公开(公告)号：WO2013023181A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：PCT/US2012/050446

申请日：2012-08-10

申请人： E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY ,  HANG, Kenneth Warren ,  LAUDISIO, Giovanna ,  WANG, Yueli ,  WATT, Rosalynne Sophie

发明人： HANG, Kenneth Warren ,  LAUDISIO, Giovanna ,  WANG, Yueli ,  WATT, Rosalynne Sophie

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01B1/16 ,  H01B1/22 ,  C03C8/18 ,  C03C8/02

CPC分类号： H01L31/02167 ,  C03C8/04 ,  C03C8/06 ,  C03C8/18 ,  H01B1/16 ,  H01B1/22 ,  H01L29/43 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

摘要： A silver paste having no or only poor fire-through capability comprises silver particles, at least one lead-free glass frit containing 0.5 to 15 wt.% SiO 2 , 0.3 to 10 wt.% Al 2 0 3 and 67 to 75 wt.% Bi 2 O 3 (the weight percentages being based on the total weight of the glass frit) and an organic vehicle, wherein the content of the silver particles in the paste is 60 to 92 wt.% based on total paste composition and wherein the paste is free from zinc oxide and compounds capable of generating zinc oxide on firing. The silver paste is used in the manufacture of metallisations (electrodes, parts of electrodes or other metal contacts) of solar cells.

摘要翻译： 没有或只有不良的穿透能力的银膏包括银颗粒，至少一种含0.5至15重量％SiO 2，0.3至10重量％Al 2 O 3和67至75重量％Bi 2 O 3的无铅玻璃料 重量百分数是基于玻璃料的总重量）和有机载体，其中糊料中银粒子的含量基于总糊剂组合物为60至92重量％，并且其中糊料不含氧化锌和 能够在烧制时产生氧化锌的化合物。 银膏用于太阳能电池的金属化（电极，电极部分或其他金属接触）的制造。

公开(公告)号：WO2009052460A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：PCT/US2008/080409

申请日：2008-10-20

申请人： E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY ,  CARROLL, Alan Frederick ,  HANG, Kenneth Warren

发明人： CARROLL, Alan Frederick ,  HANG, Kenneth Warren

IPC分类号： H01B1/16 ,  H01B1/22 ,  C03C8/18 ,  C03C17/00 ,  C03C17/06

CPC分类号： H01B1/16 ,  C03C8/14 ,  C03C8/18 ,  H01B1/22 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/022425 ,  H05K1/092 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/31678

摘要： Embodiments of the invention relate to a silicon semiconductor device, and a conductive silver paste for use in the front side of a solar cell device.

摘要翻译： 本发明的实施例涉及一种硅半导体器件和用于太阳能电池器件前侧的导电银膏。

公开(公告)号：WO2013067490A1

公开(公告)日：2013-05-10

申请号：PCT/US2012/063541

申请日：2012-11-05

申请人： E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY

发明人： HANG, Kenneth Warren ,  PRINCE, Alistair Graeme ,  ROSE, Michael ,  YOUNG, Richard John Sheffield

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L21/22 ,  H01L21/225

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L21/2205 ,  H01L21/2254 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/06 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A process for the formation of at least one aluminum p-doped surface region of a semiconductor substrate comprising the steps: (1) providing a semiconductor substrate, (2) applying and drying an aluminum paste on at least one surface area of the semiconductor substrate, (3) firing the dried aluminum paste, and (4) removing the fired aluminum paste with water, wherein the aluminum paste employed in step (2) includes particulate aluminum, an organic vehicle and 3 to 20 wt.% of glass frit, based on total aluminum paste composition.

摘要翻译： 一种用于形成半导体衬底的至少一个铝p掺杂表面区域的方法，包括以下步骤：（1）提供半导体衬底，（2）在半导体衬底的至少一个表面区域上施加和干燥铝膏 （3）焙烧干燥的铝浆料，（4）用水去除烧制的铝浆料，其中步骤（2）中使用的铝浆料包括颗粒状铝，有机载体和3至20重量％的玻璃料， 基于总铝糊组成。

公开(公告)号：WO2013022620A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：PCT/US2012/048646

申请日：2012-07-27

申请人： E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY ,  HANG, Kenneth Warren ,  WANG, Yueli

发明人： HANG, Kenneth Warren ,  WANG, Yueli

IPC分类号： C03C8/10 ,  C04B35/01 ,  H01B1/22 ,  H01L31/0224 ,  H01B1/16

CPC分类号： H01B1/22

摘要： The present invention is directed to an electroconductive thick film paste composition comprising Ag and a lead-tellurium-lithium-titanium-oxide both dispersed in an organic medium. The present invention is further directed to an electrode formed from the paste composition and a semiconductor device and, in particular, a solar cell comprising such an electrode.

