公开(公告)号：WO2004065669A1

公开(公告)日：2004-08-05

申请号：PCT/JP2004/000273

申请日：2004-01-16

Applicant: TDK株式会社 ,  宮本 ゆき ,  坂下 幸雄

Inventor： 宮本 ゆき ,  坂下 幸雄

IPC: C30B29/22

CPC classification number: H01G4/1218 ,  C01G29/00 ,  C01P2002/20 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/79 ,  H01B3/12 ,  H01G4/30

Abstract: 　ｃ軸が基板面に対して垂直に配向しているビスマス層状化合物が、組成式：（Ｂｉ ２ 　Ｏ ２ 　） ２＋ （Ａ ｍ−１ 　Ｂ ｍ 　Ｏ ３ｍ＋１ ） ２− 、またはＢｉ ２ 　Ａ ｍ−１ 　Ｂ ｍ 　Ｏ ３ｍ＋３ で表され、前記組成式中の記号ｍが奇数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素であり、前記ビスマス層状化合物のＢｉが、前記組成式：（Ｂｉ ２ 　Ｏ ２ 　） ２＋ （Ａ ｍ−１ 　Ｂ ｍ 　Ｏ ３ｍ＋１ ） ２− 、またはＢｉ ２ 　Ａ ｍ−１ 　Ｂ ｍ 　Ｏ ３ｍ＋３ に対して、過剰に含有してあり、そのＢｉの過剰含有量が、Ｂｉ換算で、０＜Ｂｉ＜０．６×ｍモルの範囲である。

Abstract translation: 用于薄膜电容元件的组合物，其中其c轴垂直于衬底表面的铋层化合物由经验式表示：（Bi 2 O 2）2+（Am-1BmO 3m + 1）<2- >或Bi2Am-1BmO3m + 3，其中m是奇数，A表示选自Na，K，Pb，Ba，Sr，Ca和Bi中的至少一种元素，B表示选自Fe，Co中的至少一种元素 ，Cr，Ga，Ti，Nb，Ta，Sb，V，Mo和W，其特征在于上述铋层化合物含有超过上述经验式的Bi：（Bi 2 O 2）2+（Am-1BmO 3m +1）<2->或Bi2Am-1BmO3m + 3，并且Bi的过量量以Bi计为0

公开(公告)号：WO0177501A3

公开(公告)日：2002-03-21

申请号：PCT/US0111549

申请日：2001-04-10

Applicant: MASSACHUSETTS INST TECHNOLOGY

Inventor： CHIANG YET-MING ,  SHEETS SOSSITY A ,  FARREY GREGORY W ,  HAGOOD NESBITT W IV ,  SOUKHOJAK ANDREY ,  WANG HAIFENG

IPC: C30B9/00 ,  F01L9/04 ,  F21V21/35 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  C04B35/46 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49

CPC classification number: H01L41/187 ,  C01G23/006 ,  C01G29/006 ,  C01G43/006 ,  C01G49/009 ,  C01G51/006 ,  C01G53/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/462 ,  C04B35/475 ,  C04B35/49 ,  C04B35/499 ,  C04B35/62259 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/653 ,  C04B2235/32 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/526 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/5276 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C30B9/00 ,  C30B29/32 ,  F01L9/04 ,  F21V21/35

Abstract: A perovskite compound of the formula, (Na1/2Bi1/2)1-xMx (Ti1-yM'y)O3+/-z, where M is one or more of Ca, Sr, Ba, Pb, Y, La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and Lu; and M' is one or more of Zr, Hf, Sn, Ge, Mg, Zn, Al, Sc, Ga, Nb, Mo, Sb, Ta, W, Cr, Mn, Fe, Co and Ni, and 0.01

Abstract translation: 下式的钙钛矿化合物（Na1 / 2Bi1 / 2）1-xMx（Ti1-yM'y）O3 +/- z，其中M是Ca，Sr，Ba，Pb，Y，La，Pr中的一种或多种， Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb和Lu; 并且M'是Zr，Hf，Sn，Ge，Mg，Zn，Al，Sc，Ga，Nb，Mo，Sb，Ta，W，Cr，Mn，Fe，Co和Ni中的一种或多种， <0.3，0.01

公开(公告)号：WO2017012800A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：PCT/EP2016/063902

申请日：2016-06-16

Applicant: EPCOS AG

Inventor： TAUCHI, Goushi ,  HIROSE, Masakazu ,  IMURA, Tomoya ,  TERADA, Tomohiro

