公开(公告)号：WO2007109501A2

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：PCT/US2007064056

申请日：2007-03-15

申请人： APPLIED MATERIALS INC ,  DU TIANBAO ,  LIU FENG Q ,  DUBOUST ALAIN ,  SALAS-VERNIS JOSE ,  HSU WEI-YUNG ,  ECONOMIKOS LAERTIS ,  SAKAMOTO AKIHISA

发明人： DU TIANBAO ,  LIU FENG Q ,  DUBOUST ALAIN ,  SALAS-VERNIS JOSE ,  HSU WEI-YUNG ,  ECONOMIKOS LAERTIS ,  SAKAMOTO AKIHISA

IPC分类号： B08B3/00 ,  C11D7/32

CPC分类号： C11D7/265 ,  C11D3/2075 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67745

摘要： A composition for rinsing a substrate including deionized water, one or more carboxylate acid containing compounds, one or more surfactants, and one or more corrosion inhibitors and a method of using the same is provided. Also a method for rinsing a substrate between exposure to platens including moving the substrate from a first platen to a second platen and exposing the substrate to a rinse solution comprising one or more carboxylate acid containing compounds, one or more surfactants, and one or more corrosion inhibitors.

摘要翻译： 提供了一种用于漂洗包括去离子水，一种或多种含羧酸的化合物，一种或多种表面活性剂和一种或多种腐蚀抑制剂的基质的组合物及其使用方法。 还有一种用于在暴露于压板之间冲洗衬底的方法，包括将衬底从第一压板移动到第二压板并将衬底暴露于包含一种或多种含羧酸的化合物，一种或多种表面活性剂和一种或多种腐蚀的冲洗溶液 抑制剂。

公开(公告)号：WO2007108315A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：PCT/JP2007/054334

申请日：2007-03-06

申请人： 株式会社荏原製作所 ,  及川 文利 ,  梶田 真二

发明人： 及川 文利 ,  梶田 真二

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/02074 ,  B08B3/02 ,  B08B3/12 ,  B08B2203/0288 ,  B24B37/04 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67219

摘要： Provided is a substrate processing apparatus, which has a polishing apparatus (30A) for polishing the surface of a substrate, and at least an ultrasonic cleaning apparatus (42), which cleans the surface of the substrate by ultrasonic waves propagated through a liquid, or a double-fluid jet cleaning apparatus (44), which cleans the surface of the substrate by double fluid jet by which air and a liquid are mixed and jetted. A substrate processing method is provided with a polishing step of polishing the surface of the substrate, and a solid object noncontact cleaning step of cleaning the surface of the substrate while jetting the fluid onto the surface of the substrate. The substrate with polished surface can be efficiently cleaned by such apparatus and the method.

摘要翻译： 提供了一种基板处理装置，其具有用于抛光基板表面的抛光装置（30A）和至少一个超声波清洗装置（42），该超声波清洗装置通过液体传播的超声波清洗基板的表面，或 双流体喷射清洗装置（44），其通过混合和喷射空气和液体的双流体喷射来清洁基板的表面。 基板处理方法具有抛光基板的表面的抛光步骤，以及在将流体喷射到基板的表面上的同时清洁基板的表面的固体物体非接触清洁步骤。 具有抛光表面的基板可以通过这种装置和方法被有效地清洁。

公开(公告)号：WO2007091670A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：PCT/JP2007/052329

申请日：2007-02-09

申请人： 株式会社東京精密 ,  東 正幸 ,  福岡 一也

发明人： 東 正幸 ,  福岡 一也

IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/67115 ,  B24B7/228 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67219

摘要： 表面に形成されたパターンを保護する保護用テープが貼着されたウェーハＷの裏面を砥石で研削加工し次いで研磨加工する平面加工装置（１０Ａ）と、研磨後のウェーハにレーザー光を照射し内部へ改質領域を形成して切断加工を行うレーザーダイシング装置（１０Ｂ）と、切断加工後のウェーハをプラズマにより洗浄する洗浄手段（１９）と、洗浄後のウェーハへＵＶ光を照射するＵＶ照射装置（１８）と、フレーム（Ｆ）をマウントするテープマウンタ（１１）と、保護用テープ（２１）を剥離するテープテープリムーバー（１２）と、ウェーハ（Ｗ）の各チップ（Ｔ）間の間隔を拡張するエキスパンダ（１３）とを備えたことにより、装置内の少ない移動距離で裏面の研削からＵＶ光の照射、フレームへのマウント、剥離、及びエキスパンドまでの各工程を行うことが可能となる。