摘要翻译： 本发明涉及一种包含Ag和分散在有机介质中的铅 - 碲 - 锂 - 二氧化钛的导电厚膜糊组合物。 本发明还涉及由糊料组合物和半导体器件形成的电极，特别是包括这种电极的太阳能电池。

公开(公告)号：WO2012170505A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：PCT/US2012/041067

申请日：2012-06-06

申请人： E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY ,  HANG, Kenneth Warren ,  PYADA, Hena ,  SAWHILL, Howard, T. ,  SKURSKI, Michael, A.

发明人： HANG, Kenneth Warren ,  PYADA, Hena ,  SAWHILL, Howard, T. ,  SKURSKI, Michael, A.

IPC分类号： H01B1/22 ,  H01B1/16

CPC分类号： H01B1/16 ,  C03C8/04 ,  C03C8/18 ,  H01B1/22

摘要： The present invention is directed to an electroconductive thick film paste composition comprising Ag and a Pb-free Bi-based glass frit both dispersed in an organic medium, wherein the paste is fireable at temperatures below 420°C. The paste is especially useful for forming electrodes on substrates such as glass or films, particularly electrochromic glass or films, that would be damaged by higher firing temperatures. The present invention is further directed to a device comprising an electrode formed from the paste composition and, in particular, to an electrochromic device comprising such an electrode.

摘要翻译： 本发明涉及一种导电厚膜糊料组合物，其包含Ag和分散在有机介质中的无铅Bi基玻璃料，其中该糊料可在低于420℃的温度下燃烧。 该糊料特别适用于在诸如玻璃或薄膜，特别是电致变色玻璃或薄膜的基底上形成电极，其将被更高的烧制温度损坏。 本发明进一步涉及包括由糊状组合物形成的电极的装置，特别涉及包括这种电极的电致变色装置。

公开(公告)号：WO2013067493A1

公开(公告)日：2013-05-10

申请号：PCT/US2012/063547

申请日：2012-11-05

申请人： E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY

发明人： HANG, Kenneth Warren ,  PRINCE, Alistair Graeme ,  ROSE, Michael ,  YOUNG, Richard John Sheffield

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/02245 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A process for the formation of at least one aluminum p-doped surface region of an n-type semiconductor substrate comprising the steps: (1) providing an n-type semiconductor substrate, (2) applying and drying an aluminum paste on at least one surface area of the n-type semiconductor substrate, (3) firing the dried aluminum paste, and (4) removing the fired aluminum paste with water, wherein the aluminum paste employed in step (2) includes particulate aluminum, an organic vehicle and 3 to 20 wt.% of glass frit, based on total aluminum paste composition.

摘要翻译： 一种用于形成n型半导体衬底的至少一个铝p掺杂表面区域的方法，包括以下步骤：（1）提供n型半导体衬底，（2）在至少一个 n型半导体衬底的表面积，（3）焙烧干燥的铝浆料，（4）用水去除煅烧的铝浆料，其中步骤（2）中使用的铝浆料包括颗粒状铝，有机载体和3 至20重量％的玻璃料，基于总铝浆组合物。

公开(公告)号：WO2013022623A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：PCT/US2012/048652

申请日：2012-07-27

申请人： E. I. du Pont de Nemours and Company ,  HANG, Kenneth Warren ,  WANG, Yueli

发明人： HANG, Kenneth Warren ,  WANG, Yueli

IPC分类号： H01B1/22

CPC分类号： H01B1/22

摘要： The present invention is directed to an electroconductive thick film paste composition comprising electrically conductive Ag, a second electrically conductive metal selected from the group consisting of Ni, Al and mixtures thereof and a lead-tellurium-lithium-titanium-oxide all dispersed in an organic medium. The present invention is further directed to an electrode formed from the thick film paste composition and a semiconductor device and, in particular, a solar cell comprising such an electrode.

摘要翻译： 本发明涉及一种导电厚膜糊组合物，其包含导电Ag，选自Ni，Al及其混合物的第二导电金属和全部分散在有机物中的铅 - 碲 - 锂 - 氧化钛 中。 本发明还涉及由厚膜糊剂组合物和半导体器件形成的电极，特别是包括这种电极的太阳能电池。

公开(公告)号：WO2012170498A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：PCT/US2012/041057

申请日：2012-06-06

申请人： E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY ,  HANG, Kenneth Warren ,  PYADA, Hena ,  SAWHILL, Howard T. ,  SKURSK, Michael A. ,  WALDROP, Robert Paul

发明人： HANG, Kenneth Warren ,  PYADA, Hena ,  SAWHILL, Howard T. ,  SKURSK, Michael A. ,  WALDROP, Robert Paul

IPC分类号： H01B1/22 ,  H01B1/16

CPC分类号： H01B1/16 ,  C03C8/04 ,  C03C8/18 ,  H01B1/22

摘要： The present invention is directed to an electroconductive thick film paste composition comprising Ag and a Pb-free bismuth-tellurium oxide both dispersed in an organic medium, wherein the paste is fireable at temperatures below 420°C. The paste is especially useful for forming electrodes on substrates such as glass or films, particularly electrochromic glass or films, that would be damaged by higher firing temperatures. The present invention is further directed to a device comprising an electrode formed from the paste composition and, in particular, to an electrochromic device comprising such an electrode.