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/465 ,  C04B35/47 ,  C04B35/475 ,  C04B35/462

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C01G29/006 ,  C04B35/47 ,  C04B35/475 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/85 ,  H01B3/10 ,  H01B3/12 ,  H01G4/30

Abstract: The problem addressed lies in providing a dielectric composition which is advantageously used in a power supply circuit having a high rated voltage, and has high DC bias resistivity and a high dielectric constant when a DC bias is applied, and also has a favourable high-temperature load lifespan; and also in providing a dielectric element employing said dielectric composition, an electronic component and a laminated electronic component. [Solution] A dielectric composition comprising particles having a perovskite crystal structure including at least Bi, Na, Sr and Ti. At least some of the particles have a core-shell structure comprising a core portion and a shell portion. The content of Bi present in the core portion is no greater than 0.83 times the content of Bi present in the shell portion.

Abstract translation: 所提出的问题在于提供一种电介质组合物，其有利地用于具有高额定电压的电源电路中，并且当施加DC偏压时具有高DC偏置电阻率和高介电常数，并且还具有良好的高温 负载寿命; 并且还提供采用所述电介质组合物，电子部件和层压电子部件的电介质元件。 [解决方案]一种电介质组合物，其包含具有至少包含Bi，Na，Sr和Ti的钙钛矿晶体结构的颗粒。 至少一些颗粒具有包括芯部分和壳部分的核 - 壳结构。 存在于芯部中的Bi的含量不大于外壳部分中存在的Bi的含量的0.83倍。

公开(公告)号：WO2017012797A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：PCT/EP2016/063884

申请日：2016-06-16

Applicant: EPCOS AG

Inventor： TAUCHI, Goushi ,  HIROSE, Masakazu ,  IMURA, Tomoya ,  TERADA, Tomohiro

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/465 ,  C04B35/47 ,  C04B35/475 ,  C04B35/462

CPC classification number: H01G4/1218 ,  C04B35/462 ,  C04B35/47 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: [Problem] The problem addressed lies in providing a dielectric composition which is advantageously used in a power supply circuit having a high rated voltage, and has high DC bias resistivity and a high dielectric constant when a DC bias is applied, and also has a favourable high-temperature load lifespan; and also in providing a dielectric element employing said dielectric composition, an electronic component and a laminated electronic component. [Solution] A dielectric composition comprising particles having a perovskite crystal structure including at least Bi, Na, Sr and Ti. At least some of the particles have a core-shell structure comprising a core portion and a shell portion, and the content of Bi present in the core portion is at least 1.2 times the content of Bi present in the shell portion.

Abstract translation: 问题在于提供一种电介质组合物，其有利地用于具有高额定电压的电源电路中，并且当施加DC偏压时具有高DC偏置电阻率和高介电常数，并且还具有有利的 高温负载寿命; 并且还提供采用所述电介质组合物，电子部件和层压电子部件的电介质元件。 [溶液]包含具有至少包含Bi，Na，Sr和Ti的钙钛矿晶体结构的颗粒的电介质组合物。 至少一些颗粒具有包含核心部分和壳部分的核 - 壳结构，并且存在于芯部分中的Bi的含量为壳部分中存在的Bi的含量的至少1.2倍。

公开(公告)号：WO2016103513A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：PCT/JP2014/084700

申请日：2014-12-26

Applicant: セイコーエプソン株式会社

Inventor： 角　浩二 ,  北田　和也 ,  酒井　朋裕 ,  濱田　泰彰 ,  一色　鉄也 ,  木村　里至 ,  伊藤　彰雄 ,  半田　恒雄

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/00 ,  H01L41/39

CPC classification number: H01L41/187 ,  C04B35/462 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/475 ,  C04B35/495 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3268 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/768 ,  H01L41/0474 ,  H01L41/39

Abstract: 　単独組成では菱面体晶であり、キュリー温度がＴｃ１であり、且つペロブスカイト型構造を有する非鉛系の複合酸化物からなる第１成分と、単独組成では菱面晶以外の結晶であり、キュリー温度Ｔｃ２が前記Ｔｃ１より高く、且つペロブスカイト型構造を有する非鉛系の複合酸化物からなる第２成分と、単独組成では菱面体晶であり、キュリー温度Ｔｃ３が前記Ｔｃ２以上であり、ペロブスカイト型構造を有し、且つ前記第１成分とは異なる非鉛系の複合酸化物からなる第３成分と、を含有し、前記第１成分と前記第３成分との合計に対する前記第３成分のモル比をαとし、α×Ｔｃ３＋（１－α）×Ｔｃ１＝Ｔｃ４とした場合、｜Ｔｃ４－Ｔｃ２｜が５０℃以下である、圧電材料。

