公开(公告)号：WO2012161268A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：PCT/JP2012/063358

申请日：2012-05-24

Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  ソニー株式会社 ,  塩谷 陽平 ,  善積 祐介 ,  京野 孝史 ,  住友 隆道 ,  上野 昌紀 ,  簗嶋 克典 ,  田才 邦彦 ,  中島 博

Inventor： 塩谷　陽平 ,  善積　祐介 ,  京野　孝史 ,  住友　隆道 ,  上野　昌紀 ,  簗嶋　克典 ,  田才　邦彦 ,  中島　博

IPC: H01S5/323

CPC classification number: H01S5/3201 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/176 ,  H01S2304/04

Abstract: 長波長のレーザ発振においてしきい値電流を低減できるクラッド構造を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。ｎ型クラッド層２１、活性層２５及びｐ型クラッド層２３は主面１７ａの法線軸ＮＸの方向に配置される。この主面１７ａは、六方晶系窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸Ｃｘに直交する面を基準に６３度以上８０度未満の範囲の角度ＡＬＰＨＡで六方晶系窒化物半導体のｍ軸の方向に傾斜している。活性層２５はｎ型クラッド層２１とｐ型クラッド層２３との間に設けられる。活性層２５は波長４８０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲にピーク波長を有する光を発生するように設けられる。ｎ型クラッド層２１及びｐ型クラッド層２３の屈折率はＧａＮの屈折率よりも小さい。ｎ型クラッド層２１の厚さＤｎは２μｍ以上であり、ｐ型クラッド層２３の厚さＤｐは５００ｎｍ以上である。

Abstract translation: 提供一种具有包层结构的氮化物半导体激光元件，其可以在长波长的激光振荡期间降低阈值电流。 在主面（17a）的法线轴（NX）的方向上配置有n型包覆层（21），有源层（25）和p型覆盖层（23）。 主面（17a）相对于与基准轴正交的面，在六方晶氮化物半导体的m轴方向上倾斜角度（ALPHA）为63度以上且小于80度 Cx）在六方晶系氮化物半导体的c轴方向上延伸。 有源层（25）设置在n型覆层（21）与p型覆层（23）之间。 有源层（25）以这样的方式设置，以产生峰值波长为480nm-600nm（包括端值）的光。 n型包覆层（21）和p型覆层（23）的折射率低于GaN的折射率。 n型包覆层（21）的厚度（Dn）为2μm以上，p型包覆层（23）的厚度（Dp）为500nm以上。

公开(公告)号：WO2011161775A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：PCT/JP2010/060601

申请日：2010-06-23

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  中原 宏治 ,  土屋 朋信 ,  榊原 慎 ,  田中 滋久

Inventor： 中原　宏治 ,  土屋　朋信 ,  榊原　慎 ,  田中　滋久

IPC: H01S5/04

CPC classification number: H01S5/04 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/3401 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/176

Abstract: 　従来の電子線励起半導体レーザやＬＥＤ素子では特性向上のために絶縁膜等を設置すると電子線によりチャージアップを起こすために素子の特性が劣化するのが課題であった。サファイア基板上に形成された窒化物半導体層２，３，４，５からなる半導体レーザにおいてリッジストライプ構造５の脇に絶縁膜６と金属膜７が積層して設けられている。金属膜７が加速電圧－Ｖｄより大きく接地電圧０Ｖ以下に設定されている電源１３に接続されており、上下ｎクラッド層２，４は電極８，９を介して接地されている。

Abstract translation: 存在如下问题：如果设置绝缘膜等以改善常规电子束激发半导体激光器或LED器件的特性，则由于电子束引起的充电发生，器件的特性降低。 在包括形成在蓝宝石衬底上的氮化物半导体层（2,3,4,5）的半导体激光器中，绝缘膜（6）和金属膜（7）堆叠并设置在脊状条纹结构（5）的旁边。 金属膜（7）连接到电源（13），其电压设定为大于-Vd的加速电压且小于或等于0V的接地电压。 上和下n个覆盖层（2,4）通过电极（8,9）连接到地面。

公开(公告)号：WO2010140600A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：PCT/JP2010/059296

申请日：2010-05-26

Applicant: RICOH COMPANY, LTD. ,  HIGASHI, Yasuhiro ,  HARASAKA, Kazuhiro

Inventor： HIGASHI, Yasuhiro ,  HARASAKA, Kazuhiro

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/0042 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18333 ,  H01S5/18338 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/3436 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/176 ,  H04N1/024

Abstract: A method of manufacturing a surface- emitting laser element having a light-emitting mesa structure with an emitting area including a high- reflectance portion and a low-reflectance portion includes forming a layered body that includes a lower reflecting mirror, a cavity structure, and an upper reflecting mirror on a substrate; forming a first area on an upper surface of the layered body; forming a second area having the same size as the first area on the upper surface of the layered body; forming a light-emitting mesa structure and a monitoring-mesa structure by etching the first area and the second area, respectively; forming a confinement structure including a current passage area surrounded by an oxide in the light-emitting mesa structure and the monitoring-mesa structure; and measuring the size of the current passage area of the monitoring-mesa structure.

