公开(公告)号：WO2016033522A1

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：PCT/US2015/047531

申请日：2015-08-28

申请人： MATERION CORPORATION

发明人： KOBA, Richard J. ,  FRAIVILLIG, James

IPC分类号： B32B7/12 ,  B32B27/20 ,  B32B27/28 ,  C09J7/02 ,  C09J9/02 ,  C09J179/08 ,  H01B1/22 ,  H05K3/32 ,  C08K3/08

CPC分类号： B32B37/144 ,  B29C65/02 ,  B29C66/45 ,  B29C66/712 ,  B29C66/73112 ,  B29C66/7392 ,  B29K2079/085 ,  B32B7/02 ,  B32B7/12 ,  B32B9/005 ,  B32B9/045 ,  B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  B32B27/06 ,  B32B27/18 ,  B32B27/20 ,  B32B27/281 ,  B32B37/1284 ,  B32B37/16 ,  B32B2037/1253 ,  B32B2038/0076 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/20 ,  B32B2255/205 ,  B32B2262/103 ,  B32B2262/106 ,  B32B2264/105 ,  B32B2264/108 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/302 ,  B32B2309/02 ,  B32B2309/105 ,  B32B2379/08 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/08 ,  C08K3/04 ,  C08K3/08 ,  C08K2003/0806 ,  C08K2003/0831 ,  C08K2003/085 ,  C08K2201/001 ,  C09J7/22 ,  C09J7/28 ,  C09J7/29 ,  C09J7/35 ,  C09J9/02 ,  C09J2201/602 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/106 ,  C09J2400/163 ,  C09J2479/08 ,  C09J2479/086 ,  C09K5/14 ,  H01B1/22 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2711 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29363 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83487 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H05K3/0061 ,  H05K2201/0129 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0215 ,  C08L79/08 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/01004

摘要： A bond film includes a thermoplastic polyimide adhesive that contains particles which are thermally conductive and electrically conductive particles. A conductive foil layer may be placed between two layers of adhesive to form the bond foil. This bond film has a low curing temperature which reduces CTE mismatch between different substrates and therefore allows direct bonding of substrates that have high coefficient of thermal expansion mismatch. The low curing temperature also allows for reduced processing costs. The conductive bond film does not degrade at high temperatures, allowing for service temperatures up to 350°C and thermal excursions up to 450°C.

摘要翻译： 接合膜包括含有导热性和导电性颗粒的热塑性聚酰亚胺粘合剂。 导电箔层可以放置在两层粘合剂之间以形成接合箔。 该粘合膜具有低的固化温度，这降低了不同基材之间的CTE失配，因此允许直接粘合具有高热膨胀系数不匹配的基材。 低固化温度也可降低加工成本。 导电粘合膜在高温下不会降解，使用温度高达350°C，热偏移达450°C。

公开(公告)号：WO2015186305A1

公开(公告)日：2015-12-10

申请号：PCT/JP2015/002569

申请日：2015-05-21

申请人： 株式会社デンソー

发明人： 森野　友生 ,  石野　寛

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/3675 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/48 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1425 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 　半導体装置は、シリコンカーバイドを用いて形成され、第１面（１２ａ）及び該第１面と反対の第２面に電極を有する半導体チップ（１２）と、第１面側に配置され、接合部材を介して第１面側の電極に接続されるターミナル（１４）と、第２面側に配置され、接合部材を介して第２面側の電極に接続されるヒートシンク（２２）と、を備える。第１面（１２ａ）が（０００１）面とされ、半導体チップの厚み方向が、［０００１］方向とされている。そして、平面正方形をなす半導体チップ（１２）の端部と、平面長方形をなすターミナル（１４）の端部との間の距離のうち、［１－１００］方向における最短距離Ｌ１が、［１１－２０］方向における最短距離Ｌ２よりも短くされている。これにより、放熱性の低下を抑制しつつ、熱応力に対する半導体チップの耐力を向上することができる。

摘要翻译： 半导体器件设置有：分别在第一表面（12a）和第二表面（与第一表面相反）上形成有碳化硅并具有电极的半导体芯片（12） 设置在第一表面侧并通过接合部件连接到第一表面侧的电极的端子（14） 设置在第二表面侧并通过接合部件连接到第二表面侧的电极的散热片（22）。 第一表面（12a）是（0001）面，半导体芯片的厚度方向为[0001]方向。 在具有平面正方形的半导体芯片（12）的端部与具有平面矩形形状的端子（14）的端部之间的距离之外，使[1-100]方向上的最短距离（L1）比 [11-20]方向的最短距离（L2）。 因此，可以降低半导体芯片对热应力的电阻，同时抑制散热性能的降低。

公开(公告)号：WO2015050887A1

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：PCT/US2014/058392

申请日：2014-09-30

申请人： INVENSAS CORPORATION

发明人： UZOH, Cyprian, Emeka ,  SITARAM, Arkalgud, R.

