公开(公告)号：WO2015122367A1

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：PCT/JP2015/053366

申请日：2015-02-06

申请人： 古河電気工業株式会社

发明人： 清田　和明 ,  小林　剛

IPC分类号： H01S5/026 ,  H01S5/12 ,  H01S5/125 ,  H01S5/343 ,  H01S5/50

CPC分类号： H01S5/06258 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0268 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/106 ,  H01S5/227 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/50

摘要： 　半導体レーザと、前記半導体レーザの出力レーザ光を増幅する半導体光増幅器と、を基板上に集積した集積型半導体レーザ素子であって、前記半導体レーザは、第１活性層を含み、前記半導体光増幅器は、第２活性層を含み、前記第１活性層および前記第２活性層は、多重量子井戸構造を有し、前記第２活性層は、前記第１活性層よりも量子井戸の数が多いことを特徴とする集積型半導体レーザ素子。これにより、出力レーザ光のスペクトル線幅が狭く、かつ高強度な集積型半導体レーザ素子および半導体レーザモジュールを実現することができる。

摘要翻译： 一种集成半导体激光元件，其通过在衬底上集成半导体激光器和放大半导体激光器的输出激光的半导体光放大器而获得，其特征在于：所述半导体激光器包括第一有源层; 所述半导体光放大器包括第二有源层; 第一有源层和第二有源层具有多个量子阱结构; 并且第二有源层具有比第一有源层更多数量的量子阱。 因此，可以实现：具有输出激光的集成半导体激光元件，其具有窄的谱线宽度和高强度; 和半导体激光器模块。

公开(公告)号：WO2013173797A1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：PCT/US2013/041712

申请日：2013-05-17

申请人： FINISAR CORPORATION

发明人： MATSUI, Yasuhiro

IPC分类号： G02B26/00 ,  G02B26/08

CPC分类号： H01S5/0085 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0035 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/1221 ,  H01S5/20 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3415 ,  H01S5/3416 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3434 ,  H04B10/504

摘要： In an embodiment, a distributed Bragg reflector (DBR) laser includes a gain section and a passive section. The gain section includes an active region, an upper separate confinement heterostructure (SCH), and a lower SCH. The upper SCH is above the active region and has a thickness of at least 60 nanometers (nm). The lower SCH is below the active region and has a thickness of at least 60 nm. The passive section is coupled to the gain section, the passive section having a DBR in optical communication with the active region.

摘要翻译： 在一个实施例中，分布式布拉格反射器（DBR）激光器包括增益部分和无源部分。 增益部分包括有源区，上分离限制异质结构（SCH）和下SCH。 上层SCH高于有源区，其厚度至少为60纳米（nm）。 较低的SCH低于有源区，并具有至少60nm的厚度。 无源部分耦合到增益部分，无源部分具有与有源区域光学通信的DBR。

公开(公告)号：WO2006103643A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：PCT/IE2006/000022

申请日：2006-03-30

申请人： THE PROVOST, FELLOWS AND SCHOLARS OF THE COLLEGE OF THE HOLY AND UNDIVIDED TRINITY OF QUEEN ELIZABETH NEAR DUBLIN ,  O'BRIEN, Canice, Gerard ,  SEO, Woon-Ho ,  WU, Guan-Hong ,  DONEGAN, John, Francis

发明人： O'BRIEN, Canice, Gerard ,  SEO, Woon-Ho ,  WU, Guan-Hong ,  DONEGAN, John, Francis

IPC分类号： H01S5/223 ,  H01S5/065 ,  H01S5/22 ,  H01S5/20 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01S5/065 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3434

