圧電材料及びその製造方法、並びに圧電素子及び圧電素子応用デバイス
    3.
    发明申请
    圧電材料及びその製造方法、並びに圧電素子及び圧電素子応用デバイス 审中-公开
    压电材料及其制造方法,压电元件和使用压电元件的器件

    公开(公告)号:WO2016103514A1

    公开(公告)日:2016-06-30

    申请号:PCT/JP2014/084701

    申请日:2014-12-26

    Abstract:  単独組成では菱面体晶であり、キュリー温度がTc1であり、且つペロブスカイト型構造を有する非鉛系の複合酸化物からなる第1成分と、単独組成では菱面晶以外の結晶であり、キュリー温度Tc2が前記Tc1より低く、且つペロブスカイト型構造を有する非鉛系の複合酸化物からなる第2成分と、単独組成では前記第2成分と同じ前記菱面体晶以外の結晶であり、キュリー温度Tc3が前記Tc1以上であり、ペロブスカイト型構造を有し、且つ前記第2成分とは異なる非鉛系の複合酸化物からなる第3成分と、を含有し、前記第2成分と前記第3成分との合計に対する前記第3成分のモル比をαとし、α×Tc3+(1-α)×Tc2=Tc4とした場合、|Tc4-Tc2|が50℃以下である、圧電材料。

    Abstract translation: 一种压电材料,其特征在于,含有:具有钙钛矿结构的无铅复合氧化物的第一成分,居里温度为Tc1,单一成分中含有菱方晶; 第二组分包含具有钙钛矿结构的无铅复合氧化物,其具有低于Tc1的居里温度Tc2,并且在单一组成中包含菱方晶; 以及第三组分,其包含不同于第二组分的无铅复合氧化物,具有钙钛矿结构,具有等于或高于Tc1的居里温度Tc3,并且包含单一组成中的菱方晶体,正如第二组分一样。 此外,如果第三成分与第二成分和第三成分的摩尔比为α,α×Tc3 +(1-α)×Tc2 = Tc4,| Tc4-Tc2 | 为50℃以下。

    ドライエッチング方法及びデバイス製造方法
    4.
    发明申请
    ドライエッチング方法及びデバイス製造方法 审中-公开
    干蚀刻方法和制造装置的方法

    公开(公告)号:WO2012161026A1

    公开(公告)日:2012-11-29

    申请号:PCT/JP2012/062368

    申请日:2012-05-15

    Inventor: 高橋 秀治

    Abstract:  誘電体材料に積層された導電性材料のエッチング速度(エッチングレート)の高速化を実現するとともに、下地となる誘電体材料との選択比を向上させる。エッチングガスとしてハロゲンガスと酸素ガスを含む混合ガスを用いる。混合ガスにおける酸素ガスの混合比を30%以上60%以下とする。チャンバ内に混合ガスを供給してプラズマを発生させる際の当該チャンバ内のガス圧を1Pa以上5Pa未満の範囲とする。誘電体材料に導電性材料が積層された被エッチング材にバイアス電圧として800kHz以上4MHz未満の周波数のバイアス電圧を印加してエッチングを行う。

    Abstract translation: 为了提高层叠在电介质材料上的导电材料的蚀刻速度,同时提高对作为基底的电介质材料的选择性。 使用含有卤素气体和氧气的混合气体作为蚀刻气体。 将混合气体中的氧气的混合比设定为30〜60%(含)。 通过将混合气体供给到室内而产生等离子体时的室内的气体压力设定在1Pa(以下)〜5Pa(排他性)的范围内。 在对电介质材料层叠导电材料的被蚀刻材料施加800kHz以上且小于4MHz的偏置电压的同时进行蚀刻。

    圧電セラミック電子部品、及び圧電セラミック電子部品の製造方法
    7.
    发明申请
    圧電セラミック電子部品、及び圧電セラミック電子部品の製造方法 审中-公开
    压电陶瓷电子元件及制造压电陶瓷电子元件的方法

    公开(公告)号:WO2017006984A1

    公开(公告)日:2017-01-12

    申请号:PCT/JP2016/070107

    申请日:2016-07-07

    Abstract: 圧電セラミック電子部品は、圧電セラミック素体1に内部電極3が埋設されている。圧電セラミック素体1は、少なくともLi及びNbを含む非鉛系のペロブスカイト化合物、Zr、及び2価の金属元素を含む複合酸化物を含有している。Li、2価の金属元素、及びこれらの総計の含有モル量は、それぞれNb1モル部に対し0.025~0.080モル部、0.045~0.086モル部、0.076~0.166モル部である。内部電極3はNiを含有している。ペロブスカイト化合物を仮焼合成した後、これに金属元素化合物及びZr化合物を添加して再度仮焼合成し、その後焼成して圧電セラミック素体1を得る。非鉛系圧電磁器組成物の配合比率を調整することで、Niと共焼成しても従来に比べ更なる圧電特性の向上が可能な非鉛系の圧電セラミック電子部品とその製造方法を実現する。

    Abstract translation: 在压电陶瓷电子部件中,将内部电极3埋设在压电陶瓷元件组件1中。压电陶瓷元件组件1包含Zr,至少包含Li和Nb的无铅钙钛矿化合物和包含二价金属 元件。 相对于1摩尔%的摩尔量,Li和二价金属元素的摩尔含量及其组合摩尔含量分别为0.025-0.080摩尔份,0.045-0.086摩尔份,和0.076-0.166摩尔% 铌。 内部电极3含有Ni。 通过进行钙钛矿化合物的煅烧合成,然后向其中加入金属元素化合物和Zr化合物,再次进行煅烧合成,然后烧成该产物而获得压电陶瓷元件组件1。 通过调节无铅压电陶瓷组合物的混合比,可获得无铅压电陶瓷电子部件及其制造方法,从而相对于现有技术可以进一步提高压电特性,即使在与 倪。

