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    アクティブマトリックス基板、表示装置、及び、その製造方法
    3.
    发明申请
    アクティブマトリックス基板、表示装置、及び、その製造方法 审中-公开
    有源矩阵基板，显示装置及其制造方法

    公开(公告)号：WO2014046068A1

    公开(公告)日：2014-03-27

    申请号：PCT/JP2013/074963

    申请日：2013-09-17

    Applicant: シャープ株式会社

    Inventor： 岡部　達 ,  錦　博彦 ,  原　猛 ,  紀藤　賢一 ,  越智　久雄

    IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

    CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2201/501 ,  G02F2202/10 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

    Abstract: 本発明は、高信頼性かつ低容量を充分に実現する薄膜トランジスタを有するアクティブマトリックス基板と、該アクティブマトリックス基板をフォトマスクの使用枚数を増やすことなく製造するアクティブマトリックス基板の製造方法と、該アクティブマトリックス基板を備える表示装置と、該表示装置の製造方法とを提供する。本発明のアクティブマトリックス基板は、酸化物半導体からなる半導体層を含む薄膜トランジスタを有するアクティブマトリックス基板であって、該アクティブマトリックス基板は、酸化物半導体からなる半導体層と、エッチングストッパー層と、スピンオングラス材料から構成される層間絶縁膜とを少なくとも有し、基板主面を平面視したときに、該エッチングストッパー層は該半導体層の少なくとも一部を覆い、該層間絶縁膜は該エッチングストッパー層の少なくとも一部を覆うものである。

    Abstract translation: 本发明提供：具有薄膜晶体管的有源矩阵基板，具有足够高的可靠性和足够低的电容; 有源矩阵基板的制造方法，能够不增加所使用的光掩膜的数量而制造有源矩阵基板; 显示装置，包括有源矩阵基板; 以及显示装置的制造方法。 该有源矩阵基板具有包括半导体层的薄膜晶体管，该半导体层包括氧化物半导体，并且至少具有：包含氧化物半导体的半导体层; 蚀刻停止层; 以及包含旋涂玻璃材料的层间绝缘膜。 当在平面图中观察基板主表面时，蚀刻停止层覆盖半导体层中的至少一些，并且层间绝缘膜覆盖蚀刻阻挡层的至少一部分。

    半導体装置およびその製造方法
    4.
    发明申请
    半導体装置およびその製造方法 审中-公开
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2014042125A1

    公开(公告)日：2014-03-20

    申请号：PCT/JP2013/074250

    申请日：2013-09-09

    Applicant: シャープ株式会社

    Inventor： 嶋田　幸峰 ,  錦　博彦 ,  紀藤　賢一

    IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

    CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/50 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/441 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: 　半導体装置（１０１）は、基板（１）と、酸化物半導体層（６）を活性層とする薄膜トランジスタ（１０）と、薄膜トランジスタを覆う保護層（１１）と、保護層（１１）と基板（１）との間に配置された金属層（９ｄ、９ｔ）と、保護層（１１）上に形成された透明導電層（１３、１３ｔ）と、金属層（９ｄ、９ｔ）と透明導電層（１３、１３ｔ）とを電気的に接続するための接続部（２０、３０）とを備え、接続部（２０、３０）は、酸化物半導体層（６）と同一の酸化物膜から形成され、かつ、酸化物半導体層（６）よりも電気抵抗の低い酸化物接続層（６ａ、６ｔ）を有し、金属層（９ｄ、９ｔ）は、酸化物接続層（６ａ、６ｔ）を介して、透明導電層（１３、１３ｔ）と電気的に接続されている。

    Abstract translation: 半导体器件（101）设置有：衬底（1）; 具有作为有源层的氧化物半导体层（6）的薄膜晶体管（10） 覆盖薄膜晶体管的保护层（11）; 布置在保护层（11）和基板（1）之间的金属层（9d，9t）; 形成在保护层（11）上的透明导电层（13,13t）; 以及用于将金属层（9d，9t）与透明导电层（13,13t）电连接的连接部分（20,30）。 连接部分（20,30）具有由与氧化物半导体层（6）相同的氧化膜形成并具有比氧化物半导体层（6）更低的电阻的氧化物连接层（6a，6t）。 金属层（9d，9t）经由氧化物连接层（6a，6t）与透明导电层（13,13t）电连接。