摘要： A heterostructure self-pulsating laser device (1) comprising an active layer (5) with first and second cladding layers (6, 7) on respective opposite sides of the active layer (5) is grown on an n-substrate (2) of indium phosphide, the second cladding layer (7) being grown on the substrate (2), the active layer (5) being grown on the second cladding layer (7), and the first cladding layer (6) being grown on the active layer (5). A current blocking layer (12) is formed in the first cladding layer (6) and divides the first cladding layer (6) to form a distal cladding layer (15) and a proximal cladding layer (16) adjacent the active layer (5). A channel (14) defined by the current blocking layer (12) confines the current in the first cladding layer (6) and determines the width of the active light generating area of the active layer (5). The first and second cladding layers (6, 7) and the current blocking layer (12) are of grown doped indium phosphide. The first cladding layer (6) is doped to be a p-type layer and the second cladding layer (7) and the current blocking layer (12) are doped to be of n-type. The level of dopant in the current blocking layer (12) is approximately ten times greater than the level of doping in the first cladding layer (6) in order to establish an effective refractive index step in the lateral direction of the active layer (5) in order to confine light generated in the active layer (5). A continuous wave operating laser device is also described.

摘要翻译： 在有源层（5）的相对的相对侧上包括具有第一和第二覆层（6,7）的有源层（5）的异质结构自脉动激光器件（1）生长在n型衬底（2）上 磷化铟，第二包层（7）在衬底（2）上生长，有源层（5）生长在第二覆层（7）上，并且第一覆层（6）在有源层上生长 （5）。 在第一包层（6）中形成电流阻挡层（12），并分隔第一覆层（6）以形成与活性层（5）相邻的远侧包层（15）和近侧包层（16） 。 由电流阻挡层（12）限定的沟道（14）将电流限制在第一覆层（6）中，并确定有源层（5）的有源光产生区域的宽度。 第一和第二覆层（6,7）和电流阻挡层（12）是生长掺杂的磷化铟。 第一覆层（6）掺杂为p型层，第二覆层（7）和电流阻挡层（12）掺杂为n型。 为了在有源层（5）的横向方向上建立有效的折射率步骤，电流阻挡层（12）中的掺杂剂的水平比第一包层（6）中的掺杂水平大大约十倍， 以限制在活性层（5）中产生的光。 还描述了连续波操作激光装置。

公开(公告)号：WO0133677A2

公开(公告)日：2001-05-10

申请号：PCT/US0041775

申请日：2000-11-01

申请人： UNIV ARIZONA ,  JOHNSON SHANE ,  DOWD PHILIP ,  BRAUN WOLFGANG ,  ZHANG YONG HANG ,  GUO CHANG ZHI

发明人： JOHNSON SHANE ,  DOWD PHILIP ,  BRAUN WOLFGANG ,  ZHANG YONG-HANG ,  GUO CHANG-ZHI

IPC分类号： H01S5/323 ,  H01S5/183 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  H01S3/00

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/32366 ,  H01S5/3422 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/3434

摘要： The invention discloses improved structures of light-processing (e.g., light-emitting and light-absorbing/sensing) devices, in particular Vertical Cavity Surface Emitting Lasers (VCSELs), such as may find use in telecommunications applications. The disclosed VSCAL devices and production methods provide for an active region having a quantum well structure grown on GaAs-containing substrates, thus providing processing compatibility for light having wavelength in the range 1.0 to 1.6 mu m. The active region structure combines strain-compensating barriers with different band alignments in the quantum wells to achieve a long emission wavelength while at the same time decreasing the strain in the structure. The improved functioning of the devices disclosed results from building them with multicomponent alloy layers having a large number of constituents. The invention discloses as a key constituent in the proposed alloy layers for the active region a substance, such as nitrogen (N), suitable for reducing bandgap energy (i.e., increasing light wavelength) associated with the layers, while at the same time lowering the lattice constant associated with the structure and hence lowering strain.

