公开(公告)号：WO2004004435A1

公开(公告)日：2004-01-08

申请号：PCT/US2003/019253

申请日：2003-06-18

Applicant: MOTOROLA, INC., A CORPORATION OF THE STATE OF DELAWARE

Inventor： RIZZO, Nicholas, D. ,  DURLAM, Mark, A. ,  ROLL, Michael, J. ,  KYLER, Kelly ,  MOLLA, Jaynal, A.

IPC: H05K9/00

CPC classification number: H05K9/0075 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/552 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/222 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: A shielded electronic integrated circuit apparatus (7) comprising a substrate (10) with an electronic integrated circuit (14) formed thereon, a dielectric region (12) positioned on the substrate and the electronic integrated circuit wherein the dielectric region and the substrate are substantially surrounded by a magnetic material region (26, 30,32,34) deposited using electrochemical deposition and wherein the electronic integrated circuit is shielded from electromagnetic radiation.

Abstract translation: 一种屏蔽电子集成电路装置（7），包括形成有电子集成电路（14）的基板（10），位于基板上的电介质区域（12）和电子集成电路，其中电介质区域和基板基本上 被使用电化学沉积沉积的磁性材料区域（26,30,32,34）包围，并且其中电子集成电路被屏蔽免受电磁辐射。

公开(公告)号：WO2004061857A1

公开(公告)日：2004-07-22

申请号：PCT/US2003/033247

申请日：2003-10-20

Applicant: MOTOROLA, INC., A CORPORATION OF THE STATE OF DELAWARE

Inventor： MEIXNER, Thomas, V. ,  GRYNKEWICH, Gregory, W. ,  MOLLA, Jaynal, A. ,  REN, J. Jack ,  WILLIAMS, Richard, G. ,  BUTCHER, Brian, R. ,  DURLAM, Mark, A.

IPC: G11C11/16

CPC classification number: H01L27/222 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/16 ,  H01L43/12

Abstract: A method for fabricating a flux concentrating system (62) for use in a magnetoelectronics device is provided. The method comprises the steps of providing a bit line (10) formed in a substrate (12) and forming a first material layer (24) overlying the bit line (10) and the substrate (12). Etching is performed to form a trench (52) in the first material layer (24) and a cladding layer (56) is deposited in the trench (52). A buffer material layer (58) is formed overlying the cladding layer (56) and a portion of the buffer material layer (58) and a portion of the cladding layer (56) is removed.

Abstract translation: 提供了一种用于制造用于磁电装置的通量集中系统（62）的方法。 该方法包括以下步骤：提供在衬底（12）中形成的位线（10），并形成覆盖位线（10）和衬底（12）的第一材料层（24）。 进行蚀刻以在第一材料层（24）中形成沟槽（52），并且在沟槽（52）中沉积包层（56）。 缓冲材料层（58）形成在覆层（56）上，缓冲材料层（58）的一部分和包覆层（56）的一部分被去除。