced palladium in the plating solution is substantially prevented.

摘要翻译： 摘要一种无电镀钯溶液，包括极性溶剂，至少一种钯盐，至少一种非氮化络合剂，将电镀溶液调节至至少8.0的pH值的碱性调节剂和还原剂。 用于在基板的表面上形成钯层的电镀溶液在基板上产生基本上纯的钯沉积物。 基本上防止了镀液中还原钯的析出。

公开(公告)号：WO2006023521A2

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：PCT/US2005029190

申请日：2005-08-15

申请人： UNIV CONNECTICUT ,  SUIB STEVEN L ,  YUAN JIKANG

发明人： SUIB STEVEN L ,  YUAN JIKANG

IPC分类号： C23C18/16 ,  C23C18/31 ,  C23C18/52

CPC分类号： C23C18/48 ,  C23C18/168 ,  C23C18/1682 ,  H01M4/0416 ,  Y10T428/12 ,  Y10T428/12493

摘要： Processes for making multinary bulk and thin film alloys with nanometer-scale grains are disclosed. An electroless process includes contacting a substrate with a bath within a sealed pressure vessel; and heating the sealed pressure vessel for a time and at a temperature under an autogeneous pressure effective for plating a film of an alloy with nanometer-scale grains onto a contacted portion of the substrate; wherein the bath is formed from one or more salts comprising each constituent element of the alloy, an organic medium, and a reducing agent. The bulk and thin film alloys may be useful in applications requiring high surface area materials or protection from corrosion such as for catalysts and battery cathodes.

摘要翻译： 公开了制造具有纳米尺寸晶粒的多元散装和薄膜合金的方法。 无电工艺包括使衬底与密封压力容器内的浴接触; 和将密封的压力容器加热一段时间并且在自生压力下的温度下，该温度对于将具有纳米级晶粒的合金膜镀覆到基底的接触部分上是有效的; 其中所述浴由包含所述合金的每种构成元素的一种或多种盐，有机介质和还原剂形成。 本体和薄膜合金可用于要求高表面积材料或防腐蚀的应用中，例如用于催化剂和电池阴极。

公开(公告)号：WO2004101854A3

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：PCT/US0324316

申请日：2003-08-05

申请人： ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH ,  JOSHI NAYAN H ,  MEHTA MAULIK D

发明人： JOSHI NAYAN H ,  MEHTA MAULIK D

IPC分类号： C23C18/16 ,  C23C18/52 ,  C25D5/14 ,  C23C18/31 ,  C23C18/18 ,  C25D5/44

CPC分类号： C25D5/14 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/52 ,  C23C18/54

摘要： The present invention provides an improved aqueous alkaline zincate solution comprising hydroxide ions, zinc ions, nickel ions and/or cobalt iron ions, copper ions, and at least one inhibitor containing one or more nitrogen atoms, sulfur atoms, or both nitrogen and sulfur atoms provided said nitrogen atoms are not present in an aliphatic amine or hydroxylamine. The present invention also relates to methods for depositing zincate coatings on aluminum and aluminum alloys comprising applying an immersion zincate coating on an aluminum or aluminum alloy substrates, optionally followed by plating the zincate coated aluminum or aluminum alloy substrate using an electroless or electrolytic metal plating solution.

摘要翻译： 本发明提供一种包含氢氧根离子，锌离子，镍离子和/或钴铁离子，铜离子和至少一种含有一个或多个氮原子，硫原子或氮和硫原子的至少一种抑制剂的改进的碱性锌酸盐水溶液 条件是所述氮原子不存在于脂族胺或羟胺中。 本发明还涉及在铝和铝合金上沉积锌酸盐涂层的方法，包括在铝或铝合金基底上涂覆浸渍锌酸盐涂层，任选地随后使用化学镀或电解金属电镀溶液电镀含锌酸盐的铝或铝合金衬底 。

公开(公告)号：WO03085166A2

公开(公告)日：2003-10-16

申请号：PCT/US0310073

申请日：2003-04-02

申请人： APPLIED MATERIALS INC

发明人： PADHI DEENESH ,  YAHALOM JOSEPH ,  RAMANATHAN SIVAKAMI ,  MCGUIRK CHRIS R ,  GANDIKOTA SRINIVAS ,  DIXIT GIRISH

IPC分类号： C23C18/52 ,  C23C18/16 ,  C23C18/18 ,  C23C18/36 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78 ,  C23C18/00

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1694 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/1882 ,  C23C18/34 ,  C23C18/42 ,  C23C18/50 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76874 ,  H01L28/84 ,  H01L29/665

摘要： Methods and apparatus are provided for forming a metal or metal silicide layer by an electroless deposition technique. In one aspect, a method is provided for processing a substrate including depositing an initiation layer on a substrate surface, cleaning the substrate surface, and depositing a conductive material on the initiation layer by exposing the initiation layer to an electroless solution. The method may further comprise etching the substrate surface with an acidic solution and cleaning the substrate of the acidic solution prior to depositing the initiation layer. The initiation layer may be formed by exposing the substrate surface to a noble metal electroless solution or a borane-containing solution. The conductive material may be deposited with a borane-containing reducing agent. The conductive material may be used as a passivation layer, a barrier layer, a seed layer, or for use in forming a metal silicide layer.

