公开(公告)号：WO2013017408A3

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：PCT/EP2012064035

申请日：2012-07-17

申请人： SUNFLAKE AS ,  AAGESEN MARTIN ,  JOERGENSEN HENRIK INGERSLEV ,  HOLM JEPPE VILSTRUP ,  SCHALDEMOSE MORTEN

发明人： AAGESEN MARTIN ,  JOERGENSEN HENRIK INGERSLEV ,  HOLM JEPPE VILSTRUP ,  SCHALDEMOSE MORTEN

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/03046 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/20 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544

摘要： The application discloses a technique for fabricating gallium-arsenide-phosphorous (GaAsP) nanostructures using gallium-assisted (Ga-assisted) Vapour-Liquid-Solid (VLS) growth, i.e. without requiring gold catalyst particles. The resulting Ga-assisted GaAsP nanostructures are free of gold particles, which renders them useful for optoelectronic applications, e.g. as a junction in a solar cell. The Ga-assisted GaAsP nanostructures can be fabricated with a band gap in the range 1.6 to 1.8 eV (e.g. at and around 1.7 eV).

摘要翻译： 本申请公开了一种使用镓辅助（Ga辅助）气 - 液 - 固（VLS）生长制造砷化镓 - 磷（GaAsP）纳米结构的技术，即不需要金催化剂颗粒。 所得的Ga辅助GaAsP纳米结构不含金颗粒，这使得它们可用于光电子应用，例如。 作为太阳能电池中的结。 Ga辅助GaAsP纳米结构可以制造在1.6至1.8eV范围内的带隙（例如在1.7eV附近和约1.7eV）。

公开(公告)号：WO2013041467A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：PCT/EP2012/068171

申请日：2012-09-14

申请人： SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE ,  KARG, Franz

发明人： KARG, Franz

IPC分类号： H01L27/142 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/0508 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/048 ,  Y02E10/50

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Dünnschichtsolarmodul (1) mit Serienverschaltung, welches mindestens umfasst: a) eine Rückelektrodenschicht (3), die durch Strukturierungslinien PR in Bereiche unterteilt ist, b) eine photoaktive Halbleiterschicht (4), die auf der Rückelektrodenschicht (3) angeordnet ist und durch Strukturierungslinien PA unterteilt ist und c) eine Frontelektrodenschicht (5), die auf der, der Rückelektrodenschicht (3) gegenüberliegenden Seite der photoaktiven Halbleiterschicht (4) angeordnet ist und durch Strukturierungslinien PF in Bereiche unterteilt ist, wobei Bereiche der Frontelektrodenschicht (5) mit benachbarten Bereichen der Rückelektrodenschicht (3) über Strukturierungslinien PA in Serienverschaltung elektrisch verbunden sind und die Strukturierungslinien PR mit Ausbuchtungen (7.10) und Kanten (7.11) und die Strukturierungslinien PA mit Ausbuchtungen (7.20) und Kanten (7.21) so zueinander ausgebildet, dass durch eine reduzierte mittlere Wegstrecke des in der photoaktiven Halbleiterschicht (4) erzeugten Stromes durch die Frontelektrodenschicht (5) der ohmsche Verlust verringert ist.

摘要翻译： 本发明涉及一种薄膜太阳能电池模块（1）具有串联连接，至少包括：a）一种背面电极层（3）通过图案化线PR在区域划分，b）一种光敏半导体层（4），其（背电极层3上） 并且通过图案化线PA和c）的前电极层（5）形成于背面电极层中的一个（3）的光敏半导体层的相反侧（4）被布置并通过构图线PF的地区与所述前电极层的部分分割（5分 ）被电连接到背面电极层（3）图案线PA在串联连接和图案化线PR（与凸起7.10）和边缘（7.11）和图案化线PA与凸起（7:20）和边缘（7.21的邻近区域）被形成为彼此，使得 通过减小的平均距离 （4）的光活性半导体层中产生的电流，欧姆损失被前电极层（5）减少。

