公开(公告)号：WO2010063165A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：PCT/CN2009/001366

申请日：2009-12-04

Applicant: 宋伟红 ,  姚颖

Inventor： 宋伟红 ,  姚颖

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02

公开(公告)号：WO2010037265A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：PCT/CN2009/001084

申请日：2009-09-25

Applicant: 安集微电子(上海)有限公司 ,  宋伟红 ,  姚颖

Inventor： 宋伟红 ,  姚颖

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02

公开(公告)号：WO2011069343A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：PCT/CN2010/002032

申请日：2010-12-13

Applicant: 安集微电子(上海)有限公司 ,  姚颖 ,  宋伟红 ,  荆建芬 ,  孙展龙

Inventor： 姚颖 ,  宋伟红 ,  荆建芬 ,  孙展龙

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

公开(公告)号：WO2008025209A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：PCT/CN2007/002102

申请日：2007-07-09

Applicant: 安集微电子(上海)有限公司 ,  宋伟红 ,  陈国栋 ,  荆建芬 ,  姚颖 ,  宋成兵

Inventor： 宋伟红 ,  陈国栋 ,  荆建芬 ,  姚颖 ,  宋成兵

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: A polishing slurry for low dielectric material is disclosed. It includes abrasive and water, and is characterized in that, it further contains one or more kinds of metal chelating agents, azole-species as film-forming agent and oxidizing agent. Under lower pressure, the present polishing slurry has higher polishing speed on low dielectric material, suitable polishing selectivity for other materials, and better surface finish after polishing.

公开(公告)号：WO2012051787A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：PCT/CN2011/001454

申请日：2011-08-29

Applicant: 安集微电子(上海)有限公司 ,  宋伟红 ,  姚颖

Inventor： 宋伟红 ,  姚颖

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

公开(公告)号：WO2011006348A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：PCT/CN2010/001036

申请日：2010-07-12

Applicant: 安集微电子(上海)有限公司 ,  王晨 ,  宋伟红 ,  姚颖

Inventor： 王晨 ,  宋伟红 ,  姚颖

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

公开(公告)号：WO2013082863A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：PCT/CN2012/001016

申请日：2012-07-30

Applicant: 安集微电子(上海)有限公司 ,  宋伟红 ,  姚颖 ,  孙展龙

Inventor： 宋伟红 ,  姚颖 ,  孙展龙

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76898

Abstract: 一种适用于硅通孔（TSV）阻挡层的化学机械抛光液，至少含有一种磨料，一种复合金属铜腐蚀抑制剂，一种络合剂，一种氮化硅调节剂，该抛光液具有较高的二氧化硅去除速率，和较低的氮化硅去除速率，能够对阻挡层进行高效的平坦化，并停止在氮化硅层，形成硅通孔，同时不产生金属腐蚀，具有较高的缺陷校正能力和较低的表面污染物指标。

公开(公告)号：WO2013020351A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：PCT/CN2012/000764

申请日：2012-06-04

Applicant: 安集微电子(上海)有限公司 ,  宋伟红 ,  姚颖 ,  孙展龙

Inventor： 宋伟红 ,  姚颖 ,  孙展龙

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明公开了一种用于浅槽隔离的化学机械抛光液。该抛光液至少含有含有一种二氧化铈的磨料，一种有机膦酸，一种pH调节剂，和载体水，具有较高的高密度等离子体二氧化硅和较低的氮化硅的去除速率，抛光后的表面平坦光洁，稳定性好，适用于浅槽隔离的化学机械平坦化。

公开(公告)号：WO2010037264A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：PCT/CN2009/001083

申请日：2009-09-25

Applicant: 安集微电子(上海)有限公司 ,  宋伟红 ,  姚颖

Inventor： 宋伟红 ,  姚颖

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02

公开(公告)号：WO2010025623A1

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：PCT/CN2009/001000

申请日：2009-09-04

Applicant: 安集微电子科技(上海)有限公司 ,  宋伟红 ,  姚颖

Inventor： 宋伟红 ,  姚颖

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02