中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

24 records (took 0.012 seconds)

    FABRICATION OF NANOWIRES
    4.
    发明申请
    FABRICATION OF NANOWIRES 审中-公开
    纳米粒子的制备

    公开(公告)号：WO2005038093A3

    公开(公告)日：2005-08-04

    申请号：PCT/US2004032698

    申请日：2004-09-30

    Applicant: HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO ,  KORNILOVICH PAVEL ,  MARDILOVICH PETER ,  PETERS KEVIN F ,  STASIAK JAMES

    Inventor： KORNILOVICH PAVEL ,  MARDILOVICH PETER ,  PETERS KEVIN F ,  STASIAK JAMES

    IPC: C25D1/04 ,  C25D1/10 ,  C25D1/20

    CPC classification number: C25D1/04 ,  C25D1/10 ,  C25D1/20 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S977/755 ,  Y10S977/762 ,  H01L2924/00

    Abstract: This disclosure relates to a system (500) and methods (600 and 1600) for creating nanowires (1202). A nanowire (1202) can be created by exposing (614) layers (102 and 104) of material in a superlattice 100 and dissolving and transferring 1610 material from edges (302) of the exposed layers (102) onto a substrate (1802). The nanowire (1202) can also be created by exposing (614) layers of material (102) in a superlattice (100) and depositing material onto edges (302) of the exposed layers (102).

    Abstract translation: 本公开涉及用于创建纳米线（1202）的系统（500）和方法（600和1600）。 纳米线（1202）可通过暴露（614）超晶格100中的材料层（102和104）并且将材料从暴露层（102）的边缘（302）溶解并转移到衬底（1802）上并转移1610来产生。 纳米线（1202）也可以通过在超晶格（100）中暴露（614）材料层（102）并将材料沉积到暴露层（102）的边缘（302）上而形成。

    ARRAY OF NANOSCOPIC MOSFET TRANSISTORS AND FABRICATION METHODS
    5.
    发明申请
    ARRAY OF NANOSCOPIC MOSFET TRANSISTORS AND FABRICATION METHODS 审中-公开
    纳米MOSFET晶体管阵列和制造方法

    公开(公告)号：WO2005010981A2

    公开(公告)日：2005-02-03

    申请号：PCT/US2004/020675

    申请日：2004-06-25

    Applicant: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. ,  GHOZEIL, Adam, L. ,  STASIAK, James ,  PETERS, Kevin, F. ,  KAWAMOTO, Galen, H.

    Inventor： GHOZEIL, Adam, L. ,  STASIAK, James ,  PETERS, Kevin, F. ,  KAWAMOTO, Galen, H.

    IPC: H01L21/8234

    CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/823437 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66575

    Abstract: A nanoscopic transistor (20) is made by forming an oxide layer on a semiconductor substrate (S10, S20), applying resist (S30), patterning the resist using imprint lithography to form a pattern aligned along a first direction (S40), applying a first ion-masking material over the pattern (S50), selectively lifting it off to leave a first ion mask to form a gate (S60), forming doped regions by implanting a suitable dopant (S70), applying another layer of resist (S90) and patterning the second resist layer using imprint lithography to form a second pattern aligned along a second direction (S100), applying a second ion-masking material over the second pattern, selectively lifting it off to leave a second ion mask defined by the second pattern (S120), and forming second doped regions in the substrate by implanting a suitable second dopant selectively in accordance with the second ion mask (S130). The method may be used to make an array (10 or 15) of nanoscopic transistors (20).