摘要翻译： 本发明涉及一种导电厚膜糊料组合物，其包含分散在有机介质中的Ag和无铅的无铅铋 - 氧化碲，其中该糊料可在低于420℃的温度下燃烧。 该糊料特别适用于在诸如玻璃或薄膜，特别是电致变色玻璃或薄膜的基底上形成电极，其将被更高的烧制温度损坏。 本发明进一步涉及包括由糊状组合物形成的电极的装置，特别涉及包括这种电极的电致变色装置。

公开(公告)号：WO2013169311A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：PCT/US2013/021114

申请日：2013-01-11

申请人： E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY

发明人： HANG, Kenneth Warren ,  WANG, Yueli

IPC分类号： C03C3/12 ,  C03C3/21 ,  C03C8/12 ,  C03C8/18 ,  C03C8/20 ,  C03C8/24 ,  H01B1/22 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/022425 ,  C03C3/122 ,  C03C3/21 ,  C03C8/12 ,  C03C8/18 ,  C03C8/20 ,  C03C8/24 ,  H01B1/22 ,  H01L31/02245 ,  Y02E10/50

摘要： A lead-tellurium-lithium-titanium-oxide glass composition is useful as a component of a conductive silver paste. Especially useful are P-containing and V-containing lead-tellurium-lithium-titanium-oxide glass composition. Conductive silver via paste comprising particulate conductive silver and any of the lead-tellurium-lithium-titanium-oxide glass compositions of the invention can be used in providing the metallization of the holes in the silicon wafers of MWT solar cells. The result is a metallic electrically conductive via between the collector lines on the front side and the emitter electrode on the back-side of the solar cell. The paste can also be used to form the collector lines on the front-side of the solar cell and the emitter electrode on the back-side of the solar cell.

摘要翻译： 铅 - 碲 - 锂钛氧化物玻璃组合物可用作导电银浆的组分。 特别有用的是含P和V的铅碲 - 锂钛氧化物玻璃组合物。 包含颗粒状导电性银和本发明的铅 - 碲 - 锂 - 氧化钛玻璃组合物的导电性银通过糊可用于提供MWT太阳能电池的硅晶片中的孔的金属化。 结果是在前侧的集电极线与太阳能电池背面的发射极之间的金属导电通孔。 该糊料也可用于在太阳能电池的正面和太阳能电池背面上的发射电极上形成集电极线。

公开(公告)号：WO2013023169A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：PCT/US2012/050413

申请日：2012-08-10

申请人： E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY ,  HANG, Kenneth Warren ,  LAUDISIO, Giovanna ,  PRINCE, Alistair Graeme ,  WANG, Yueli ,  WATT, Rosalynne Sophie

发明人： HANG, Kenneth Warren ,  LAUDISIO, Giovanna ,  PRINCE, Alistair Graeme ,  WANG, Yueli ,  WATT, Rosalynne Sophie

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01B1/16 ,  H01B1/22 ,  C03C8/18 ,  C03C8/02

CPC分类号： H01L31/022425 ,  C03C8/04 ,  C03C8/06 ,  C03C8/18 ,  H01B1/16 ,  H01B1/22 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

摘要： An aluminium paste having no or only poor fire-through capability comprises aluminium particles, at least one glass frit containing 0.5 to 15 wt.% SiO 2 , 0.3 to 10 wt.% Al203 and 67 to 75 wt.% Bi 2 O 3 (the weight percentages being based on the total weight of the glass frit) and an organic vehicle. The aluminium paste is used in the manufacture of aluminium back electrodes of PERC (passivated emitter and rear contact) silicon solar cells, wherein the paste is applied on a perforated dielectric passivation layer on the back-side of a silicon wafer and subsequently dried and fired or, alternatively, wherein the paste is applied on a non-perforated passivation layer on the back-side of a silicon wafer, dried and fired and the aluminium layer and the passivation layer are subsequently laser fired to produce perforations in the passivation layer and to form local BSF (back surface field) contacts.

摘要翻译： 没有或仅仅具有差的穿透能力的铝浆包括铝颗粒，至少一种含有0.5至15重量％SiO 2，0.3至10重量％Al 2 O 3和67至75重量％Bi 2 O 3的玻璃料（重量百分数为 基于玻璃料的总重量）和有机载体。 铝浆用于制造PERC（钝化发射器和后接触）硅太阳能电池的铝背电极，其中将糊剂施加在硅晶片背面上的穿孔电介质钝化层上，随后干燥和烧制 或者替代地，其中将糊剂施加在硅晶片的背侧上的非穿孔钝化层上，干燥和烧制，随后激光烧制铝层和钝化层以在钝化层中产生穿孔，并且 形成本地BSF（背面场）接触。