    弾性表面波素子用酸化物単結晶基板の製造方法
    8.
    发明申请
    弾性表面波素子用酸化物単結晶基板の製造方法 审中-公开
    用于生产用于表面声波元件的氧化物单晶基板的方法

    公开(公告)号:WO2016121429A1

    公开(公告)日:2016-08-04

    申请号:PCT/JP2016/050213

    申请日:2016-01-06

    Abstract: 【課題】 本発明の目的は、基板面内での特性のバラツキが少ない酸化物単結晶基板の製造方法を提供することである。 【解決手段】 本発明の製造方法は、Li化合物を含む粉体を媒体に分散させてスラリーとし、このスラリーを酸化物単結晶基板の表面に接した状態で加熱して、基板表面から内部へLiを拡散させる改質処理を行うか、又はこのスラリーを酸化物単結晶基板の表面に接した状態にし、Li化合物を含む粉体の中にこの酸化物単結晶基板を埋め込んで加熱して、基板表面から内部へLiを拡散させる改質処理を行うことを特徴とする。

    Abstract translation: 本发明的目的是提供抑制基板平面内的特性变化的氧化物单晶基板的制造方法。 [方案]根据本发明的制备方法的特征在于:通过将含有Li化合物的粉末分散在介质中而获得浆料; 并且通过在使浆料与氧化物单晶衬底的表面接触的同时加热浆料来进行从衬底表面将Li扩散到氧化物单晶衬底的内部的改性处理; 或者,从基板表面将Li扩散到氧化物单晶基板的内部的变形处理通过将该浆料与氧化物单晶基板的表面保持接触而进行,使得氧化物单晶基板被嵌入 在含有Li化合物的粉末中,通过加热基材。

    圧電材料の製造方法、並びにこれにより製造された圧電材料を用いた圧電素子、及び圧電素子応用デバイス
    9.
    发明申请
    圧電材料の製造方法、並びにこれにより製造された圧電材料を用いた圧電素子、及び圧電素子応用デバイス 审中-公开
    制造压电材料的方法,使用其制造的压电材料的压电元件和使用压电元件的器件

    公开(公告)号:WO2016103515A1

    公开(公告)日:2016-06-30

    申请号:PCT/JP2014/084702

    申请日:2014-12-26

    CPC classification number: C04B35/00 H01L41/187 H01L41/39

    Abstract:  単独組成では菱面体晶であり且つキュリー温度がTc1であるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる第1成分の非鉛系圧電材料と、単独組成では菱面体晶以外の結晶であり且つキュリー温度がTc2であるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる第2成分の非鉛系圧電材料と、からなる2成分系圧電材料の製造方法であって、前記Tc1と前記Tc2との差の絶対値|Tc1-Tc2|が50℃以下となるように、前記第1成分と第2成分とを選定し、横軸に前記第1成分と前記第2成分との組成比を、縦軸に温度を採った相図において、前記Tc1と前記Tc2とを結ぶ直線のうち、第2成分の(第1成分+第2成分)に対するモル比率が0.1以上0.9以下且つ280℃以上に位置する領域の組成を選択して、前記第1成分と前記第2成分とを組み合わせる。

    Abstract translation: 一种双组分压电材料的制造方法,包括:第一无铅压电材料组分,其包含具有钙钛矿结构的Tc的居里温度的复合氧化物,并且以独立的组成形成菱方晶; 以及第二无铅压电材料组分,其包含具有钙钛矿结构的复合氧化物,其居里温度为Tc2,并且在独立组合物中形成除了菱方晶之外的晶体。 其中,第一分量和第二分量被选择为使得Tc1和Tc2之间的差绝对值| Tc1-Tc2 |为50℃以下,并且组合第一分量和第二分量 通过使用相图,横轴表示第一和第二成分的组成比,纵轴表示温度并选择位于280℃以上的区域的组成的相图,显示出摩尔比 的第一和第二成分的总和为0.1〜0.9,并且沿着连接Tc1和Tc2的直线配置。

    POLYMER FOAM-BASED PIEZOELECTRIC MATERIALS AND METHOD OF MANUFACTURE
    10.
    发明申请
    POLYMER FOAM-BASED PIEZOELECTRIC MATERIALS AND METHOD OF MANUFACTURE 审中-公开
    聚合物泡沫基压电材料及其制备方法

    公开(公告)号:WO2014193493A3

    公开(公告)日:2015-02-26

    申请号:PCT/US2014016717

    申请日:2014-02-17

    Abstract: This invention relates to thermally stable piezoelectric polymer foams (ferroelectrets) with high piezoelectric activity for sensing and actuation and a method of fabricating such foams. In embodiments, a carbon dioxide bonding process is used to couple layers of an assembly, wherein the assembly is formed by arranging patterned layers and metallized top and bottom layers.

    Abstract translation: 本发明涉及用于感测和致动的具有高压电活性的热稳定的压电聚合物泡沫(铁电体)和制造这种泡沫的方法。 在实施例中,使用二氧化碳粘合工艺来连接组件的层,其中通过布置图案化层和金属化顶部和底部层来形成组件。

Patent Agency Ranking