公开(公告)号：WO2012162904A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：PCT/CN2011/075419

申请日：2011-06-07

申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 ,  章灵军 ,  吴坚 ,  张凤 ,  王栩生

发明人： 章灵军 ,  吴坚 ,  张凤 ,  王栩生

IPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/058 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/02245 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 一种光电转换装置，具有受光面和背光面，其包括：任意导电类型的半导体基板（1）和贯穿该半导体基板（1）的孔洞，并且仅在半导体基板（1）的受光面上设置于半导体基板（1）导电类型相反的半导体（2）。通过仅在受光面处设置半导体（2），并且基于导电类型相反的半导体基板（1）和该半导体（2）构成可实现受光面上的光转换为电的结构，能够实现在增加光电转换效率的同时，降低制造成本和减少制作步骤、时间的目的。

公开(公告)号：WO2012152740A2

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：PCT/EP2012/058339

申请日：2012-05-07

申请人： BAYER INTELLECTUAL PROPERTY GMBH ,  RAUSCHER, Frank ,  FELDMANN, Claus ,  KIND, Christian ,  LU, Huachang ,  KÖHLER, Karen ,  MLECZKO, Leslaw

发明人： RAUSCHER, Frank ,  FELDMANN, Claus ,  KIND, Christian ,  LU, Huachang ,  KÖHLER, Karen ,  MLECZKO, Leslaw

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B22F9/24 ,  H01L21/304 ,  H05K3/10 ,  H01L31/0352

CPC分类号： B22F1/0018 ,  B22F9/24 ,  B82Y30/00

摘要： Process for the synthesis of nanoparticles comprising oxidation sensitive metals, in particular copper comprising the following steps: Preparation and nucleation of citrate-capped Metal-hydroxide nanoparticles, reduction of the intermediate citrate-capped Metal-hydroxide nanoparticles to Metal 0 by reduction via NaBH 4 Cu 0 nanoparticles with narrow size distribution are obtained by NaBH 4 Li-induced reduction of CUCI 2 2H 2 O in diethylene glycol. The course of the reaction essentially involves an intermediate formation of Cu(OH) 2 nanoparticles as well as the presence of citrate to control the nucleation of almost monodisperse and non-agglomerated Cu 0 nanoparticles. The citrate-capped Cu 0 nanoparticles of the invention are surprisingly stable against air oxidation. Via simple solvent evaporation, porous Cu 0 thin-films are prepared on glass substrates that exhibit bulk-like sheet resistances of 0.23 - 0.42 Ω ϛ after vacuum sintering at 250 °C (bulk-Cu sheet under similar conditions with: 0.3 Ω ϛ ). With these features the as-prepared, citrate-capped Cu 0 nanoparticles become highly relevant to electronic devices in particular thin-film electronics, thin-film sensors and high-power batteries.

摘要翻译： 用于合成包含氧化敏感金属，特别是铜的纳米颗粒的方法包括以下步骤：柠檬酸盐封端的金属氢氧化物纳米颗粒的制备和成核，通过NaBH 4 CuO纳米颗粒还原将中间体柠檬酸盐封端的金属氢氧化物纳米颗粒还原成金属O 通过NaBH 4 Li诱导的二甘醇中CUCI 2 2H 2 O的还原获得窄尺寸分布。 反应过程基本上包括Cu（OH）2纳米颗粒的中间形成以及柠檬酸盐的存在，以控制几乎单分散和非聚集的CuO纳米颗粒的成核。 本发明的柠檬酸盐封端的CuO纳米颗粒对于空气氧化是惊人的稳定的。 通过简单的溶剂蒸发，在玻璃基板上制备多孔CuO薄膜，其表现出大体积片状电阻为0.23-0.42O？ 在250℃下真空烧结（在相似条件下为0.3O 2的块状Cu片）。 具有这些特征的是，柠檬酸盐封端的CuO纳米粒子与电子器件特别是薄膜电子学，薄膜传感器和大功率电池非常相关。