Abstract translation: 一种压电材料，其特征在于，含有：具有钙钛矿结构的无铅复合氧化物的第一成分，居里温度为Tc1，单组分中含有菱方晶; 包含具有钙钛矿结构的无铅复合氧化物的第二组分，具有高于Tc1的居里温度Tc2，并且在单一组成中包含菱方晶体; 以及第三成分，其包含不同于第一成分的无铅复合氧化物，具有钙钛矿结构，居里温度Tc3等于或高于Tc2，并且在单一组成中包含菱方晶体。 另外，如果第三成分与第一成分和第三成分的摩尔比为α，α×Tc3 +（1-α）×Tc1 = Tc4，| Tc4-Tc2 | 为50℃以下。

公开(公告)号：WO2016038026A1

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：PCT/EP2015/070480

申请日：2015-09-08

Applicant: EPCOS AG

Inventor： TAUCHI, Goushi

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/47 ,  C04B35/475 ,  H01G4/30 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B35/462 ,  C04B35/47 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/96 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: The aim of the present invention lies in providing a dielectric composition which has a relatively high dielectric constant of 800 or greater, and which has a withstand field of 14 V/μm or greater when a DC bias of at least 8 V/μm is applied, and also in providing a dielectric element employing said dielectric composition, an electronic component, and a laminated electronic component. A dielectric composition having a main component represented by (Bi a Na b Sr c Ln d ) TiO 3 , characterized in that Ln is at least one selected from among: La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho and Yb; and a, b, c and d satisfy the following: 0

Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种介电常数为800以上的电介质组合物，当施加至少8V /μm的DC偏压时，具有14V /μm以上的耐受电压 并且还提供采用所述电介质组合物，电子部件和层压电子部件的电介质元件。 具有由（BiaNabSrcLnd）TiO 3表示的主成分的电介质组合物，其特征在于，Ln为选自La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho和Yb中的至少一种; a，b，c和d满足下列条件：0

公开(公告)号：WO2015110464A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：PCT/EP2015/051126

申请日：2015-01-21

Applicant: EPCOS AG

Inventor： IMURA, Tomoya ,  TAUCHI, Goushi ,  HIROSE, Masakazu

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/47 ,  C04B35/475 ,  H01G4/12 ,  H01L41/187

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B35/462 ,  C04B35/47 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/005 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/30 ,  H01L41/187

Abstract: [Problem] The problem addressed lies in providing a dielectric composition having a relatively high dielectric constant of 900 or greater when a DC bias of at least 8 V/ym is applied, and also in providing a dielectric element employing said dielectric composition, an electronic component, and a laminated electronic component. [Solution] A dielectric composition in which the composition of the main component is in accordance with the following formula (1) : (Bi a Na b Sr c ) (Zn d Ti 1_d )03 (1) [where a, b, c and d satisfy the following: 0.09≤a≤0.58, 0.09≤b≤0.42, 0.05≤c≤0.84, 0

Abstract translation: 所提出的问题在于提供当施加至少8V / ym的DC偏压时具有900或更高的相对高介电常数的电介质组合物，并且还提供采用所述电介质组合物的电介质元件，电子 部件和层压电子部件。 [溶液]主成分的组成按照下式（1）：（BiaNabSrc）（ZndTi1_d）03（1）[其中a，b，c和d满足下列条件：0.09≤ a≤0.58,0.09≤b≤0.42,0.05≤c≤0.84,0≤d≤0.08,0.95≤a+ b +c≤1.05]。

公开(公告)号：WO2015060004A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：PCT/JP2014/072430

申请日：2014-08-27

Applicant: 三菱マテリアル株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学

Inventor： 桜井　英章 ,  藤井　順 ,  曽山　信幸 ,  舟窪　浩 ,  清水　荘雄 ,  木村　純一

IPC: H01B3/00 ,  C04B35/00 ,  C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01B3/12 ,  C04B35/26 ,  C04B35/465 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/475 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33

Abstract: ＢａＴｉＯ 3 の成分、Ｂｉ(Ｍｇ 0.5 Ｔｉ 0.5 )Ｏ 3 の成分及びＢｉＦｅＯ 3 の成分のうち少なくとも２成分を含有して（１１１）配向に制御されるか、又はＢａＴｉＯ 3 の成分、Ｂｉ(Ｍｇ 0.5 Ｔｉ 0.5 )Ｏ 3 の成分及びＢｉＦｅＯ 3 の成分のうち少なくとも２成分を含有して（１００）配向に制御された非鉛誘電体薄膜である。この非鉛誘電体薄膜は（１１１）ＳｒＲｕＯ 3 上又は（１００）ＬａＮｉＯ 3 上に形成される。