摘要翻译： 本发明公开了光处理（例如，发光和光吸收/感测）装置，特别是垂直腔面发射激光器（VCSEL）的改进的结构，例如可用于电信应用。 所公开的VSCAL装置和制造方法提供了在含GaAs衬底上生长的量子阱结构的有源区，从而为波长在1.0至1.6μm的光提供处理兼容性。 有源区结构将应变补偿屏障与量子阱中的不同带对准结合在一起，以实现长发射波长，同时降低结构中的应变。 所公开的装置的改进的功能通过用具有大量成分的多组分合金层来构建它们。 本发明公开了用于活性区域的所提出的合金层中的关键组成部分，适合于降低与层相关的带隙能量（即，增加光波长）的物质，例如氮（N），同时降低 晶格常数与结构相关，从而降低应变。

公开(公告)号：WO98053535A1

公开(公告)日：1998-11-26

申请号：PCT/US1998/008433

申请日：1998-04-27

IPC分类号： H01S3/08 ,  G02B6/12 ,  G02F1/01 ,  G02F1/313 ,  H01S5/026 ,  H01S5/10 ,  H01S5/343 ,  H01S3/083

CPC分类号： B82Y20/00 ,  G02F1/011 ,  G02F1/3133 ,  G02F2203/055 ,  G02F2203/15 ,  H01S5/026 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/105 ,  H01S5/1075 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/3434

摘要： An optical, semiconductor micro-resonator device includes a microcavity resonator (12) and a pair of adjacent waveguides (14, 16). The microactivity resonator has a curved diameter of approximately 56000*lambda.lg/n.res or less where lambda.lg is the longest operating wavelength of light and n.res is the propagating refractive index. Light propagating in the first waveguide (14) with a wavelength on resonance with the microcavity resonator is coupled to the second waveguide (16) for output therefrom. Light propagating in the first waveguide (14) with a wavelength that is off resoance with the microcavity resonator continues to propagate in the first waveguide (14) for output therefrom.

摘要翻译： 光学半导体微谐振器装置包括微腔谐振器（12）和一对相邻的波导（14,16）。 微活性谐振器具有约56000×lambda.lg / n.res或更小的弯曲直径，其中lambda.lg是光的最长工作波长，n.res是传播折射率。 在第一波导（14）中以与微腔谐振器谐振的波长传播的光耦合到第二波导（16）以从其输出。 在第一波导（14）中以与微腔谐振不相干的波长传播的光继续在第一波导（14）中传播以从其输出。

公开(公告)号：WO1997036335A1

公开(公告)日：1997-10-02

申请号：PCT/IB1997000253

申请日：1997-03-13

申请人： PHILIPS ELECTRONICS N.V. ,  PHILIPS NORDEN AB

发明人： PHILIPS ELECTRONICS N.V. ,  PHILIPS NORDEN AB ,  THIJS, Petrus, Johannes, Adrianus ,  VAN DONGEN, Teunis

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/30 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3409 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3434

摘要： The invention relates to a radiation-emitting semiconductor diode, in particular a laser (amplifier) diode, of the buried hetero type which comprises at least one separate confinement layer (4) lying between the active layer (2) and one of the InP cladding layers (1, 3). The active region (2A) has an emission wavelength above 1 mu m and forms part, as do the separate confinement layer (4) and the InP cladding layers (1, 3), of the strip-shaped region (30) which is surrounded by a current-blocking third cladding layer (5) of InP. A disadvantage of the known diode is that its starting current rises comparatively strongly in time, so that the useful life of the diode is limited and indeed too short. In a diode according to the invention, the separate confinement layer (4) comprises an aluminum-containing semiconductor material with at most 30 % aluminum, and preferably at most 20 % aluminum, or an aluminum-free semiconductor material. The short life of the known diode was caused by the presence of oxygen-containing material on the lateral sides of the separate confinement layer (4) adjoining the third cladding layer (5). The degradation is related to the aluminum content of the separate confinement layer (4). Preferably, the separate confinement layer (4) comprises AlGaInAs or GaInAsP. The bandgap and refractive index of the separate confinement layer may have flat, stepped, or gradual profiles. The invention also relates to a method of manufacturing a diode according to the invention.