公开(公告)号：WO2012119779A2

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：PCT/EP2012/001047

申请日：2012-03-09

申请人： UNIVERSITAT DE BARCELONA ,  CABOT CODINA, Andreu ,  SHAVEL, Alexey ,  IBÁÑEZ SABATÉ, Maria

发明人： CABOT CODINA, Andreu ,  SHAVEL, Alexey ,  IBÁÑEZ SABATÉ, Maria

IPC分类号： B22F9/24 ,  B22F1/00 ,  H01L31/0352

CPC分类号： B22F1/0022 ,  B22F9/24 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/035218 ,  Y02E10/50

摘要： A continuous flow process for the preparation of a colloidal solution of Cu 2 A x SnSey nanoparticles, wherein A is selected from Cd, Hg, Ni and Zn, 0≤x≤1, and 3≤y≤4, which comprises a) mixing in a continuous flow reaction unit under inert atmosphere and at an appropriate temperature, an appropriate amount of each of i) a solution of an A salt in an inert organic solvent; ii) a solution of a Sn salt in an inert organic solvent; iii) a solution of a Cu salt in an inert organic solvent; iv) a Se coordination compound; and, v) one or more stabilising agents selected from primary (C 12 -C 18 )-amine, a (C 12 - C 18 )-carboxylic acid, a (C 10 -C 14 )-phosphonic acid, and a mixture of any of the amines with any of the acids; the inert organic solvent is equal or different for each salt, has a dielectric constant 2 A x SnSe y nanoparticle colloidal solution of step b). A colloidal solution of Cu 2 A x SnSe y nanoparticles with an average size between 1-100 nm, and a variance of the size distribution up to 20%, wherein A is selected from Cd, Hg and Ni, 0≤x≤1, and 3≤y≤4; and uses thereof. And methods for the manufacture of a photovoltaic cell, a photodetector or a thermoelectric device, comprising preparing the colloidal solution as defined above, and applying the colloidal solution onto an appropriate substrate

摘要翻译： 一种用于制备Cu2AxSnSey纳米颗粒胶体溶液的连续流动方法，其中A选自Cd，Hg，Ni和Zn，0 = x = 1，和3 = y = 4，其包括a）以连续流动 反应单元在惰性气氛和适当的温度下，适量的各种ⅰ）A盐在惰性有机溶剂中的溶液; ii）Sn盐在惰性有机溶剂中的溶液; iii）Cu盐在惰性有机溶剂中的溶液; iv）Se配位化合物; 和v）一种或多种选自伯（C12-C18） - 胺，（C12-C18） - 羧酸，（C10-C14） - 膦酸和任何胺与任何胺的混合物的稳定剂 的酸; 每种盐的惰性有机溶剂相同或不同，介电常数<10，沸点温度在100-350℃之间; b）以10秒-10分钟的速度逐渐加热混合物至100-350℃之间的温度; 和c）收集步骤b）的所得Cu 2 A x SnSey纳米颗粒胶体溶液。 Cu2AxSnSey纳米颗粒的胶体溶液，其平均尺寸在1-100nm之间，并且尺寸分布的变化高达20％，其中A选自Cd，Hg和Ni，0 = x = 1，并且3 = y = 4; 及其用途。 以及用于制造光伏电池，光电检测器或热电装置的方法，包括制备如上定义的胶体溶液，并将该胶体溶液施加到适当的基底上

公开(公告)号：WO2011141304A3

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：PCT/EP2011056909

申请日：2011-05-02

申请人： THALES SA ,  CENTRE NAT RECH SCIENT ,  INST NAT SCIENCES APPLIQ ,  JAFFRES HENRI ,  GEORGE JEAN-MARIE ,  DOLFI DANIEL ,  BAILI GHAYA ,  RENUCCI PIERRE ,  MARIE XAVIER

发明人： JAFFRES HENRI ,  GEORGE JEAN-MARIE ,  DOLFI DANIEL ,  BAILI GHAYA ,  RENUCCI PIERRE ,  MARIE XAVIER

IPC分类号： H01L31/101 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/101 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/035209

摘要： The invention relates to a resonant diode having a ferromagnetic (FM) tunnel contact for generating an electric current, the amplitude of which is determined by the polarization state of the absorbed light. The invention is essentially characterized by the presence of a stack of semi-conductor layers (B1, W, B2) thus defining a carrier confinement area. The operation principle comprises generating polarized carriers, electron-hole pairs in dual-barrier quantum semi-conductor wells or boxes by the resonant absorption of a light wave having circular or elliptic polarization. The invention can be used as a basic element or in the form of a two-dimensional array as a magnetic memory element, a light polarization detector, or a magnetic field sensor.

