公开(公告)号：WO2011036957A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：PCT/JP2010/063458

申请日：2010-08-09

Applicant: セントラル硝子株式会社 ,  井手 利久 ,  入江 竜也 ,  田仲 健二

Inventor： 井手　利久 ,  入江　竜也 ,  田仲　健二

IPC: C07F9/50 ,  H01L21/205

CPC classification number: C07F9/504 ,  C07F9/5004 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 【課題】　光起電力装置の光電変換層として成膜されるｐｉｎ接合の非晶質半導体膜に用いられる化合物として、化学的に安全で、かつ大量輸送しやすい化合物を提供する。 【解決手段】　光起電力装置の光電変換層として成膜されるｐｉｎ接合の非晶質半導体膜に用いられる、一般式（１）　（ＣＨ 3 ）ｎＰＨ 3-n 　（１）　［式中、ｎは１～３のいずれか一つの整数を表す。］で表されるオリゴメチルホスフィン化合物を提供する。

Abstract translation: 提供一种用于沉积作为光电器件的光电转换层的pin-junction非晶半导体膜的化合物，该化合物是化学安全的并且易于传质。 用于沉积作为光电器件的光电转换层的pin-junction非晶半导体膜的化合物是由通式（1）表示的低聚甲基膦化合物。 （CH3）nPH3-n（1）（其中n为1-3的整数）。

公开(公告)号：WO2010087236A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：PCT/JP2010/050389

申请日：2010-01-15

Applicant: セントラル硝子株式会社 ,  毛利 勇 ,  八尾 章史 ,  田仲 健二 ,  宮崎 達夫

Inventor： 毛利　勇 ,  八尾　章史 ,  田仲　健二 ,  宮崎　達夫

IPC: C25B1/24 ,  B01D53/68 ,  B01D53/77 ,  C25B9/00 ,  C25B15/08 ,  F23G7/06 ,  H01M8/00 ,  H01M8/06

CPC classification number: H01M8/0656 ,  B01D53/68 ,  B01D53/77 ,  B01D2251/306 ,  B01D2251/604 ,  B01D2257/2047 ,  B01D2258/0216 ,  C25B1/02 ,  C25B1/245 ,  F23G7/065 ,  Y02E20/12 ,  Y02P70/56

Abstract: 半導体製造設備が、フッ素ガス発生装置、フッ素系ガスを含む廃ガスを燃焼させる除害装置を含んでいる。前記フッ素ガス発生装置はフッ化水素を含む溶融塩の電解浴中でフッ化水素を電解することにより、陽極側にフッ素ガスを主成分とする主生ガスを発生させると共に、陰極側に水素ガスを主成分とする副生ガスを発生させる。前記半導体製造設備は、さらにフッ素ガス発生装置から発生した副生ガスを前記除害装置に導く導出経路を含み、前記除害装置は除害装置に送られた副生ガスを燃焼剤として使用する機構を備える。

Abstract translation: 包括氟气发生器和用于燃烧包括含氟气体的废气的解毒装置的半导体生产设备。 在氟气发生器中，在含有氟化氢的熔融盐的电解槽中电解氟化氢，从而在阳极侧产生以氟气为主要成分的主要产物气体，在阴极侧， 以氢气为主要成分的副产物气体。 半导体生产设备还包括用于将氟气发生器中产生的副产物气引导到排毒装置的排出管线。 排毒装置配备有将排出装置的副产物用作燃烧促进剂的机构。

公开(公告)号：WO2011135928A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：PCT/JP2011/055320

申请日：2011-03-08

Applicant: セントラル硝子株式会社 ,  梅崎 智典 ,  田仲 健二 ,  八尾 章史 ,  宮崎 達夫 ,  毛利 勇 ,  川島 忠幸

Inventor： 梅崎　智典 ,  田仲　健二 ,  八尾　章史 ,  宮崎　達夫 ,  毛利　勇 ,  川島　忠幸

IPC: F16K7/12 ,  F16J3/02 ,  F16K1/30 ,  F16K27/00

CPC classification number: F16K1/302 ,  F16J3/02 ,  F16K7/126 ,  F16K7/14 ,  F16K7/16 ,  F16K25/00 ,  F17C2205/0329 ,  F17C2205/0385 ,  F17C2205/0394 ,  F17C2223/0123 ,  F17C2260/036 ,  F17C2270/0518

