公开(公告)号：WO2011146744A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：PCT/US2011/037199

申请日：2011-05-19

申请人： NORTHWESTERN UNIVERSITY ,  MARKS, Tobin, J. ,  HA, Young-geun ,  FACCHETTI, Antonio

发明人： MARKS, Tobin, J. ,  HA, Young-geun ,  FACCHETTI, Antonio

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L51/0533 ,  H01L21/441 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66969 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0537 ,  H01L51/0545 ,  H01L2251/301

摘要： Disclosed are organic-inorganic hybrid self-assembled multilayers that can be used as electrically insulating (or dielectric) materials. These multilayers generally include an inorganic primer layer and one or more bilayers deposited thereon. Each bilayer includes a chromophore or "π-polarizable" layer and an inorganic capping layer composed of zirconia. Because of the regularity of the bilayer structure and the aligned orientation of the chromophore resulting from the self-assembly process, the present multilayers have applications in electronic devices such as thin film transistors, as well as in nonlinear optics and nonvolatile memories.

摘要翻译： 公开了可用作电绝缘（或电介质）材料的有机 - 无机混合自组装多层膜。 这些多层通常包括无机底漆层和沉积在其上的一个或多个双层。 每个双层包括发色团或“p极化”层和由氧化锆组成的无机覆盖层。 由于双层结构的规则性和由自组装过程产生的发色团的排列取向，所以本发明的多层膜可用于诸如薄膜晶体管的电子器件，以及非线性光学和非易失性存储器中。

公开(公告)号：WO2009098254A1

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：PCT/EP2009/051315

申请日：2009-02-05

申请人： BASF SE ,  POLYERA CORPORATION ,  FACCHETTI, Antonio ,  CHEN, Zhihua ,  YAN, He ,  LU, Shaofeng ,  MARKS, Tobin J. ,  ZHENG, Yan ,  KASTLER, Marcel ,  VAIDYANATHAN, Subramanian ,  DÖTZ, Florian ,  KOEHLER, Silke

发明人： FACCHETTI, Antonio ,  CHEN, Zhihua ,  YAN, He ,  LU, Shaofeng ,  MARKS, Tobin J. ,  ZHENG, Yan ,  KASTLER, Marcel ,  VAIDYANATHAN, Subramanian ,  DÖTZ, Florian ,  KOEHLER, Silke

IPC分类号： C08G61/12 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01B1/12

CPC分类号： H01L51/0043 ,  C08G61/10 ,  C08G61/12 ,  C09B5/62 ,  C09B69/102 ,  C09B69/105 ,  C09B69/106 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1458 ,  C09K2211/1483 ,  H01B1/127 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H05B33/14 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： Disclosed are new semiconductor materials prepared from rylene-(π-acceptor) copolymers. Such copolymers can exhibit high n-type carrier mobility and/or good current modulation characteristics. In addition, the polymers of the present teachings can possess certain processing advantages such as solution-processability and/or good stability at ambient conditions.

摘要翻译： 公开了由二烯（对 - 受体）共聚物制备的新的半导体材料。 这种共聚物可表现出高的n型载流子迁移率和/或良好的电流调制特性。 此外，本教导的聚合物可以具有某些加工优点，例如在环境条件下的溶液加工性和/或良好的稳定性。

公开(公告)号：WO2008105816A3

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：PCT/US2007018588

申请日：2007-08-22

申请人： UNIV NORTHWESTERN ,  MARKS TOBIN J ,  FACCHETTI ANTONIO ,  YOON MYUNG-HAN

发明人： MARKS TOBIN J ,  FACCHETTI ANTONIO ,  YOON MYUNG-HAN

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L51/0533 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0068

摘要： Gate dielectric structures comprising an organic polymeric component, and organic semiconductor components, as can be used to fabricate thin film transistor devices.

摘要翻译： 包括可用于制造薄膜晶体管器件的有机聚合物组分和有机半导体组分的栅介质结构。

公开(公告)号：WO2008085942A3

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：PCT/US2008000194

申请日：2008-01-07

申请人： POLYERA CORP ,  FACCHETTI ANTONIO ,  MARKS TOBIN J ,  YAN HE

发明人： FACCHETTI ANTONIO ,  MARKS TOBIN J ,  YAN HE

IPC分类号： C07D471/06 ,  C07D487/04 ,  C07D491/06

CPC分类号： C07D491/06 ,  C07D471/06 ,  C07D487/04 ,  C09B5/62 ,  C09B57/08

摘要： The present teachings provide compounds of formulae I and H: where Q, Ra, R1, W, and n are as defined herein. The present teachings also provide methods of preparing compounds of formulae I and II, including methods of preparing compounds of formula II from compounds of formula I. The compounds disclosed herein can be used to prepare semiconductor materials and related composites and electronic devices.

摘要翻译： 本教导提供了式I和H的化合物：其中Q，R a，R 1，W和n如本文所定义。 本教导还提供了制备式I和II化合物的方法，包括从式I化合物制备式II化合物的方法。本文公开的化合物可用于制备半导体材料和相关复合材料以及电子器件。

公开(公告)号：WO2008066622A8

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：PCT/US2007022416

申请日：2007-10-22

申请人： UNIV NORTHWESTERN ,  MARKS TOBIN J ,  FACHETTI ANTONIO ,  YAN HE

发明人： MARKS TOBIN J ,  FACHETTI ANTONIO ,  YAN HE

IPC分类号： H01L51/00 ,  C08K5/18 ,  C08L65/00

CPC分类号： H01L51/0094 ,  C08K5/18 ,  H01L51/0043 ,  C08L65/00

摘要： Semiconducting siloxane compositions and methods for manufacturing and use thereof in preparing organic thin-film transistors (OTFTs) are described. The semiconducting siloxane compositions can be crosslinked products of polymeric/monomeric compositions that include silane-derivatized crosslinkable organic p-type compounds and p-type semiconducting polymers.