Abstract translation: 一种无铅电介质薄膜，其含有至少两种选自BaTiO 3组分，Bi（Mg0.5Ti0.5）O3组分和BiFeO3组分的组分，并被控制为具有（111）取向，或含有 选自BaTiO 3组分，Bi（Mg0.5Ti0.5）O3组分和BiFeO3组分中的至少两种组分，并被控制为具有（100）取向。 （111）SrRuO3或（100）LaNiO3上形成无铅电介质薄膜。

公开(公告)号：WO2014157023A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/JP2014/057958

申请日：2014-03-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 夏井　秀定 ,  政井　琢 ,  阿満　三四郎

IPC: C04B35/00 ,  C01G49/00 ,  H01B3/12 ,  H01L41/187 ,  H01L41/43

CPC classification number: C04B35/475 ,  C01G49/00 ,  C01G49/0036 ,  C01P2002/34 ,  C04B35/00 ,  C04B35/26 ,  C04B35/462 ,  C04B35/47 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  H01B3/12 ,  H01L41/187 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/43

Abstract: 【課題】比誘電率が高い新たな磁器組成物を提供することを目的とする。 【解決手段】単斜晶、正方晶、斜方晶、菱面体晶のうちから選択される少なくとも２つの結晶構造を有する単位格子で構成される磁器組成物であり、前記結晶構造は、は、Ｇｌａｚｅｒ法による対称性の表記ｘ ｎ１ ｙ ｎ２ ｚ ｎ３ を用いた場合、ｎ１、ｎ２、ｎ３は＋と－のうち少なくとも１つから選ばれる、または０、＋、－の中から少なくとも２つ選ばれることを特徴とする磁器組成物を用いることで、比誘電率が高い新たな磁器組成物を得ることができる。

Abstract translation: [问题]提供显示高相对介电常数的新型陶瓷组合物。 [解决方案]由具有至少两种选自单斜晶，四面体，正交和菱形的晶体结构的单元晶格组成的陶瓷组合物，其特征在于当晶体结构由Glazer的对称符号表示时，即xn1yn2zn3，n1，n2 和n3是选自+和 - 之间的至少一个，或选自0，+和 - 中的至少两个。 因此，可以获得显示高的相对介电常数的新型陶瓷组合物。

公开(公告)号：WO2014156302A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/JP2014/052480

申请日：2014-02-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井村　友哉 ,  田内　剛士 ,  古川　正仁

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/475 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/475 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3298 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/30

Abstract: 【課題】５Ｖ／μｍのＤＣバイアス変化率が－１５％以内と非常に小さく、かつ１０００以上の比較的高い比誘電率を有する誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を用いた誘電体素子を提供すること。 【解決手段】下記式（１）で表される複合酸化物である誘電体磁器組成物。　｛［（Ｂｉ ｓ Ｎａ ｔ ） ａ 　（Ｂｉ ｕ Ｋ ｖ ） ｂ Ｂａ ｃ ］ １－ｄ Ａ ｄ ｝ ｘ Ｔｉ １－ｄ Ｎｂ ｄ Ｏ ３ …（１）　［式（１）中、ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋから選ばれる少なくとも一種の元素を示す。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｓ、ｔ、ｕ、ｖ及びｘは、それぞれ、下記式を満たす数である。］　０．１０≦ａ＜０．９５　０．００＜ｂ≦０．８５　０．０５≦ｃ≦０．７０　ａ＋ｂ＋ｃ＝１　０．１０≦ｄ≦０．５０　０．９０≦ｓ＋ｕ≦１．００　０．４５≦ｔ≦０．５０　０．４５≦ｖ≦０．５０　０．９５≦ｘ≦１．０５

Abstract translation: 本发明提供一种电介质陶瓷组合物，当施加5V /μm的DC偏压时，其电容变化率非常小，为0〜-15％，介电常数为1000 或者更多; 以及使用该介电陶瓷组合物的电介质元件。 [溶液]由式（1）{[（BisNat）a（BiuKv）bBac] 1-dAd} x Ti1-dNbdO3 [式中：A为至少一种选自Li， Na和K; a，b，c，d，s，t，u，v和x分别为满足式0.10≤a<0.95 0.00