摘要翻译： 晶片处理装置设置有平面处理装置（10A），用于研磨晶片（W）的后平面，然后通过使用研磨石来粘附用于保护形成在前平面上的图案的保护带; 激光切割装置（10B），用于用激光束照射抛光的晶片以在晶片内部形成改质区域并切割晶片; 用于用等离子体清洁切割的晶片的清洁装置（19）; 紫外线照射装置（18），其用紫外线照射被清洁的晶片; 用于安装框架（F）的磁带安装机（11）; 用于去除保护带（21）的磁带去除器（12）; 以及用于扩大晶片（W）和每个芯片（T）之间的距离的扩展器（13）。 因此，可以在设备内以短的移动距离执行从后平面研磨到UV光照射，安装到框架上，移除和扩展的过程。

公开(公告)号：WO2006112530A1

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：PCT/JP2006/308490

申请日：2006-04-18

申请人： EBARA CORPORATION ,  TAKAHASHI, Tamami ,  SHIRAKASHI, Mitsuhiko ,  ITO, Kenya ,  INOUE, Kazuyuki ,  YAMAGUCHI, Kenji ,  SEKI, Masaya

发明人： TAKAHASHI, Tamami ,  SHIRAKASHI, Mitsuhiko ,  ITO, Kenya ,  INOUE, Kazuyuki ,  YAMAGUCHI, Kenji ,  SEKI, Masaya

IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B9/00

CPC分类号： H01L21/67219 ,  B24B9/065 ,  B24B49/04 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68728

摘要： A substrate processing apparatus (1) includes first and second polishing units (70A, 70B) for polishing a peripheral portion of a substrate (W), a primary cleaning unit (100) for cleaning the substrate (W), a secondary cleaning and drying unit (110) for drying the substrate (W) cleaned in the primary cleaning unit (100), and a measurement unit (30) for measuring the peripheral portion of the substrate (W). The measurement unit (30) includes a mechanism for measurement required for polishing in the first and second polishing units (70A and 70B), such as a diameter measurement mechanism, a cross-sectional shape measurement mechanism, or a surface condition measurement mechanism.

摘要翻译： 基板处理装置（1）具备：第一研磨单元（70A，70B），用于研磨基板周边部分;第一清洗单元（100），用于清洗基板（W）;二次清洗和干燥 用于干燥在主清洗单元（100）中清洁的基板（W）的单元（110），以及用于测量基板（W）的周边部分的测量单元（30）。 测量单元（30）包括用于在第一和第二研磨单元（70A和70B）中抛光所需的测量机构，例如直径测量机构，横截面形状测量机构或表面状态测量机构。

公开(公告)号：WO2006014411A1

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：PCT/US2005/023772

申请日：2005-07-01

申请人： STRASBAUGH ,  KALENIAN, Bill ,  DAGUE, Clint ,  WALSH, Tom ,  HALLEY, Dave

发明人： KALENIAN, Bill ,  DAGUE, Clint ,  WALSH, Tom ,  HALLEY, Dave

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： B24B37/345 ,  B24B37/30 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/68785

摘要： The present embodiment provides for methods and systems (120) for use in processing objects such as wafers, including polishing and/or grinding wafers. The front-end module (124) couples with a storage device (126) that stores objects for processing. The front-end module (124) can comprise a single robot, a transfer station, and a plurality of end effectors. The processing module (122) is coupled with the front-end module (124) such that the single robot delivers objects from the storage device to the processing module (122). The processing module (122) comprising a rotating table, and a spindle with a carrier configured to retrieve the delivered object and process the object on the rotating table.