IPC分类号： C25F3/14 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L25/0655 ,  C25F3/12 ,  C25F3/14 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/17 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15701 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15763 ,  H05K1/0212 ,  H05K1/115 ,  H05K3/07 ,  H05K2201/10378

摘要： A mask is formed over a first conductive portion of a conductive layer to expose a second conductive portion of the conductive layer. An electrolytic process is performed to remove conductive material from a first region and a second region of the second conductive portion. The second region is aligned with the mask relative to an electric field applied by the electrolytic process. The second region separates the first region of the second conductive portion from the first conductive portion. The electrolytic process is concentrated relative to the second region such that removal occurs at a relatively higher rate in the second region than in the first region.

摘要翻译： 在导电层的第一导电部分上形成掩模以暴露导电层的第二导电部分。 执行电解处理以从第二导电部分的第一区域和第二区域去除导电材料。 第二区域相对于通过电解过程施加的电场与掩模对准。 第二区域将第二导电部分的第一区域与第一导电部分分开。 电解过程相对于第二区域被浓缩，使得在第二区域中比在第一区域中以相对较高的速率进行去除。

公开(公告)号：WO2014138465A1

公开(公告)日：2014-09-12

申请号：PCT/US2014/021371

申请日：2014-03-06

申请人： THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS

发明人： ROGERS, John A. ,  HWANG, SukWon ,  HUANG, Xian

IPC分类号： H05K1/00

CPC分类号： H01L23/564 ,  G01N27/22 ,  H01L21/28 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/768 ,  H01L21/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L23/53257 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/13091

摘要： Provided are methods of making a transient electronic device by fabricating one or more inorganic semiconductor components, one or more metallic conductor components or one or more inorganic semiconductor components and one or more metallic conductor components supported by a mother substrate. The components may independently comprise a selectively transformable material and, optionally, further have a preselected transience profile. The components are transfer printed, thereby decoupling the component fabrication step from additional processing to provide desired device functionality and transient properties. A substrate layer is provided on top of the components and used to facilitate handling, processing, and/or device functionality.

摘要翻译： 提供了通过制造一个或多个无机半导体部件，一个或多个金属导体部件或一个或多个无机半导体部件以及由母体基板支撑的一个或多个金属导体部件来制造瞬态电子器件的方法。 组分可以独立地包含选择性可转化材料，并且任选地还具有预选的瞬态曲线。 组件被转印印刷，从而将组件制造步骤与附加处理分离，以提供期望的装置功能和瞬态特性。 衬底层设置在部件的顶部，并且用于促进处理，处理和/或器件功能。

公开(公告)号：WO2012087613A3

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：PCT/US2011064179

申请日：2011-12-09

申请人： APPLIED MATERIALS INC ,  RAJAGOPALAN NAGARAJAN ,  PARK JI AE ,  YAMASE RYAN ,  PATEL SHAMIK ,  NOWAK THOMAS ,  XIA LI-QUN ,  KIM BOK HOEN ,  DING RAN ,  BALDINO JIM ,  NAIK MEHUL ,  RAMASWAMI SESH

发明人： RAJAGOPALAN NAGARAJAN ,  PARK JI AE ,  YAMASE RYAN ,  PATEL SHAMIK ,  NOWAK THOMAS ,  XIA LI-QUN ,  KIM BOK HOEN ,  DING RAN ,  BALDINO JIM ,  NAIK MEHUL ,  RAMASWAMI SESH

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/045 ,  H01L23/055 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/11 ,  H01L24/742 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/742 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00

摘要： A through-silicon via fabrication method includes etching a plurality of through holes in a silicon plate. An oxide liner is deposited on the surface of the silicon plate and on the sidewalls and bottom wall of the through holes. A metallic conductor is then deposited in the through holes. In another version, which may be used concurrently with the oxide liner, a silicon nitride passivation layer is deposited on the exposed back surface of the silicon plate of the substrate.