摘要翻译： 描述了半导体硅氧烷组合物及其在制备有机薄膜晶体管（OTFT）中的制造和使用方法。 半导体硅氧烷组合物可以是包含硅烷衍生的可交联有机p型化合物和p型半导体聚合物的聚合物/单体组合物的交联产物。

公开(公告)号：WO2008066622A2

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：PCT/US2007/022416

申请日：2007-10-22

申请人： MORTH WESTERN UNIVERSITY ,  MARKS, Tobin, J. ,  FACHETTI, Antonio ,  YAN, He

发明人： MARKS, Tobin, J. ,  FACHETTI, Antonio ,  YAN, He

CPC分类号： H01L51/0094 ,  C08K5/18 ,  H01L51/0043 ,  C08L65/00

摘要： Semiconducting siloxane compositions and methods for manufacturing and use thereof in preparing organic thin-film transistors (OTFTs) are described. The semiconducting siloxane compositions can be crosslinked products of polymeric/monomeric compositions that include silane-derivatized crosslinkable organic p-type compounds and p-type semiconducting polymers.

摘要翻译： 描述了半导体硅氧烷组合物及其在制备有机薄膜晶体管（OTFT）中的制造和使用方法。 半导体硅氧烷组合物可以是包含硅烷衍生的可交联有机p型化合物和p型半导体聚合物的聚合物/单体组合物的交联产物。

公开(公告)号：WO2008054477A2

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：PCT/US2007/006779

申请日：2007-03-19

申请人： NORTHWESTERN UNIVERSITY ,  PURDUE RESEARCH FOUNDATION ,  MARKS, Tobin, J. ,  YE, Peide ,  FACCHETTI, Antonio ,  LU, Gang ,  LIN, Han, Chung

发明人： MARKS, Tobin, J. ,  YE, Peide ,  FACCHETTI, Antonio ,  LU, Gang ,  LIN, Han, Chung

IPC分类号： H01L29/812

CPC分类号： H01L51/052 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/3122

摘要： Field effect transistor devices comprising III-V semiconductors and organic gate dielectric materials, such dielectric materials as can afford flexibility in device design and fabrication.

摘要翻译： 包括III-V族半导体和有机栅极电介质材料的场效应晶体管器件，这种电介质材料可以在器件设计和制造中提供灵活性。

公开(公告)号：WO2007075748A3

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：PCT/US2006/048529

申请日：2006-12-20

申请人： NORTHWESTERN UNIVERSITY ,  MARKS, Tobin, J. ,  FACCHETTI, Antonio

发明人： MARKS, Tobin, J. ,  FACCHETTI, Antonio

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/66

摘要： Compositions, methods of using inorganic moieties for dielectric modulation, and related device structures.

公开(公告)号：WO2012103528A3

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：PCT/US2012023042

申请日：2012-01-27

申请人： UNIV NORTHWESTERN ,  POLYERA CORP ,  FACCHETTI ANTONIO ,  MARKS TOBIN J ,  KANATZIDIS MERCOURI G ,  KIM MYUNG-GIL ,  SHEETS WILLIAM CHRISTOPHER ,  YAN HE ,  XIA YU

发明人： FACCHETTI ANTONIO ,  MARKS TOBIN J ,  KANATZIDIS MERCOURI G ,  KIM MYUNG-GIL ,  SHEETS WILLIAM CHRISTOPHER ,  YAN HE ,  XIA YU

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C18/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/66969 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1237 ,  C23C18/125 ,  C23C18/127 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/28506 ,  H01L21/441 ,  H01L21/443 ,  H01L21/477 ,  H01L29/45 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： Disclosed are new methods of fabricating metal oxide thin films and nanomaterial- derived metal composite thin films via solution processes at low temperatures (

摘要翻译： 公开了通过低温（<400℃）的溶液工艺制造金属氧化物薄膜和纳米材料衍生的金属复合薄膜的新方法。 本薄膜可用作薄膜半导体，薄膜电介质或薄膜导体，并且可以实现为诸如薄膜晶体管和薄膜光伏器件的半导体器件。

公开(公告)号：WO2011119374A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：PCT/US2011/028523

申请日：2011-03-15

申请人： POLYERA CORPORATION ,  FACCHETTI, Antonio ,  MARKS, Tobin, J. ,  HUANG, Hui ,  CHEN, Zhihua

发明人： FACCHETTI, Antonio ,  MARKS, Tobin, J. ,  HUANG, Hui ,  CHEN, Zhihua

IPC分类号： H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C09B69/102 ,  C09B69/105 ,  C09B69/109 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0558 ,  Y02E10/549

摘要： Disclosed are conjugated polymers having desirable properties as semiconducting materials. Such polymers can exhibit desirable electronic properties and possess processing advantages including solution-processability and/or good stability.

摘要翻译： 公开了具有期望性质的共轭聚合物作为半导体材料。 这样的聚合物可以表现出所需的电子性质，并具有加工性和/或稳定性好的加工优点。