摘要翻译： 本发明涉及一种掩埋异质型的辐射发射半导体二极管，特别是一种激光器（放大器）二极管，其包括位于有源层（2）和一个InP覆层之间的至少一个单独限制层（4） 层（1,3）。 有源区域（2A）的发射波长大于1μm，与被包围的带状区域（30）的单独约束层（4）和InP包覆层（1,3）一样形成一部分， 通过InP的电流阻挡第三包覆层（5）。 已知二极管的缺点是其启动电流在时间上相对较强地上升，使得二极管的使用寿命受到限制，实际上太短。 在根据本发明的二极管中，分离的限制层（4）包括含铝的半导体材料，其具有至多30％的铝，优选至多20％的铝或不含铝的半导体材料。 已知二极管的短寿命是由于在与第三覆层（5）相邻的单独约束层（4）的侧面上存在含氧材料引起的。 降解与单独限制层（4）的铝含量有关。 优选地，分离的限制层（4）包括AlGaInAs或GaInAsP。 分离的限制层的带隙和折射率可以具有平坦的，阶梯的或逐渐的轮廓。 本发明还涉及根据本发明制造二极管的方法。

公开(公告)号：WO1997015969A2

公开(公告)日：1997-05-01

申请号：PCT/US1996016593

申请日：1996-10-18

申请人： SDL, INC.

发明人： SDL, INC. ,  NAGARAJAN, Radhakrishnan ,  MAJOR, Jo., S., Jr.

IPC分类号： H01S03/19

CPC分类号： H01S5/3434 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/068 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34313 ,  H04B10/504 ,  H04B10/6911 ,  H04B10/6932

摘要： An optical transmission link has both a transmitter module and a receiver module operable under uncooled conditions, i.e., without the need of costly cooling equipment, such as thermoelectric coolers. The optical transmission system includes both a semiconductor laser diode source and an optical receiver module that are both designed to operate uncooled under high frequencies (e.g., GHz range) over a wide temperature range without significant changes in signal bandwidth and at temperatures in excess of 125 DEG C. Compensation is provided to reduce the effect of photodiode noise and amplifier noise. In addition, temperature compensation can be provided that provides for overall reduction in receiver noise across the bandwidth of the receiver module through maintenance of a temperature environment optimizing receiver performance.

摘要翻译： 光传输链路具有在不冷却条件下可操作的发射器模块和接收器模块，即不需要昂贵的冷却设备，例如热电冷却器。 光传输系统包括半导体激光二极管源和光接收器模块，其均被设计为在宽的温度范围内在高频（例如，GHz范围）下未经制冷而不经过信号带宽的显着变化而且在超过125 DEG C.提供补偿以减少光电二极管噪声和放大器噪声的影响。 此外，可以提供温度补偿，其通过维持优化接收机性能的温度环境来提供整个接收器模块的带宽上的接收机噪声的整体降低。

公开(公告)号：WO2016056498A1

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：PCT/JP2015/078161

申请日：2015-10-05

申请人： 古河電気工業株式会社

发明人： 清田　和明 ,  木本　竜也 ,  齋藤　裕介

IPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/12 ,  G02B6/132 ,  G02B6/136 ,  G02F1/017 ,  H01S5/026

CPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/12 ,  G02B6/12011 ,  G02B6/12019 ,  G02B6/132 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12121 ,  G02B2006/12142 ,  G02F1/017 ,  G02F1/025 ,  G02F1/2257 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/063 ,  G02F2202/102 ,  H01S5/0268 ,  H01S5/12 ,  H01S5/209 ,  H01S5/2232 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4087 ,  H01S5/50

摘要： 　基板上に、少なくとも下部クラッド層、導波路コア層、および上部クラッド層を順次積層した半導体光集積素子であって、前記導波路コア層の両側近傍に半導体クラッド材料が埋め込まれた構造を有する埋め込み型導波路部と、前記上部クラッド層を少なくとも含む半導体層がメサ状に突出した導波路構造を有するメサ型導波路部とを備え、前記埋め込み型導波路部における前記上部クラッド層の厚さは、前記メサ型導波路部における前記上部クラッド層の厚さよりも厚い半導体光集積素子。