摘要翻译： 硅通孔制造方法包括蚀刻硅板中的多个通孔。 氧化物衬垫沉积在硅板的表面上以及通孔的侧壁和底壁上。 然后将金属导体沉积在通孔中。 在可以与氧化物衬垫同时使用的另一种形式中，氮化硅钝化层被沉积在衬底的硅板的暴露的背表面上。

公开(公告)号：WO2012064636A3

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：PCT/US2011059542

申请日：2011-11-07

申请人： CREE INC

发明人： MIECZKOWSKI VAN ,  AGARWAL ANANT ,  GURGANUS JASON ,  HAGLEITNER HELMUT

IPC分类号： H01L23/485

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

摘要： The present disclosure relates to forming multi - layered contact pads for a semiconductor device, wherein the various layers of the contact pad are formed using one or more thin - film deposition processes, such as an evaporation process. Each contact pad includes an adhesion layer, (20) which is formed over the device structure for the semiconductor device; a titanium nitride (TiN) barrier layer, (22) which is formed over the adhesion layer (24); and an overlay layer, which is formed over the barrier layer. At least the titanium nitride (TiN) barrier layer (22) is formed using an evaporation process.

摘要翻译： 本公开涉及形成用于半导体器件的多层接触焊盘，其中使用一个或多个薄膜沉积工艺（诸如蒸发工艺）来形成接触焊盘的各个层。 每个接触垫包括形成在用于半导体器件的器件结构上的粘附层（20）; 氮化钛（TiN）阻挡层，（22），其形成在所述粘合层（24）上; 以及形成在阻挡层上的覆盖层。 至少氮化钛（TiN）阻挡层（22）使用蒸发工艺形成。

公开(公告)号：WO2012037140A3

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：PCT/US2011051419

申请日：2011-09-13

申请人： TEXAS INSTRUMENTS INC ,  TEXAS INSTRUMENTS JAPAN ,  WEST JEFFREY A ,  PARK YOUNG-JOON

发明人： WEST JEFFREY A ,  PARK YOUNG-JOON

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08503 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： A through-substrate via (TSV) die (200) includes a plurality of TSVs (216) including an outer dielectric sleeve (221) and an inner metal core (220) and protruding TSV tips (217) including sidewalls that emerge from the TSV die. A passivation layer (231) lateral to the protruding TSV tips is on a portion of the sidewalls of the protruding TSV tips. The passivation layers is absent from a distal portion of the protruding TSV tips to provide an exposed portion of the inner metal core. The TSV tips include bulbous distal tip ends (217(a) including a first metal layer (241) including a first metal other than solder and a second metal layer (242) including a second metal other than solder that covers the exposed tip portion. The bulbous distal tip ends cover a portion of the TSV sidewalls and are over a topmost surface of the outer dielectric sleeve, and have a maximum cross-sectional area that is > 25 % more as compared to a cross-sectional area of the protruding TSV tips below the bulbous distal tip ends.

摘要翻译： 穿透衬底通孔（TSV）管芯（200）包括多个TSV（216），所述多个TSV包括外部电介质套管（221）和内部金属芯（220），并且突出TSV尖端（217）包括从TSV 死。 突出TSV尖端侧向的钝化层（231）位于突出TSV尖端的侧壁的一部分上。 突出TSV尖端的远端部分不具有钝化层以提供内金属芯的暴露部分。 TSV尖端包括球形远端尖端（217（a）），其包括包含除焊料之外的第一金属的第一金属层（241）和包含除覆盖暴露尖端部分的焊料之外的第二金属的第二金属层（242）。 球状远侧末端端部覆盖TSV侧壁的一部分并位于外部电介质套管的最顶部表面上方，并且与突出TSV的横截面区域相比，最大横截面积大于> 25％ 在球状远端尖端下方的尖端。

公开(公告)号：WO2012009612A2

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：PCT/US2011/044137

申请日：2011-07-15

申请人： ONTOS EQUIPMENT SYSTEMS, INC. ,  SCHULTE, Eric Frank

发明人： SCHULTE, Eric Frank

IPC分类号： B23K1/20 ,  B23K31/02

CPC分类号： B23K1/20 ,  B32B38/0008 ,  B32B2310/14 ,  B32B2457/00 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81054 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014

摘要： A method of removing oxidation from certain metallic contact surfaces utilizing a combination of relatively simple and inexpensive off-the-shelf equipment and specific chemistry. The method being a very rapid dry process which does not require a vacuum or containment chamber, or toxic gasses/chemicals, and does not damage sensitive electronic circuits or components. Additionally, the process creates a passivation layer on the surface of the metallic contact which inhibits further oxidation while allowing rapid and complete bonding, even many hours after surface treatment, without having to remove the passivation layer. The process utilizes a room-ambient plasma applicator with hydrogen, nitrogen, and inert gasses.