Abstract: 　本発明によれば、入口通路及び出口通路が設けられたバルブ本体と、バルブ本体の入口通路及び出口通路に連通する弁室と、入口通路の内端開口部に設けられた弁座部と、弁座部の上方に設けられ、弁室内の気密を保持すると共に、入口通路及び出口通路を開閉するダイヤフラムと、ダイヤフラムの中央部を下方に下降させるステムと、ステムを上下方向に移動させる駆動部と、を備えたダイレクトタッチ型ダイヤフラムバルブであって、弁座部とダイヤフラムの接触面において、弁座部における接触面の表面粗さＲａの値が、０．１μｍ以上、１０．０μｍ以下であり、弁座部における接触面の曲率半径Ｒが１００ｍｍ以上、１０００ｍｍ以下であり、ダイヤフラムの接ガス部表面積Ｓａとダイヤフラムと弁座部の接触面積Ｓｂとの面積比率Ｓｂ/Ｓａが、０．２％以上、１０％以下であることを特徴とするダイレクトタッチ型ダイヤフラムバルブが提供される。本発明のバルブは、十分な気密性を有し、ハロゲンガスまたはハロゲン化合物ガス用の充填容器用バルブとして好適に用いられる。

Abstract translation: 所公开的直接式隔膜阀设置有具有入口通道和出口通道的阀体，与阀体的入口通道和出口通道连通的阀室，设置在阀体的内边缘开口中的阀座 入口通道，设置在阀座上方的隔膜将阀室保持气密，并打开和关闭入口通道和出口通道，将阀杆的中心部分向下下降的阀杆和驱动单元， 垂直移动茎。 在阀座和隔膜的接触面中，阀座的接触面的表面粗糙度（Ra）为0.1-10.0μm，阀座的接触面的曲率半径为100〜 1000mm时，隔膜的气体接触表面面积（Sa）的表面积比（Sb / Sa）和隔膜和阀座的接触表面积（Sb）为0.2-10％。 所公开的阀具有足够的气密性，并且可以最佳地用作填充有卤素气体或卤素化合物气体的容器的阀。

公开(公告)号：WO2010095512A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：PCT/JP2010/051485

申请日：2010-02-03

Applicant: セントラル硝子株式会社 ,  田仲 健二 ,  毛利 勇 ,  児島 敬三

Inventor： 田仲　健二 ,  毛利　勇 ,  児島　敬三

IPC: B01J27/128 ,  B01D53/68 ,  B01D53/86 ,  B01J23/34 ,  B01J23/755 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  B01D53/685 ,  B01D2255/2073 ,  B01D2255/20738 ,  B01D2257/204 ,  B01D2258/0216 ,  B01J23/34 ,  B01J23/745 ,  B01J23/755

Abstract: 　本発明のＮＦ 3 の分解方法は、ＮＦ 3 と、金属、金属酸化物、金属フッ化物、または金属フッ化物の水和物とを化学反応させることを特徴とする。この方法により、半導体製造、液晶製造、または太陽電池製造に係る装置のクリーニングに用いられるＮＦ 3 を、安価で、温室効果の高いガスの生成を抑制し、且つ、工業的に分解することができる。

Abstract translation: 公开了一种分解NF3的方法，其特征在于包括使NF 3与金属，金属氧化物，金属氟化物或金属氟化物的水合物发生化学反应。 该方法能够以低成本和工业规模分解作为与半导体制造相关的装置的清洁，液晶的制造或太阳能电池的制造中使用的物质的NF3， 防止产生温室效应高的气体。

公开(公告)号：WO2010055769A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：PCT/JP2009/068373