Abstract translation: 一种制造具有发光台面结构的表面发射激光器元件的方法，该发光台面结构具有包括高反射率部分和低反射部分的发射区域，包括形成包括下反射镜，空腔结构和 在基板上的上反射镜; 在层叠体的上表面上形成第一区域; 在层叠体的上表面上形成与第一区域相同尺寸的第二区域; 通过蚀刻第一区域和第二区域来分别形成发光台面结构和监视台面结构; 形成包含由发光台面结构中的氧化物包围的电流通道区域和监测台面结构的约束结构; 并测量监测台面结构的当前通过面积的大小。

公开(公告)号：WO2007116659A1

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：PCT/JP2007/056056

申请日：2007-03-23

Applicant: 日本電気株式会社 ,  畠山 大

Inventor： 畠山 大

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/1835 ,  H01S5/0267 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18333 ,  H01S5/18338 ,  H01S5/2059 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/176

Abstract: 　従来の酸化狭窄型構造ＶＣＳＥＬにおいては、素子の内部応力および熱抵抗低減上の課題を有するため、特に、高速変調型ＶＣＳＥＬの高信頼性を図る上で課題となっている。本発明の一実施形態に係る面発光レーザは、メサ中に設けられ、電気的且つ光学的に孤立した単一の電流注入開口領域を有しており、電流注入により発光する活性層と、該活性層を挟むように設けられた第１の反射器および第２の反射器と、活性層に電流を注入するｎ電極およびｐ電極と、前記電流注入開口領域を包囲するように設けられ、イオンが注入された非導電性の高抵抗化領域と、前記メサの側壁からメサの内部まで延在する非導電性酸化層と、を備え、その際、前記電流注入開口領域の略中央から当該面発光レーザの外周に至る半断面の中に、前記非導電性の高抵抗化領域で囲まれている、レーザ発振光の存在する領域の内側には前記非導電性酸化層が現れない半断面が存在する。

Abstract translation: 由于传统的氧化物封闭结构VCSEL具有器件内部应力和热阻降低的问题，高速调制VCSEL的高可靠性的提高也是一个问题。 本发明实例的表面发光激光器包括设置在台面中的有源层，具有电和光隔离的单电流注入开口区域，并且在注入电流时发射光;第一和第二反射器，其间具有活性 层，用于将电流注入有源层的n电极和p电极，设置为围绕电流注入开口区域并进行离子注入的非导电高电阻区域，以及从侧壁延伸的非导电氧化物层 的台面到台面的内部。 在从当前注入开口区域的大致中央部分到表面发光激光器的外周的半部分中，存在由非导电高电阻区域包围的半部分，并且在区域内没有非导电氧化物层 存在激光振荡光。

公开(公告)号：WO2004070899A2

公开(公告)日：2004-08-19

申请号：PCT/EP2003/012968

申请日：2003-11-19

Applicant: VERTILAS GMBH ,  AMANN, Markus, Christian

Inventor： AMANN, Markus, Christian

IPC: H01S5/20

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/34306 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/176

Abstract: Zur Herstellung einer Wellenleiterstruktur in einem oberflächenemittierenden Halbleiterlaser mit einer aktiven Zone (3) und einem Tunnelkontakt (7) auf der p-Seite der aktiven Zone (3), der an eine zweite n-dotierte Halbleiterschicht (8) grenzt, wird vorgeschlagen, in einem ersten epitaktischen Wachstumsprozess auf eine p-dotierte Halbleiterschicht (5) eine n-dotierte Sperrschicht (6, 6a) aufzubringen, die anschliessend zum Teil zur Ausbildung einer Apertur (10) abgetragen wird. In einem zweiten epitaktischen Wachstumsprozess wird dann die für den Tunnelkontakt (7) vorgesehene Schicht auf die verbleibende Sperrschicht (6, 6a) sowie die Apertur (10) aufgebracht. Durch Variation der. Dicke dieser Sperrschicht (6, 6a) lässt sich die laterale Wellenführung und Modenselektion stetig einstellen.