摘要翻译： 利用相对简单和便宜的现成设备和特定化学品的组合，从某些金属接触表面去除氧化的方法。 该方法是一种非常快速的干法工艺，不需要真空或密封室，或有毒气体/化学物质，并且不会损坏敏感的电子电路或组件。 此外，该工艺在金属接触表面上形成钝化层，该钝化层抑制进一步氧化，同时允许在表面处理之后甚至几个小时的快速和完全结合，而不必去除钝化层。 该工艺利用室内环境的等离子喷涂器，使用氢气，氮气和惰性气体。

公开(公告)号：WO2012005073A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：PCT/JP2011/063030

申请日：2011-06-07

申请人： 三菱電機株式会社 ,  ルネサスエレクトロニクス株式会社 ,  前田 晃 ,  山田 朗 ,  山崎 浩次 ,  堀部 裕史 ,  広瀬 哲也

发明人： 前田　晃 ,  山田　朗 ,  山崎　浩次 ,  堀部　裕史 ,  広瀬　哲也

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20657 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/48824

摘要： 　良好な初期接合性と、高い信頼性とを有するＣｕワイヤボンド接合が可能な電極（ボンディングパッド）を有する半導体装置、半導体パッケージ及びそれらの製造方法が得られる。半導体装置は、能動素子と、上記能動素子と電気的に接続されたアルミニウムを主成分とする電極（８）と、上記電極（８）の中央部のみに配置され、機械的強度が銅以上の応力緩和膜（６）とを備える。このようにすれば、ボンディングの際の能動素子へのダメージを少なくすることができ、ボンディングワイヤであるＣｕワイヤとボンディングパッドである電極との良好な接合をすることができる。

摘要翻译： 公开了具有电极（接合焊盘）的半导体器件，其中可以具有良好的初始结合能力和高可靠性的Cu线接合。 进一步公开的是半导体封装，以及制造各种封装的方法。 半导体器件具有：有源元件; 电极（8），其具有铝作为主要成分并与上述有源元件电连接; 以及仅设置在上述电极（8）的中心区域并且具有至少为铜的机械强度的应力松弛膜（6）。 结果，可以在接合时减少对有源元件的损伤，并且可以将作为接合线的Cu线良好地接合到作为接合焊盘的电极。

公开(公告)号：WO2012004876A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：PCT/JP2010/061611

申请日：2010-07-08

申请人： 三菱電機株式会社 ,  前田 晃 ,  山田 朗 ,  林 建一

发明人： 前田　晃 ,  山田　朗 ,  林　建一

IPC分类号： H01L21/52

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L24/06 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/2076

摘要： 　本発明は、半導体素子（１）と基板（２）とが金属多孔質体（３）を介して接合された接合体であって、前記半導体素子（１）と前記基板（２）との間に前記金属多孔質体（３）が挟まれた状態で、該金属多孔質体（３）の一方の面が接合材を介して前記半導体素子（１）に接合され、該金属多孔質体（３）の他方の面が接合材を介して前記基板（２）に接合されており、前記金属多孔質体（３）の面内方向における中心部の機械的強度が周辺部よりも高いことを特徴とする接合体、および、それを備えた半導体装置である。

摘要翻译： 公开了作为半导体元件（1）的接合体和与其间的金属多孔体（3）接合的基板（2）。 粘结体的特征在于，所述金属多孔体（3）的一个表面与上述半导体元件（1）接合，其间具有接合材料，并且所述金属多孔体（3）的另一个表面与上述基板 2），在上述金属多孔体（3）夹在上述半导体元件（1）和上述基板（2）之间的状态下，其间具有接合材料，并且其特征还在于中心部分处的机械强度 在上述金属多孔体（3）的面内方向比周边部高。 另外公开了具备该半导体装置的半导体装置。