摘要翻译： 本实施例提供了用于处理诸如晶片的物体的方法和系统（120），包括抛光和/或研磨晶片。 前端模块（124）与存储用于处理的对象的存储设备（126）耦合。 前端模块（124）可以包括单个机器人，传送站和多个端部执行器。 处理模块（122）与前端模块（124）耦合，使得单个机器人将物体从存储装置传送到处理模块（122）。 所述处理模块（122）包括旋转台和具有承载件的主轴，所述托架被配置为检索所递送的物体并且处理所述旋转台上的物体。

公开(公告)号：WO03038858A8

公开(公告)日：2004-02-19

申请号：PCT/JP0211450

申请日：2002-11-01

申请人： EBARA CORP ,  SATAKE TOHRU ,  NOJI NOBUHARU

发明人： SATAKE TOHRU ,  NOJI NOBUHARU

IPC分类号： H01L21/66 ,  B24B37/04 ,  G03F7/20 ,  H01J37/18 ,  H01J37/28 ,  H01J37/29 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/67219 ,  B24B37/005 ,  G03F7/70616 ,  G03F7/70991 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/2817 ,  H01L21/67288 ,  Y10T29/41

摘要： According to the present invention, a chemical and mechanical polishing apparatus (100) for a sample such as a wafer includes a built-in inspection apparatus (25) incorporated therein. The polishing apparatus (100) further comprises a load unit (21), a chemical and mechanical polishing unit (22), a cleaning unit (23), a drying unit (24) and an unload unit (26). The chemical and mechanical polishing apparatus (100) receives a sample from a preceding step (107), carries out respective processes for the sample by said respective units disposed within the polishing apparatus (100) and then transfers the processed sample to a subsequent step (109). Sample loading and unloading means and a sample transfer means are no more necessary for transferring the sample between respective units.

摘要翻译： 根据本发明，用于诸如晶片的样品的化学和机械抛光装置（100）包括结合在其中的内置检查装置（25）。 抛光装置（100）还包括加载单元（21），化学和机械抛光单元（22），清洁单元（23），干燥单元（24）和卸载单元（26）。 化学和机械抛光装置（100）从前面的步骤（107）接收样品，通过设置在抛光装置（100）内的各个单元对样品进行各自的处理，然后将处理的样品转移到随后的步骤 109）。 样品装载和取样装置和样品转移装置不再需要在各个单元之间转移样品。

公开(公告)号：WO0247139A3

公开(公告)日：2004-01-15

申请号：PCT/JP0110590

申请日：2001-12-04

申请人： EBARA CORP ,  KONDO FUMIO ,  MISHIMA KOJI ,  TANAKA AKIRA ,  SUZUKI YOKO ,  TOGAWA TETSUJI ,  INOUE HIROAKI

发明人： KONDO FUMIO ,  MISHIMA KOJI ,  TANAKA AKIRA ,  SUZUKI YOKO ,  TOGAWA TETSUJI ,  INOUE HIROAKI

IPC分类号： B65G49/07 ,  B24B37/04 ,  B24B49/16 ,  C23C18/16 ,  C25D5/00 ,  C25D5/50 ,  C25D7/12 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/288 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/673 ,  H01L21/677 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  B24B7/22

CPC分类号： H01L21/67161 ,  B24B37/005 ,  B24B37/042 ,  B24B37/245 ,  B24B37/345 ,  B24B41/061 ,  B24B49/16 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1653 ,  C25D7/123 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67393 ,  H01L21/67396 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877

摘要： A substrate processing method comprising steps for forming a copper film on a surface of a substrate. These steps includes the step of filling a first metal in the trenches so as to form a plated film of the first metal on an entire surface of the substrate by electroplating, wherein the electromagnetic field is adjusted by the virtual anode so that differences of thickness of the plated film between the central portion and the peripheral portion of the substrate being minimized, and polishing and removing the plated film by pressing the substrate to the polishing surface, wherein the pressures pressing the substrate to the polishing surface at a central portion and a peripheral portion are adjusted.