Abstract translation: 在面发光半导体激光器产生具有有源区（3）和一个隧道结（7）上的活动区（3），其毗邻的第二n型掺杂的半导体层（8）上的所述p侧的波导结构中，因此建议在 p型掺杂的半导体层（5）的n掺杂的阻挡层（6，6a）的应用，这是部分随后被去除以形成孔（10）上的第一外延生长工艺。 后的剩余的阻挡层（6，6a）和所述孔（10）在层被施加，则对于隧道结（7）在第二外延生长工艺。 通过改变。 该阻挡层（6，6a）中的厚度可以被设置，所述横向波导和模式选择稳步。

公开(公告)号：WO2004059808A2

公开(公告)日：2004-07-15

申请号：PCT/US2003/040682

申请日：2003-12-18

Applicant: CREE, INC. ,  HABERERN, Kevin, W. ,  ROSADO, Raymond ,  BERGMANN, Michael, J. ,  EMERSON, David, T.

Inventor： HABERERN, Kevin, W. ,  ROSADO, Raymond ,  BERGMANN, Michael, J. ,  EMERSON, David, T.

IPC: H01S5/028

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176

Abstract: A method of forming a semiconductor device may include forming a semiconductor structure on a substrate wherein the semiconductor structure defines a mesa having a mesa surface opposite the substrate and mesa sidewalls between the mesa surface and the substrate. A first passivation layer can be formed on at least portions of the mesa sidewalls and on the substrate adjacent the mesa sidewalls wherein at least a portion of the mesa surface is free of the first passivation layer and wherein the first passivation layer comprises a first material. A second passivation layer can be formed on the first passivation layer wherein at least a portion of the mesa surface is free of the second passivation layer, and wherein the second passivation layer comprises a second material different than the first material. Related devices are also discussed.

Abstract translation: 形成半导体器件的方法可以包括在衬底上形成半导体结构，其中半导体结构限定具有与衬底相对的台面的台面和台面与衬底之间的台面侧壁。 第一钝化层可以形成在台面侧壁的至少部分和邻近台面侧壁的基板上，其中台面表面的至少一部分不含第一钝化层，并且其中第一钝化层包括第一材料。 可以在第一钝化层上形成第二钝化层，其中台面表面的至少一部分不含第二钝化层，并且其中第二钝化层包括不同于第一材料的第二材料。 还讨论了相关设备。

公开(公告)号：WO2004059706A2

公开(公告)日：2004-07-15

申请号：PCT/US2003/040483

申请日：2003-12-18

Applicant: CREE, INC. ,  BERGMANN, Michael, J. ,  EMERSON, David, T. ,  ABARE, Amber, C. ,  HABERERN, Kevin, W.

Inventor： BERGMANN, Michael, J. ,  EMERSON, David, T. ,  ABARE, Amber, C. ,  HABERERN, Kevin, W.

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176

Abstract: An electronic device may include a substrate and a semiconductor mesa on the substrate. More particularly, the semiconductor mesa may have a mesa base adjacent the substrate, a mesa surface opposite the substrate, and mesa sidewalls between the mesa surface and the mesa base. In addition, the semiconductor mesa may have a first conductivity type between the mesa base and a junction, the junction may be between the mesa base and the mesa surface, and the semiconductor mesa may have a second conductivity type between the junction and the mesa surface. Related methods are also discussed.

Abstract translation: 电子器件可以包括衬底和衬底上的半导体台面。 更具体地，半导体台面可以具有邻近衬底的台面基底，与衬底相对的台面，以及台面表面和台面基底之间的台面侧壁。 此外，半导体台面可以在台面基底和结之间具有第一导电类型，该结可以在台面基底和台面表面之间，并且半导体台面可以在接合部和台面之间具有第二导电类型 。 还讨论了相关方法。

公开(公告)号：WO0173856A3

公开(公告)日：2002-05-23

申请号：PCT/US0109015

申请日：2001-03-20

Applicant: AEGIS SEMICONDUCTOR ,  MA EUGENE Y ,  PAYNE ADAM M ,  WAGNER MATTHIAS

Inventor： MA EUGENE Y ,  PAYNE ADAM M ,  WAGNER MATTHIAS

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/036 ,  H01L31/105 ,  H01S5/022 ,  H01S5/026 ,  H01S5/183 ,  H01S5/42

CPC classification number: H01S5/02272 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/036 ,  H01L31/105 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/183 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/176

Abstract: Materials suitable for fabricating optical monitors include amorphous, polycrystalline and microcrystalline materials. Semitransparent photodetector materials may be based on silicon or silicon and germanium alloys. Conductors for connecting to and contacting the photodetector may be made from various transparent oxides, including zinc oxide, tin oxide and indium tin oxide. Optical monitor structures based on PIN diodes take advantage of the materials disclosed. Various contact, lineout, substrate and interconnect structures optimize the monitors for integration with various light sources, including vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) arrays. Complete integrated structures include a light source, optical monitor and either a package or waveguide into which light is directed.