    Abstract translation: 通过在半导体衬底上形成氧化层（S10，S20），涂敷抗蚀剂（S30），使用压印光刻对抗蚀剂进行构图以形成沿着第一方向排列的图案（S40），制成纳米级晶体管（20） （S50），选择性地将其离开离开第一离子掩模以形成栅极（S60），通过注入合适的掺杂剂形成掺杂区域（S70），施加另一层抗蚀剂（S90） 以及使用压印光刻对所述第二抗蚀剂层进行构图以形成沿着第二方向对准的第二图案（S100），在所述第二图案上施加第二离子掩模材料，选择性地将其提起以离开由所述第二图案限定的第二离子掩模 （S120），并且通过根据第二离子掩模选择性地注入合适的第二掺杂剂而在衬底中形成第二掺杂区域（S130）。 该方法可用于制造纳米级晶体管（20）的阵列（10或15）。

    CONFIGURABLE SENSOR ARRAYS
    6.
    发明申请
    CONFIGURABLE SENSOR ARRAYS 审中-公开
    可配置传感器阵列

    公开(公告)号：WO2013039468A1

    公开(公告)日：2013-03-21

    申请号：PCT/US2011/051184

    申请日：2011-09-12

    Applicant: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. ,  MOUREY, Devin A. ,  HOFFMAN, Randy L. ,  STASIAK, James W. ,  BENSON, Brad

    Inventor： MOUREY, Devin A. ,  HOFFMAN, Randy L. ,  STASIAK, James W. ,  BENSON, Brad

    IPC: G01N27/00 ,  G01N27/12 ,  G01N27/26

    CPC classification number: G01D11/00 ,  G01N27/122 ,  Y10T29/49002

    Abstract: Systems, devices, and methods for configurable sensor arrays are provided. An example of a configurable sensor array includes a plurality of sensors 106, 326, 549 in a matrix array formed on a single backplane 100, 320, 540 and a plurality of elements 212, 432 within one of the plurality of sensors 206, 426, 549, where the plurality of elements 212, 432 provides alternative electrical paths 215, 435, 540 enabling the one of the plurality of sensors to have a range of output impedances.

    Abstract translation: 提供了可配置传感器阵列的系统，设备和方法。 可配置传感器阵列的示例包括矩阵阵列中的多个传感器106,326,549，其形成在单个背板100,320,540和多个传感器206,426,426之一内的多个元件212,432中。 549，其中多个元件212,432提供使多个传感器中的一个具有输出阻抗范围的替代电路径215,435,540。

    IMAGING APPARATUS AND METHOD INCLUDING A PIXEL AND A TWO POINT SWITCHING ELEMENT
    9.
    发明申请
    IMAGING APPARATUS AND METHOD INCLUDING A PIXEL AND A TWO POINT SWITCHING ELEMENT 审中-公开
    成像装置和包括像素和两点切换元件的方法

    公开(公告)号：WO2008052027A1

    公开(公告)日：2008-05-02

    申请号：PCT/US2007/082329

    申请日：2007-10-24

    Applicant: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. ,  RANNOW, Randy, K. ,  CHEN, Zhizhang ,  STASIAK, James ,  WANG, Stanley, J.

    Inventor： RANNOW, Randy, K. ,  CHEN, Zhizhang ,  STASIAK, James ,  WANG, Stanley, J.

    IPC: G03G15/00

    CPC classification number: G03G15/323 ,  G09G2300/0895

    Abstract: An imaging apparatus comprising a first electrically conductive pixel (30); and a first two point switching element (40) electrically connected to the pixel (30), a first voltage source (72) electrically coupled to a 'first side of the first two point switching element (40); a second switching element (50,150,250) electrically coupled to the pixel (30) and configured to drain charge from the pixel (30), and a second voltage source (82) electrically connected to the second switching element (50,150,250) to selectively actuate the second switching element (50,150,250).

    Abstract translation: 一种成像装置，包括第一导电像素（30）; 电连接到像素（30）的第一两点开关元件（40），电耦合到第一两点开关元件（40）的第一侧的第一电压源（72） 电耦合到像素（30）并被配置为从像素（30）排出电荷的第二开关元件（50,150,250）和电连接到第二开关元件（50,150,250）的第二电压源（82），以选择性地致动第二 开关元件（50,150,250）。

Patent Agency Ranking