摘要翻译： 提供一种半导体光学集成元件，其中顺序地堆叠在基板上至少具有下包层，波导芯层和上包层，其中提供以下结构：嵌入式波导部件，其具有其中半导体 包层材料嵌入在波导芯层的两端附近; 以及具有波导结构的台面型波导部件，其中至少包含上覆层的半导体层以台面状突出。 嵌入式波导管部分中的上部包覆层的厚度大于台面型波导管部分中的上部包覆层的厚度。

公开(公告)号：WO2014085562A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：PCT/US2013/072195

申请日：2013-11-27

申请人： CORNING INCORPORATED ,  CANEAU, Catherine Genevieve ,  XIE, Feng ,  ZAH, Chung-En

发明人： CANEAU, Catherine Genevieve ,  XIE, Feng ,  ZAH, Chung-En

IPC分类号： H01S5/34 ,  H01S5/40 ,  H01S5/026 ,  H01S5/125

CPC分类号： H01S5/3402 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0268 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/125 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/4068 ,  H01S5/4087

摘要： Disclosed is a method of forming a laser source capable of producing mid-IR laser radiation comprises growing a first core structure on a substrate, etching away the first core structure in one or more locations, and growing a second core structure on the substrate. At least one of the core structures comprises a quantum cascade gain medium emitting at a frequency within the range from 3-14 μm. Also disclosed is a laser source capable of producing mid-IR laser radiation comprising a quantum- cascade core positioned on a substrate for emitting within the range from 3-14 μm and a second core on the substrate positioned in-plane relative to the first core. The second core is one of a) a passive waveguide core b) a second quantum-cascade core and c) a semiconductor active core region.

摘要翻译： 公开了一种形成能够产生中红外激光辐射的激光源的方法，包括在衬底上生长第一芯结构，在一个或多个位置蚀刻掉第一芯结构，并在衬底上生长第二芯结构。 核心结构中的至少一个包括以3-14μm范围内的频率发射的量子级联增益介质。 还公开了一种能够产生中红外激光辐射的激光源，其包括位于衬底上的量子级联核心，用于在3-14μm的范围内发射，并且在基板上相对于第一核心定位在平面内的第二芯体 。 第二芯是a）无源波导芯b）第二量子级联核心和c）半导体活性核心区域。

公开(公告)号：WO2005124870A1

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：PCT/US2005/020797

申请日：2005-06-13

申请人： AGILENT TECHNOLOGIES, INC.

发明人： RANGANATH, Tirumala ,  ZHU, Jiantian

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L29/155 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3434

摘要： Semiconductor quantum well devices and methods of making the same are described. In one aspect, a device includes a quantum well structure (38) that includes semiconductor layers (40-52) defining interleaved heavy-hole and light-hole valance band quantum wells. Each of the quantum wells includes a quantum well layer interposed between barrier layers. One of the semiconductor layers that functions as a barrier layer of one of the light-hole quantum wells (60, 62) also functions as the quantum well layer of one of the heavy-hole quantum wells (54, 56, 58). Another of the semiconductor layers that functions as a barrier layer of one of the heavy-hole quantum wells (54, 56, 58) also functions as the quantum well layer of one of the light-hole quantum wells (60, 62).

摘要翻译： 描述了半导体量子阱器件及其制造方法。 一方面，一种器件包括量子阱结构（38），其包括限定交错的重孔和光空穴带隙量子阱的半导体层（40-52）。 每个量子阱包括置于阻挡层之间的量子阱层。 用作光孔量子阱（60,62）之一的阻挡层的半导体层之一也起到重孔子阱（54,56,58）之一的量子阱层的作用。 作为其中一个重孔量子阱（54,56,58）的阻挡层的另一个半导体层也用作光阱量子阱（60,62）之一的量子阱层。