Abstract translation: 适用于制造光学显示器的材料包括无定形，多晶和微晶材料。 半透射光电探测器材料可以基于硅或硅和锗合金。 用于连接和接触光电检测器的导体可以由各种透明氧化物制成，包括氧化锌，氧化锡和氧化铟锡。 基于PIN二极管的光学监视器结构利用所公开的材料。 各种接触，线路，基板和互连结构优化了监视器，以与各种光源（包括垂直腔表面发射激光器（VCSEL）阵列）集成。 完整的集成结构包括光源，光学监视器以及光引导的封装或波导。

公开(公告)号：WO0173902A2

公开(公告)日：2001-10-04

申请号：PCT/US0109013

申请日：2001-03-20

Applicant: AEGIS SEMICONDUCTOR ,  WAGNER MATTHIAS

Inventor： WAGNER MATTHIAS

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/026 ,  H01S5/183 ,  H01S5/42 ,  H04B10/40 ,  H01S3/00

CPC classification number: H01S5/02284 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/183 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/176 ,  H04B10/40

Abstract: Materials suitable for fabricating optical monitors include amorphous, polycrystalline and microcrystalline materials. Semitransparent photodetector materials may be based on silicon or silicon and germanium alloys. Conductors for connecting to and contacting the photodetector may be made from various transparent oxides, including zinc oxide, tin oxide and indium tin oxide. Optical monitor structures based on PIN diodes take advantage of the material disclosed. Various contact, lineout, substrate and interconnect structures optimize the monitors for integration with various light sources, including vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) arrays. Complete integrated structures include a light source, optical monitor and either a package or waveguide into which light is directed.

Abstract translation: 适用于制造光学显示器的材料包括无定形，多晶和微晶材料。 半透射光电探测器材料可以基于硅或硅和锗合金。 用于连接和接触光电检测器的导体可以由各种透明氧化物制成，包括氧化锌，氧化锡和氧化铟锡。 基于PIN二极管的光学监视器结构利用所公开的材料。 各种接触，线路，衬底和互连结构优化了监视器，以与各种光源（包括垂直腔表面发射激光器（VCSEL）阵列）集成。 完整的集成结构包括光源，光学监视器以及光引导的封装或波导。

公开(公告)号：WO01017079A1

公开(公告)日：2001-03-08

申请号：PCT/US2000/024335

申请日：2000-08-30

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18394 ,  H01S5/18327 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18375 ,  H01S5/18377 ,  H01S5/18391 ,  H01S2301/176 ,  H01S2301/18

Abstract: A near field optical apparatus (14) comprising a conductive sheet or plane (16) having an aperture therein, with the conductive plane (16) including at least one protrusion (20) which extends into the aperture. The location, structure and configuration of the protrusion (20) or protrusions (20) can be controlled to provide desired near field localization of optical power output associated with the aperture. Preferably, the location, structure and configuration of the protrusion (20) are tailored to maximize near field localization at generally the center of the aperture. The aperture preferably has a perimeter dimension which is substantially resonant with the output wavelength of the light source, or is otherwise able to support a standing wave of significant amplitude. The apparatus (14) may be embodied in a vertical cavity surface emitting layer or VCSEL having enhanced near field brightness by providing a conductive layer on the laser emission facet, with a protrusion (20) of the conductive layer extending into an aperture in the emission facet. The aperture in the emission facet preferably has dimensions smaller than the guide mode of the laser, and the aperture preferably defines different regions of reflectivity under the emission facet. The depth of the aperture can be etched to provide a particular target loss, and results in higher optical power extraction from the emission facet.

Abstract translation: 一种近场光学设备（14），包括其中具有孔的导电片或平面（16），所述导电平面（16）包括延伸到所述孔中的至少一个突起（20）。 可以控制突起（20）或突起（20）的位置，结构和构造，以提供与孔相关联的光功率输出的期望的近场定位。 优选地，突出物（20）的位置，结构和构造被调整为使孔的大致中心处的近场定位最大化。 孔径优选具有基本上与光源的输出波长共振的周边尺寸，或者否则能够支持显着振幅的驻波。 可以通过在激光发射小面上提供导电层而将装置（14）体现在具有增强的近场亮度的垂直腔表面发射层或VCSEL中，其中导电层的突起（20）延伸到发射的孔中 面。 发射小面的孔径优选具有小于激光器的引导模式的尺寸，并且孔径优选地在发射面下限定不同的反射率区域。 可以蚀刻孔径的深度以提供特定的目标损耗，并且导致从发射面提取更高的光功率。