公开(公告)号：WO2013037195A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：PCT/CN2012/070952

申请日：2012-02-08

Applicant: 北京大学 ,  黄如 ,  杨庚雨 ,  蔡一茂 ,  唐昱 ,  张丽杰 ,  潘越 ,  谭胜虎 ,  黄应龙

Inventor： 黄如 ,  杨庚雨 ,  蔡一茂 ,  唐昱 ,  张丽杰 ,  潘越 ,  谭胜虎 ,  黄应龙

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/08 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 一种大容量多值阻变存储器，包括上电极（1）和下电极（4），在上、下电极之间插入多个阻变材料层（2）和缺陷层（3）组合，其中，与上、下电极接触的是阻变材料层（2），阻变材料层（2）为例如Ta 2 O 5 、TiO 2 、HfO 2 等薄膜，阻变材料层（2）之间是缺陷层（3），缺陷层（3）为例如Ti、Au、Ag等金属薄膜，可增加阻变存储器的存储容量。

公开(公告)号：WO2013007113A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：PCT/CN2012/071426

申请日：2012-02-22

Applicant: 北京大学 ,  黄如 ,  唐昱 ,  蔡一茂 ,  张丽杰 ,  杨庚雨 ,  谭胜虎 ,  潘越 ,  唐粕人

Inventor： 黄如 ,  唐昱 ,  蔡一茂 ,  张丽杰 ,  杨庚雨 ,  谭胜虎 ,  潘越 ,  唐粕人

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/28

CPC classification number: H01L45/149 ,  H01L45/1675 ,  H01L51/0591

Abstract: 本发明公开了一种透明柔性阻变存储器及其制备方法，包括一透明的柔性衬底和衬底上的MIM电容结构的器件单元，所述器件单元的底层和顶层为透明柔性电极，中间功能层为聚对二甲苯透明薄膜。聚对二甲苯材料具有良好的阻变特性，器件中衬底、电极和中间功能层均采用透明柔性材料制备，得到全透明的柔性阻变存储器，可应用于透明柔性电子系统中。

公开(公告)号：WO2012051824A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：PCT/CN2011/071550

申请日：2011-03-07

Applicant: 北京大学 ,  黄如 ,  蔡一茂 ,  秦石强 ,  黄芊芊 ,  唐粕人 ,  唐昱 ,  杨庚雨

Inventor： 黄如 ,  蔡一茂 ,  秦石强 ,  黄芊芊 ,  唐粕人 ,  唐昱 ,  杨庚雨

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/06 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/11556 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/8616

Abstract: 本发明公开了一种快闪存储器及其制备方法和操作方法。该快闪存储器包括两个垂直沟道的存储单元，以轻掺杂N型（或P型）硅作为衬底，在硅平面的两端各有一个P+区（或N+区），中间为两个垂直于硅平面的沟道区域，沟道之上为两个沟道共用的N+区（或P+区），每个沟道的外侧由内向外依次为隧穿氧化层、多晶硅浮栅、阻挡氧化层和多晶硅控制栅，多晶硅浮栅和多晶硅控制栅由侧墙氧化层与P+区（或N+区）隔开。整个器件呈两位垂直沟道的TFET型快闪存储器，与现有的标准CMOS工艺有着较好的兼容性，较之基于MOS场效应晶体管的传统快闪存储器具有编程效率高、功耗低、可有效抑制穿通效应、密度高等多方面的优点。

公开(公告)号：WO2013123704A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：PCT/CN2012/074078

申请日：2012-04-16

Applicant: 北京大学 ,  黄如 ,  谭胜虎 ,  张丽杰 ,  潘岳 ,  黄英龙 ,  杨庚雨 ,  唐昱 ,  毛俊 ,  蔡一茂

Inventor： 黄如 ,  谭胜虎 ,  张丽杰 ,  潘岳 ,  黄英龙 ,  杨庚雨 ,  唐昱 ,  毛俊 ,  蔡一茂

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/04 ,  G11C13/0007 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

Abstract: 阻变存储器的制备方法包括如下步骤：在衬底（1）上制备底电极（2）；然后采用干氧氧化或者湿氧氧化对底电极（2）金属进行部分氧化，形成厚度为3nm-50nm的金属氧化物作为阻变材料层（3）；最后在上述阻变材料层(3）上制备顶电极（4）。该方法降低了工艺复杂度，实现了阻变材料层（3）与底电极（2）的自对准，保证了器件之间的完全隔离，避免了寄生效应，并且保证了器件的实际面积和设计面积一致。

公开(公告)号：WO2012100458A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：PCT/CN2011/072395

申请日：2011-04-01

Applicant: 北京大学 ,  黄如 ,  邹积彬 ,  王润声 ,  杨庚雨 ,  艾玉杰 ,  樊捷闻

Inventor： 黄如 ,  邹积彬 ,  王润声 ,  杨庚雨 ,  艾玉杰 ,  樊捷闻

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775