摘要翻译： 一种基板处理方法，包括在基板的表面上形成铜膜的步骤。 这些步骤包括在沟槽中填充第一金属以便通过电镀在基板的整个表面上形成第一金属的镀膜的步骤，其中电磁场由虚拟阳极调节，使得厚度差异 基板的中心部分和周边部分之间的镀膜最小化，并且通过将基板压在研磨表面上来研磨和去除镀膜，其中将基板压在抛光表面的压力在中心部分和周边 部分进行调整。

公开(公告)号：WO02058116A3

公开(公告)日：2003-02-27

申请号：PCT/US0200948

申请日：2002-01-14

申请人： NUTOOL INC

发明人： ASHJAEE JALAL ,  TALIEH HOMAYOUN

IPC分类号： C25F7/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/67173 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/6723

摘要： An integrated system for processing a plurality of wafers, having a conductive front surface, is provided. The system includes a plurality of processing subsystems for depositing on or removing metal from the front surfaces of the wafers. Each processing subsystem includes a process chamber and a cleaning chamber. The system also has a wafer handling subsystem for transporting each of the wafers into or out of the appropriate one of the plurality of processing subsystems. The plurality of processing subsystems and wafer handling subsystem form an integrated system.

摘要翻译： 提供了一种用于处理具有导电前表面的多个晶片的集成系统。 该系统包括用于从晶片的前表面沉积或从金属表面去除金属的多个处理子系统。 每个处理子系统包括处理室和清洁室。 该系统还具有晶片处理子系统，用于将每个晶片输送到多个处理子系统中的适当的一个处理子系统中或从其中移出。 多个处理子系统和晶片处理子系统形成集成系统。

公开(公告)号：WO0164391A3

公开(公告)日：2002-04-18

申请号：PCT/US0106290

申请日：2001-02-27

申请人： APPLIED MATERIALS INC

发明人： SOMMER PHIL R

IPC分类号： B24B37/34 ,  B24B41/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/677 ,  B24B37/04

CPC分类号： H01L21/67161 ,  B24B37/345 ,  B24B41/005 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/67766

摘要： A chemical mechanical planarization system and method for planarizing wafers is provided. The system generally includes a transfer corridor (104), at least one corridor robot (138,140), one or more polishing modules (106a,106b) and at least one loading device (12). The corridor robot (138,140) is disposed in the transfer corridor (104) and is positionable between a first end (122) and a second end (124) of the transfer corridor (104). The loading device (112) is adapted to transfer workpieces between the transfer corridor (104) and the polishing modules (106a,106b). Generally, the loading device (112) includes at least one load cup (166). The one or more polishing modules (106a,106b) each include one or more polishing heads (164) for holding workpieces during processing.

摘要翻译： 提供了用于平坦化晶片的化学机械平面化系统和方法。 该系统通常包括转移走廊（104），至少一个走廊机器人（138,140），一个或多个抛光模块（106a，106b）和至少一个装载装置（12）。 走廊机器人（138,140）设置在转移走廊（104）中并且可定位在转移走廊（104）的第一端（122）和第二端（124）之间。 装载装置（112）适于在输送走廊（104）和抛光模块（106a，106b）之间传送工件。 通常，装载装置（112）包括至少一个装载杯（166）。 一个或多个抛光模块（106a，106b）各自包括用于在加工期间保持工件的一个或多个抛光头（164）。

公开(公告)号：WO02004886A1

公开(公告)日：2002-01-17

申请号：PCT/US2001/021579

申请日：2001-07-09

IPC分类号： H01L21/00 ,  G01B11/06 ,  G01J3/30 ,  G01N21/86

CPC分类号： H01L21/67173 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67276

摘要： A processing apparatus for processing a microelectronic workpiece includes a metrology unit (228) and a control unit (270), signal-connected to the metrology unit. The control unit can modify a process recipe or a process sequence of the processing apparatus based on a feed forward or a feed back signal from the metrology unit. A seed layer deposition tool (232), a process layer electrochemical deposition tool, and a chemical mechanical polishing tool, arranged for sequential processing of a workpiece, can be controlled as an integrated system using one or more metrology units. A metrology unit can be located at each tool to measure workpiece parameters. Each of the metrology units can be used as a feed forward control and/or a feed back control at each of the tools.

摘要翻译： 一种用于处理微电子工件的处理装置包括测量单元（228）和控制单元（270），信号连接到计量单元。 控制单元可以基于来自计量单元的前馈信号或反馈信号来修改处理设备的处理配方或处理顺序。 用于连续处理工件的种子层沉积工具（232），工艺层电化学沉积工具和化学机械抛光工具可被控制为使用一个或多个计量单元的集成系统。 每个工具都可以设置一个测量单元来测量工件参数。 每个计量单元可用作每个工具的前馈控制和/或反馈控制。