申请日：2009-10-27

Applicant: セントラル硝子株式会社 ,  毛利 勇 ,  田仲 健二 ,  梅崎 智典 ,  宮崎 達夫

Inventor： 毛利　勇 ,  田仲　健二 ,  梅崎　智典 ,  宮崎　達夫

IPC: C01B7/24

CPC classification number: C01B7/24

Abstract: 　ハロゲンと、インターハロゲンまたは該ハロゲンと異なる種類のハロゲンとを反応させた後、生成するインターハロゲン化合物を冷却捕集し、さらに該冷却捕集で捕集されなかったガス成分を加熱することによってインターハロゲン化合物を生成することを特徴とするインターハロゲン化合物の合成方法が提供される。

Abstract translation: 提供了一种卤素间化合物合成方法，其特征在于通过使卤素与卤素或与所述卤素不同种类的卤素反应形成卤素间化合物，冷却并收集生成的卤素间化合物，另外 加热通过所述冷却和收集未收集的气体组分。

公开(公告)号：WO2009084475A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：PCT/JP2008/073178

申请日：2008-12-19

Applicant: セントラル硝子株式会社 ,  田中 久雄 ,  毛利 勇 ,  田仲 健二

Inventor： 田中 久雄 ,  毛利 勇 ,  田仲 健二

IPC: C01B21/083 ,  C01B7/24

CPC classification number: C01B7/24 ,  C01B21/0832 ,  C01B21/0835

Abstract: 　原料液体を含む混合液体を原料気体と反応させる反応領域と、前記混合液体のみが流動する流動領域と、反応後の前記混合液体を前記反応領域の上部から前記流動領域の上部へ移動させる上部移動領域と、前記混合液体を前記流動領域の下部から前記反応領域の下部へ移動させる下部移動領域とからなる循環系を形成し、(A)前記反応領域の下部に前記原料気体と、(B)前記反応領域における反応生成物である第１フッ素化気体化合物及び該第１フッ素化気体化合物をさらにフッ素化させて得られる第２フッ素化気体化合物から選ばれる少なくとも一種のフッ素化気体化合物とを導入することによって前記混合液体を循環させるフッ素化気体化合物製造装置。

Abstract translation: 一种氟化气体化合物的制造装置。 该装置包括：循环系统，其包括：反应区，其中含有原料液的液体混合物与原料气体反应; 只有液体混合物流动的流动区域; 已经经历反应的液体混合物的上转移区从反应区的上部转移到流动区的上部; 以及下部转移区域，其中液体混合物从流动区域的下部转移到反应区域的下部。 （A）原料气体被引入到反应区的下部，（B）选自在反应区中产生的作为反应产物的第一氟化气体化合物和第二氟化气体化合物之间的至少一种氟化气体化合物 将通过进一步氟化第一氟化气态化合物获得的气态化合物引入反应区的下部。 液体混合物通过这些操作（A）和（B）循环。

公开(公告)号：WO2011048866A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：PCT/JP2010/063546

申请日：2010-08-10

Applicant: セントラル硝子株式会社 ,  井手 利久 ,  入江 竜也 ,  田仲 健二

Inventor： 井手　利久 ,  入江　竜也 ,  田仲　健二

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/42 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C16/22 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/075 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 　本発明は、光起電力装置の光電変換層としてｐｉｎ接合の非晶質半導体膜を成膜する際に用いられる、一般式（１）で表されるオリゴメチルゲルマン化合物を提供する。（ＣＨ ３ ） ｎ ＧｅＨ ４－ｎ 　（１）［式中、ｎは１～４のいずれか一つの整数を表す。］一般式（１）のオリゴメチルゲルマン化合物は、化学的に安全で、かつ大量輸送しやすい成膜原料として有用である。

Abstract translation: 公开了用于形成具有pin结的非晶半导体膜的由通式（1）表示的低聚甲基锗烷化合物，所述非晶半导体膜用作光伏器件的光电转换层。 由通式（1）表示的低聚甲基锗烷化合物是化学稳定的，可用作适于大量运输的成膜材料。 （式中，n表示1-4的整数。）