摘要翻译： 本发明涉及一种具有铁磁（FM）隧道接触的谐振二极管，用于产生电流，其振幅由吸收的光的偏振状态决定。 本发明的主要特征在于存在一层半导体层（B1，W，B2），从而限定载流子限制区域。 操作原理包括通过具有圆形或椭圆偏振光波的共振吸收产生双重势垒量子半导体阱或盒中的极化载流子，电子 - 空穴对。 本发明可以作为基本元件或二维阵列的形式用作磁存储元件，光偏振检测器或磁场传感器。

公开(公告)号：WO2012006223A3

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：PCT/US2011042693

申请日：2011-06-30

申请人： OSTENDO TECHNOLOGIES INC ,  EL-GHOROURY HUSSEIN S ,  MCNEILL DALE A ,  GUNCER SELIM E

发明人： EL-GHOROURY HUSSEIN S ,  MCNEILL DALE A ,  GUNCER SELIM E

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/02 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/032 ,  H01L31/042 ,  H01L31/068

CPC分类号： H02S40/34 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/02021 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/042 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/0749 ,  H02S40/32 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S977/755 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/948

摘要： Designs of extremely high efficiency solar cells are described. A novel alternating bias scheme enhances the photovoltaic power extraction capability above the cell band-gap by enabling the extraction of hot carriers. When applied in conventional solar cells, this alternating bias scheme has the potential of more than doubling their yielded net efficiency. When applied in conjunction with solar cells incorporating quantum wells (QWs) or quantum dots (QDs) based solar cells, the described alternating bias scheme has the potential of extending such solar cell power extraction coverage, possibly across the entire solar spectrum, thus enabling unprecedented solar power extraction efficiency. Within such cells, a novel alternating bias scheme extends the cell energy conversion capability above the cell material band-gap while the quantum confinement structures are used to extend the cell energy conversion capability below the cell band-gap. Light confinement cavities are incorporated into the cell structure in order to allow the absorption of the cell internal photo emission, thus further enhancing the cell efficiency.

摘要翻译： 描述了极高效率太阳能电池的设计。 一种新颖的交替偏压方案通过实现热载流子的提取来提高光伏功率提取能力在细胞带隙之上。 当应用于传统太阳能电池时，这种交替偏置方案有可能使其净效率提高一倍以上。 当与包含基于量子阱（QW）或基于量子点（QD）的太阳能电池的太阳能电池一起应用时，所描述的交替偏压方案有可能在整个太阳光谱范围内延伸这种太阳能电池功率提取覆盖范围，从而实现前所未有的 太阳能提取效率。 在这样的单元中，新颖的交替偏置方案将单元能量转换能力扩展到单元材料带隙之上，而量子限制结构用于将单元能量转换能力扩展到单元带隙之下。 光限制腔被结合到电池结构中以便允许电池内部光发射的吸收，从而进一步提高电池效率。

公开(公告)号：WO2012054477A3

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：PCT/US2011056707

申请日：2011-10-18

申请人： UNIV WAKE FOREST ,  CARROLL DAVID L

发明人： CARROLL DAVID L

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/042 ,  H01L31/052 ,  H01L31/076

CPC分类号： H01L31/1804 ,  G02B6/06 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/52

摘要： In one aspect, optoelectronic devices are described herein. In some embodiments, an optoelectronic device comprises a fiber core, a radiation transmissive first electrode surrounding the fiber core, at least one photosensitive inorganic layer surrounding the first electrode and electrically connected to the first electrode, and a second electrode surrounding the inorganic layer and electrically connected to the inorganic layer. In some embodiments, the device comprises a photovoltaic cell.

