公开(公告)号：WO2017052562A1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：PCT/US2015/052033

申请日：2015-09-24

Applicant: INTEL CORPORATION ,  MORROW, Patrick ,  KOBRINSKY, Mauro J. ,  JUN, Kimin ,  SON, Il-Seok ,  FISCHER, Paul B.

Inventor： MORROW, Patrick ,  KOBRINSKY, Mauro J. ,  JUN, Kimin ,  SON, Il-Seok ,  FISCHER, Paul B.

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211

Abstract: Methods and structures formed thereby are described, of forming self-aligned contact structures for microelectronic devices. An embodiment includes forming a trench in a source/drain region of a transistor device disposed in a device layer, wherein the device layer is on a substrate, forming a fill material in the trench, forming a source/drain material on the fill material, forming a first source/drain contact on a first side of the source/drain material, and then forming a second source drain contact on a second side of the source/drain material.

Abstract translation: 描述了由此形成的方法和结构，用于形成用于微电子器件的自对准接触结构。 实施例包括在设置在器件层中的晶体管器件的源极/漏极区域中形成沟槽，其中器件层位于衬底上，在沟槽中形成填充材料，在填充材料上形成源极/漏极材料， 在源极/漏极材料的第一侧上形成第一源极/漏极接触，然后在源极/漏极材料的第二侧上形成第二源极漏极接触。

公开(公告)号：WO2014159980A3

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：PCT/US2014025562

申请日：2014-03-13

Applicant: INTEL CORP ,  MORROW PATRICK ,  NELSON DON ,  WEBB CLAIR M ,  JUN KIMIN ,  SON IL-SEOK

Inventor： NELSON DON ,  WEBB CLAIR M ,  JUN KIMIN ,  SON IL-SEOK

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/535 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/743 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5286 ,  H01L24/18 ,  H01L27/1207

Abstract: Methods of forming microelectronic interconnect under device structures are described. Those methods and structures may include forming a device layer in a first substrate, forming at least one routing layer in a second substrate, and then coupling the first substrate with the second substrate, wherein the first substrate is bonded to the second substrate.

Abstract translation: 描述了在器件结构下形成微电子互连的方法。 那些方法和结构可以包括在第一衬底中形成器件层，在第二衬底中形成至少一个布线层，然后将第一衬底与第二衬底耦合，其中第一衬底键合到第二衬底。

公开(公告)号：WO2014159980A2

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/US2014/025562

申请日：2014-03-13

Applicant: INTEL CORPORATION ,  MORROW, Patrick ,  NELSON, Don ,  WEBB, Clair M. ,  JUN, Kimin ,  SON, Il-Seok

Inventor： NELSON, Don ,  WEBB, Clair M. ,  JUN, Kimin ,  SON, Il-Seok

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/535 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/743 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5286 ,  H01L24/18 ,  H01L27/1207

Abstract: Methods of forming microelectronic interconnect under device structures are described. Those methods and structures may include forming a device layer in a first substrate, forming at least one routing layer in a second substrate, and then coupling the first substrate with the second substrate, wherein the first substrate is bonded to the second substrate.

Abstract translation: 描述了在器件结构下形成微电子互连的方法。 这些方法和结构可以包括在第一衬底中形成器件层，在第二衬底中形成至少一个布线层，然后将第一衬底与第二衬底耦合，其中第一衬底与第二衬底结合。