    半導体装置およびその製造方法
    5.
    发明申请
    半導体装置およびその製造方法 审中-公开
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2013115050A1

    公开(公告)日：2013-08-08

    申请号：PCT/JP2013/051415

    申请日：2013-01-24

    Applicant: シャープ株式会社

    Inventor： 宮本　忠芳 ,  伊東　一篤 ,  森　重恭 ,  宮本　光伸 ,  小川　康行 ,  中澤　淳 ,  内田　誠一 ,  松尾　拓哉

    IPC: H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

    Abstract: 　半導体装置（１００Ａ）は、基板（２）と、基板（２）の上に形成された酸化物半導体層（５）と、酸化物半導体層（５）に電気的に接続されたソース電極（６ｓ）およびドレイン電極（６ｄ）と、ドレイン電極（６ｄ）と電気的に接続された第１透明電極（７）と、ソース電極（６ｓ）およびドレイン電極（６ｄ）の上に形成された誘電体層（８）と、誘電体層（８）の上に形成された第２透明電極（９）とを有する。第１透明電極（７）の上面または下面少なくとも一方は、酸化物半導体層（５）に含まれる酸化物半導体を還元する性質を有する還元絶縁層（８ａ）と接する。第２透明電極（９）の少なくとも一部は、誘電体層（８）を介して第１透明電極（７）と重なっており、酸化物半導体層（５）および第１透明電極（７）は、同一の酸化物膜から形成されている。

    Abstract translation: 半导体器件（100A）具有：基板（2）; 形成在所述基板（2）上的氧化物半导体层（5） 与氧化物半导体层（5）电连接的源电极（6s）和漏电极（6d）。 与漏电极（6d）电连接的第一透明电极（7）; 在所述源电极（6s）和所述漏电极（6d）上形成的电介质层（8）。 和形成在电介质层（8）上的第二透明电极（9）。 第一透明电极（7）的上表面和/或下表面接触具有降低包含在氧化物半导体层（5）中的氧化物半导体的性质的还原/绝缘层（8a）。 第二透明电极（9）的至少一部分与第一透明电极（7）重叠，介电层（8）插入其间。 氧化物半导体层（5）和第一透明电极（7）由相同的氧化膜形成。

    METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
    6.
    发明申请
    METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    制造半导体器件和半导体器件的方法

    公开(公告)号：WO2012102314A1

    公开(公告)日：2012-08-02

    申请号：PCT/JP2012/051582

    申请日：2012-01-19

    Applicant: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. ,  SASAGAWA, Shinya ,  KURATA, Motomu

    Inventor： SASAGAWA, Shinya ,  KURATA, Motomu

    IPC: H01L29/786 ,  G03F7/40 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L27/146 ,  H01L29/417 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

    CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/441 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/7869

    Abstract: An object is to provide a semiconductor device in which defects are reduced and miniaturization is achieved while favorable characteristics are maintained. A semiconductor layer is formed; a first conductive layer is formed over the semiconductor layer; the first conductive layer is etched with use of a first resist mask to form a second conductive layer having a recessed portion; the first resist mask is reduced in size to form a second resist mask; the second conductive layer is etched with use of the second resist mask to form source and drain electrodes each having a projecting portion with a tapered shape at the peripheries; a gate insulating layer is formed over the source and drain electrodes to be in contact with part of the semiconductor layer; and a gate electrode is formed in a portion over the gate insulating layer and overlapping with the semiconductor layer.