摘要翻译： 在一个方面，在此描述了光电子器件。 在一些实施例中，光电子器件包括光纤芯，围绕光纤芯的辐射传送型第一电极，围绕第一电极并电连接到第一电极的至少一个感光性无机层以及围绕无机层并且电气地 连接到无机层。 在一些实施例中，该装置包括光伏电池。

公开(公告)号：WO2012042212A3

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：PCT/GB2011001413

申请日：2011-09-28

申请人： IMP INNOVATIONS LTD ,  EKINS-DAUKES NICHOLAS ,  PHILLIPS CHRISTOPHER CLEMENT

发明人： EKINS-DAUKES NICHOLAS ,  PHILLIPS CHRISTOPHER CLEMENT

IPC分类号： H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/0232 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/18

摘要： A light-absorbing device comprising a series of photon-absorbing semiconductor substructures, the device comprising: a first semiconductor substructure providing first and second energy states, the difference between the first and second energy states being such as to cause an electron to be promoted from the first energy state to the second energy state upon absorption of a photon of a first energy; and a second semiconductor substructure providing third and fourth energy states, the third energy state being arranged to receive the electron from the second energy state, and the difference between the third and fourth energy states being such as to cause the electron to be promoted from the third energy state to the fourth energy state upon absorption of a subsequent photon of a second energy; wherein the third energy state has a lower energy than the second energy state, such as to cause the electron to dissipate energy as it passes from the second energy state to the third energy state. Also provided is a corresponding method of absorbing light.

摘要翻译： 一种包括一系列光子吸收半导体子结构的光吸收装置，该装置包括：提供第一和第二能态的第一半导体子结构，第一和第二能态之间的差异是致使电子从 在吸收第一能量的光子时将第一能态转变为第二能态; 以及提供第三和第四能态的第二半导体子结构，所述第三能态被布置成从所述第二能态接收所述电子，并且所述第三和第四能态之间的差值使得所述电子从所述 在吸收第二能量的后续光子时将第三能态转变为第四能态; 其中第三能态比第二能态具有更低的能量，例如以便当电子从第二能态转变为第三能态时使电子耗散能量。 还提供了吸收光的相应方法。

公开(公告)号：WO2012028738A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/EP2011/065255

申请日：2011-09-05

申请人： FACULTES UNIVERSITAIRES NOTRE-DAME DE LA PAIX ,  YEDJI, Mourad ,  TERWAGNE, Guy

发明人： YEDJI, Mourad ,  TERWAGNE, Guy

IPC分类号： H01L31/0384 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/068 ,  H01L21/265 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： The present invention is related to a process for the manufacturing of a photovoltaic cell comprising the steps of: - providing a semiconductor substrate said semiconductor substrate comprising an insulating layer on its top surface; - implanting semiconductor ions selected from the group consisting of silicon, germanium and their mixture by ionic implantation in the insulating layer for obtaining an implanted insulating layer, the ionic implantation fluence being higher than 1.1017at. /cm2, the maximum semiconductor concentration in the insulating layer after implantation being higher than the solubility of the semiconductor in the insulating layer; - thermally treating the implanted insulating layer for inducing the precipitation of the semiconductor into quantum dots; - depositing at least two conducting contacts for collecting, in use, the generated current.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造光伏电池的方法，包括以下步骤： - 提供半导体衬底，所述半导体衬底在其顶表面上包括绝缘层; - 通过离子注入将选自硅，锗及其混合物的半导体离子注入绝缘层中，以获得注入绝缘层，离子注入注量高于1.1017at。 / cm 2，植入后的绝缘层中的最大半导体浓度高于半导体在绝缘层中的溶解度; - 对植入的绝缘层进行热处理，以引起半导体沉淀成量子点; - 沉积至少两个导电触头，用于在使用中收集所产生的电流。