露光装置及び露光装置用光学部材
    1.
    发明申请
    露光装置及び露光装置用光学部材 审中-公开
    曝光装置和曝光装置的光学构件

    公开(公告)号:WO2004073052A1

    公开(公告)日:2004-08-26

    申请号:PCT/JP2004/001630

    申请日:2004-02-16

    Abstract:  複数の光学部材2、4a、4b、6、7、9、12を透過させて300nm以下の波長のパルス光を照射することにより被露光物15を露光する露光装置であって、複数の光学部材2、4a、4b、6、7、9、12のうちの少なくとも一つが合成石英ガラス部材からなり、該合成石英ガラス部材の厚さと、パルス光のパルス当たりのエネルギー密度と、パルス幅とが、τI -2 L -1.7 ≧0.02(ns・mJ -2 ・cm 2.3 ・pulse 2 )(Lは前記合成石英ガラス部材の厚さ(単位:cm)、Iはパルス当たりのエネルギー密度(単位:mJ・cm -2 ・pulse -1 )、τはパルス幅(単位:ns))の式を満足するように構成した。

    Abstract translation: 一种曝光装置,其中通过用波长为300nm以下的脉冲光照射被曝光物体(15),所述脉冲光透过多个光学部件(2,4a,4b,6,7,9) ,12)。 至少一个光学构件(2,4a,4b,6,7,9,12)由合成石英玻璃材料构成,使得合成石英玻璃材料的厚度,脉冲光的每个脉冲的能量密度 并且脉冲光的脉冲宽度满足以下公式:τI<-2> L <-1.7>> 0.02(ns.mJ <-2> .cm <2.3>脉冲2)(其中L表示 合成石英玻璃材料的厚度(单位:cm); I表示每脉冲的能量密度(单位:mJ.cm <-2> pulse -1); tau表示脉冲宽度(单位:ns)) 。

    合成石英ガラス部材及びそれを用いた紫外線露光装置
    2.
    发明申请
    合成石英ガラス部材及びそれを用いた紫外線露光装置 审中-公开
    合成石英玻璃成分和超紫外线曝光装置

    公开(公告)号:WO2004046056A1

    公开(公告)日:2004-06-03

    申请号:PCT/JP2003/014795

    申请日:2003-11-20

    CPC classification number: G03F7/70958 C03C3/06 C03C2201/21

    Abstract:  新規な合成石英ガラス部材は、レーザラマン分光光度計で測定されるラマン散乱光強度のうち、2260cm −1 と4135cm −1 のピーク強度比(I 2260 /I 4135 )が0.02以下である。石英ガラス部材で短波長の紫外線を吸収する≡Si・の生成が有効に抑制され、短波長の紫外線の照射初期の段階での透過率の低下が防止される。この合成石英ガラス部材で製造した光学素子を露光装置の投影光学系や照明光学系に用いることにより、ArFなどのエキシマレーザ光源を用いた露光装置の照度むらや露光光の強度低下を防止することができる。

    Abstract translation: 一种新型合成石英玻璃构件,其中通过使用激光拉曼分光光度计测量的拉曼散射光在2260cm -1和4135cm -1处的峰的强度之间的峰强度比(I2260 / I4135)为0.02 或更少。 生产= Si。 有效地防止在石英玻璃构件中吸收短波长的紫外线,并且防止在短波长的紫外线照射的早期阶段的透射率的劣化。 使用这种合成石英玻璃构件制造的光学元件可以用于投影光学系统或曝光装置的照明光学系统,从而防止使用诸如ArF准分子激光器的准分子激光光源的曝光装置的不均匀的照度分布 和曝光光强度的劣化。

    合成石英ガラス部材及びその製造方法
    3.
    发明申请
    合成石英ガラス部材及びその製造方法 审中-公开
    合成石墨玻璃构件及其制造方法

    公开(公告)号:WO2003080525A1

    公开(公告)日:2003-10-02

    申请号:PCT/JP2003/003618

    申请日:2003-03-25

    Abstract: A process for producing a quartz glass member, wherein a sample from a quartz glass base material is exposed to F2 laser under given conditions and whether or not the peak intensity of H2 Raman scattering radiation is decreased by 80% or more from the peak intensity of H2 Raman scattering radiation with respect to a sample not exposed to F2 laser is judged. When the decrease of the peak intensity of H2 Raman scattering radiation is less than 80%, the laser resistance of the quartz glass base material is judged as being satisfactory, and a synthetic quartz glass member is worked from the base material. The compaction of the sample is also measured.

    Abstract translation: 一种用于制造石英玻璃构件的方法,其中来自石英玻璃基材的样品在给定条件下暴露于F2激光,并且H2拉曼散射辐射的峰值强度是否从峰值强度降低80%以上 判断相对于未暴露于F2激光的样品的H2拉曼散射辐射。 当H2拉曼散射辐射的峰值强度的降低小于80%时,石英玻璃基材的激光电阻被认为是令人满意的,并且从基材加工合成石英玻璃部件。 也测量样品的压实度。

    照明光学装置、露光装置および露光方法
    4.
    发明申请
    照明光学装置、露光装置および露光方法 审中-公开
    照明光学系统,曝光系统和曝光方法