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种半导体器件，其中缺陷被减小并且在保持有利的特性的同时实现小型化。 形成半导体层; 在半导体层上形成第一导电层; 使用第一抗蚀剂掩模蚀刻第一导电层以形成具有凹部的第二导电层; 第一抗蚀剂掩模的尺寸减小以形成第二抗蚀剂掩模; 使用第二抗蚀剂掩模蚀刻第二导电层，以形成源极和漏极，每个源极和漏极在周边具有锥形形状的突出部分; 在源电极和漏电极之间形成栅极绝缘层以与半导体层的一部分接触; 并且栅极电极形成在栅极绝缘层上方并与半导体层重叠的部分中。

    METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
    7.
    发明申请
    METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：WO2011132529A1

    公开(公告)日：2011-10-27

    申请号：PCT/JP2011/058659

    申请日：2011-03-30

    Applicant: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. ,  YAMAZAKI, Shunpei

    Inventor： YAMAZAKI, Shunpei

    IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L27/146 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

    CPC classification number: H01L29/66969 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/441 ,  H01L21/465 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/477 ,  H01L21/67017 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3244 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

    Abstract: An embodiment of the disclosed invention is a method for manufacturing a semiconductor device, which includes the steps of: forming a first insulating film; performing oxygen doping treatment on the first insulating film to supply oxygen to the first insulating film; forming a source electrode, a drain electrode, and an oxide semiconductor film electrically connected to the source electrode and the drain electrode, over the first insulating film; performing heat treatment on the oxide semiconductor film to remove a hydrogen atom in the oxide semiconductor film; forming a second insulating film over the oxide semiconductor film; and forming a gate electrode in a region overlapping with the oxide semiconductor film, over the second insulating film. The manufacturing method allows the formation of a semiconductor device including an oxide semiconductor, which has stable electrical characteristics and high reliability.

    Abstract translation: 所公开的发明的一个实施例是一种制造半导体器件的方法，其包括以下步骤：形成第一绝缘膜; 对所述第一绝缘膜进行氧掺杂处理，以向所述第一绝缘膜提供氧; 在所述第一绝缘膜上形成与所述源电极和所述漏电极电连接的源电极，漏电极和氧化物半导体膜; 对氧化物半导体膜进行热处理以去除氧化物半导体膜中的氢原子; 在所述氧化物半导体膜上形成第二绝缘膜; 以及在所述第二绝缘膜上形成与所述氧化物半导体膜重叠的区域中的栅电极。 该制造方法允许形成具有稳定的电特性和高可靠性的包括氧化物半导体的半导体器件。

    OHMIC CONTACT FOR P-TYPE SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MAKING SAME
    8.
    发明申请
    OHMIC CONTACT FOR P-TYPE SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MAKING SAME 审中-公开
    用于P型半导体的OHMIC接触器及其制造方法

    公开(公告)号：WO1995002899A1

    公开(公告)日：1995-01-26

    申请号：PCT/US1994007880

    申请日：1994-07-13

    Applicant: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA ,  BRITT, Jeffrey, S. ,  FEREKIDES, Christos, S.

    Inventor： UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA

    IPC: H01L21/44

    CPC classification number: H01L31/073 ,  H01L21/441 ,  H01L21/465 ,  H01L29/45 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/543

    Abstract: An ohmically conductive contact (15, 16) for a thin film p-type semiconductor compound (14) formed of at least one of the metal elements of Class IIB of the Periodic Table of Elements and at least one of the non-metal elements of Class VIA of the Periodic Table of Elements and photovoltaic devices (10) incorporating such contacts (15, 16). An ohmic contact (15, 16), according to the invention, includes a layer of conductive binder paste (15) having mercury telluride and/or copper telluride dispersed therein. The invention also relates to a method of forming such ohmic contacts (15, 16).

    Abstract translation: 一种用于薄膜p型半导体化合物（14）的欧姆导电接触（15,16），由至少一种元素周期表的IIB族金属元素和至少一种非金属元素形成， 元件周期表VIA和包含这种触点的光伏器件（10）（15,16）。 根据本发明的欧姆接触（15,16）包括其中分散有碲化汞和/或碲化铜的导电粘合剂浆料（15）的层。 本发明还涉及形成这种欧姆接触（15,16）的方法。

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