摘要翻译： 提供了通过无电沉积技术形成金属或金属硅化物层的方法和装置。 在一个方面，提供了一种用于处理衬底的方法，包括在衬底表面上沉积起始层，清洁衬底表面，以及通过将引发层暴露于无电镀溶液而在引发层上沉积导电材料。 该方法可以进一步包括用酸性溶液蚀刻衬底表面并在沉积起始层之前清洁酸性溶液的衬底。 起始层可以通过将基材表面暴露于贵金属化学电解溶液或含硼烷溶液来形成。 导电材料可以用含硼烷的还原剂沉积。 导电材料可以用作钝化层，阻挡层，种子层，或用于形成金属硅化物层。

公开(公告)号：WO02101822A3

公开(公告)日：2003-05-30

申请号：PCT/JP0205648

申请日：2002-06-07

申请人： EBARA CORP ,  INOUE HIROAKI ,  NAKAMURA KENJI ,  MATSUMOTO MORIJI

发明人： INOUE HIROAKI ,  NAKAMURA KENJI ,  MATSUMOTO MORIJI

IPC分类号： C23C18/16 ,  C23C18/52 ,  H01L21/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/67161 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/34 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76852 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： There is provided a semiconductor device having such a protective film that selectively covers the surface of embedded interconnects and can effectively prevent both of the oxidation and the thermal diffusion of the interconnects. A method for manufacturing such a semiconductor device is also provided. The semiconductor device includes: a semiconductor substrate having an embedded interconnect structure in which the embedded interconnects have an exposed surface; and a protective film composed of a multi-layer laminated film formed selectively on the exposed surface of interconnects. The multi-layer laminated film preferably includes an oxidation-preventing layer, composed of e.g. a Ni or Ni alloy layer, for preventing oxidation of the interconnects, and a thermal diffusion-preventing layer, composed of e.g. a Co or Co alloy layer, for preventing thermal diffusion of the interconnects.

摘要翻译： 提供了具有这样的保护膜的半导体器件，其选择性地覆盖嵌入式互连件的表面，并且可以有效地防止互连的氧化和热扩散。 还提供了一种用于制造这种半导体器件的方法。 半导体器件包括：具有嵌入式互连结构的半导体衬底，其中嵌入式互连具有暴露表面; 以及由在互连件的暴露表面上选择性地形成的多层层叠膜构成的保护膜。 多层层压膜优选包括防氧化层， 用于防止互连的氧化的Ni或Ni合金层，以及由例如阴极氧化物组成的热扩散防止层。 Co或Co合金层，用于防止互连的热扩散。

公开(公告)号：WO0173162A3

公开(公告)日：2002-04-11

申请号：PCT/EP0103464

申请日：2001-03-27

申请人： BASF AG ,  HUEFFER STEPHAN ,  KREBS THILO ,  HUNGENBERG KLAUS DIETER ,  KUEHN INGOLF ,  JAHNS EKKEHARD ,  LACH CHRISTIAN ,  KELLER HARALD ,  PFAU ANDREAS ,  FRECHEN THOMAS

发明人： HUEFFER STEPHAN ,  KREBS THILO ,  HUNGENBERG KLAUS-DIETER ,  KUEHN INGOLF ,  JAHNS EKKEHARD ,  LACH CHRISTIAN ,  KELLER HARALD ,  PFAU ANDREAS ,  FRECHEN THOMAS

IPC分类号： F28F19/06 ,  C23C18/16 ,  C23C18/31 ,  C23C18/52

CPC分类号： C23C18/1662 ,  C23C18/36 ,  Y10T428/12146 ,  Y10T428/12944

摘要： The invention relates to a method for surface-coating apparatuses and parts of apparatuses for the construction of chemical installations, for example apparatus, container and reactor walls, discharging devices, fittings, pumps, filters, compressors, centrifuges, columns, heat exchangers, dryers, reducing machines, built-in parts, packing and mixing mechanisms. The method is characterised in that bumps with an average height of 100 nm to 50 mu m are produced on the surface to be coated, at average intervals of 100 nm to 100 mu m, before the surface is coated by currentlessly depositing a layer of metal or a layer of a metal-polymer-dispersion using a galvanisation bath containing a metal electrolyte, a reduction agent and optionally, a polymer or polymer mixture to be deposited, in dispersed form.

摘要翻译： 一种用于表面涂覆的设备和设备部件用于化工厂过程 - 包括，例如，装置，罐和反应器壁，放电装置，阀门，泵，过滤器，压缩机，离心分离机，柱，热交换器，干燥器，粉碎机，内部构件，填料元件和混合元件将被理解 - 其特征在于：形成在表面上，以在100纳米至100微米的平均距离，然后将涂层通过化学镀的金属层或金属 - 聚合物分散体层被涂覆隆起的100纳米至50微米的平均高度 进行使用含有Mettall电解质，还原剂和任选的聚合物或聚合物混合物以分散的形式将被沉积的镀浴。