    公开(公告)号:WO2004051717A1

    公开(公告)日:2004-06-17

    申请号:PCT/JP2003/015447

    申请日:2003-12-02

    CPC classification number: G03F7/70566 G03B27/42 G03F7/70091

    Abstract: たとえば露光装置に搭載された場合に、マスクのパターン特性に応じて光量損失を抑えつつ照明光の偏光状態を変化させて適切な照明条件を実現することのできる照明光学装置。直線偏光の光を供給する光源部(1)を有し、光源部からの光で被照射面(M,W)を照明する照明光学装置。光源部と被照射面との間の光路中に配置されて、被照射面を照明する光の偏光状態を特定の偏光状態と非偏光状態との間で切り換えるための偏光状態切換手段(10,20)を備えている。偏光状態切換手段は、照明光路に対して挿脱自在に構成されて、入射する直線偏光の光を必要に応じて非偏光化するためのデポラライザ(20)を備えている。

    Abstract translation: 一种照明光学系统,当安装在曝光系统中时,通过根据掩模的图案特性改变照明光的偏振状态,同时抑制光强度的损失,实现适当的照明条件。 所述照明光学系统具有用于对照射用的照明面(M,W)提供线偏振光的光源单元(1)和用于改变照明光的偏振状态的极化状态改变单元(10,20) 特定极化状态为非极化状态,反之亦然。 极化状态改变装置被布置在光源单元和要被照射的表面之间的光路中。 可以从照明光路去除极化状态改变装置,并且具有用于根据需要使入射的线偏振光去极化的消偏振器(20)。

    照明光学装置、露光装置および露光方法
    6.
    发明申请
    照明光学装置、露光装置および露光方法 审中-公开
    照明光学系统,曝光系统和曝光方法

    公开(公告)号:WO2005010963A1

    公开(公告)日:2005-02-03

    申请号:PCT/JP2004/009128

    申请日:2004-06-29

    CPC classification number: G03F7/70566

    Abstract:  たとえば蛍石などの立方晶系の結晶材料により形成された光透過部材を透過する直線偏光の偏光状態の変化を抑えることのできる照明光学装置。直線偏光の光を供給する光源部(1)を有し、光源部からの光で被照射面(M,W)を照明する照明光学装置。光源部と被照射面との間の光路中に配置されて、被照射面を照明する光の偏光状態を直線偏光状態と非偏光状態との間で切り換えるための偏光状態切換手段(10,20)を備えている。偏光状態切換手段は、入射する直線偏光の光の偏光面を必要に応じて変化させるための位相部材(10)と、入射する直線偏光の光を必要に応じて非偏光化するためのデポラライザ(20)とを有する。蛍石により形成された光透過部材の複屈折変動に関する進相軸方向は、光透過部材への入射直線偏光の電界の振動方向とほぼ一致またはほぼ直交するように設定されている。

    Abstract translation: 一种照明光学系统,其能够防止通过由诸如萤石的立方晶系晶体材料形成的透光构件的线偏振光的偏振状态的变化。 一种照明光学系统,包括用于提供线性偏振光以照射要被来自光源单元的光照射的表面(M,W)的光源单元(1)。 该系统设置有偏光状态切换装置(10,20),该偏振状态切换装置设置在光源单元和被照射表面之间的光路上,用于将照亮被照射的表面的光的偏振状态 线性极化状态和非线性极化状态。 极化状态切换装置具有用于根据需要改变入射的线偏振光的偏振面的相位构件(10)和根据需要对入射的线偏振光进行去偏振的消偏振器(20)。 与萤石形成的透光构件的双折射变化相关的相位推进轴方向设定为几乎与入射到透光构件的线偏振光的场振动方向一致或几乎垂直。

    人工水晶部材、露光装置、及び露光装置の製造方法
    7.
    发明申请
    人工水晶部材、露光装置、及び露光装置の製造方法 审中-公开
    ARTIFICAIL水晶会员,曝光系统和曝光系统的产品方法

    公开(公告)号:WO2005005694A1

    公开(公告)日:2005-01-20

    申请号:PCT/JP2004/009839

    申请日:2004-07-09

    CPC classification number: G03F7/70075 G02B5/04 G03F7/70958

    Abstract: An artificial crystal member capable of being used as an optical element such as a prism and various optical elements constituting an optical integrator in a device using as a light source an ultrasonic laser such as an excimer laser having a wavelength shorter than 250 nm. An exposure system comprising a lighting optical system for lighting a mask using as a light source a laser beam having a wavelength shorter than 250 nm, and a projection optical system for projecting and exposing the pattern image of the above mask onto a substrate to be exposed, wherein disposed in the lighting optical system and/or the projection optical system is an optical element consisting of an artificial crystal member that has an initial transmittance with respect to a light with a wavelength of 150 nm of at least 60% per cm, striae of a first class or second class as defined by Japanese Optical Glass Industry Standard (JOGIS), an absorption coefficient alpha in an infrared absorption band of hydroxyl positioned at 3585 cm of up to 0.035/cm, an aluminum content of up to 1 ppm and a lithium content of up to 0.5 ppm.

    Abstract translation: 可以在使用波长短于250nm的准分子激光器等超声波激光器作为光源的装置中使用能够用作诸如棱镜的光学元件和构成光学积分器的各种光学元件的人造晶体部件。 一种曝光系统,包括用于使用波长短于250nm的激光束作为光源照亮掩模的照明光学系统,以及投影光学系统,用于将上述掩模的图案图像投射并曝光到待曝光的基板上 其特征在于,配置在所述照明光学系统和/或投影光学系统中的是由相对于波长为150nm的光的初始透射率为至少60%/ cm的人造晶体构成的光学元件,条纹 由日本光学玻璃工业标准(JOGIS)定义的第一类或第二类,位于3585cm -1的羟基的红外吸收带的吸收系数α高达0.035 / cm,铝含量上升 至1ppm,锂含量高达0.5ppm。

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