公开(公告)号：WO2018052601A1

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：PCT/US2017/046769

申请日：2017-08-14

Applicant: INTEL CORPORATION

Inventor： CHAVALI, Sri Chaitra J. ,  SCHUCKMAN, Amanda E. ,  LEE, Kyu Oh

IPC: H01L23/532 ,  H01L25/07 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15747

Abstract: Techniques and mechanisms for providing effective connectivity with surface level microbumps on an integrated circuit package substrate. In an embodiment, different metals are variously electroplated to form a microbump which extends through a surface-level dielectric of a substrate to a seed layer including copper. The microbump includes a combination of tin and zinc that mitigates precipitation of residual copper by promoting the formation of miconstituents in the microbump. In another embodiment, the microbump has a mass fraction of zinc, or a mass fraction of tin, that is different in various regions along a height of the microbump.

Abstract translation: 在集成电路封装衬底上提供与表面水平微凸块有效连接的技术和机制。 在一个实施例中，不同的金属被不同地电镀以形成延伸穿过衬底的表面级电介质到包括铜的种子层的微凸块。 微凸块包括锡和锌的组合，其通过促进微凸块中的微成分的形成来减轻残留铜的沉淀。 在另一个实施例中，微凸块的质量分数为锌或锡的质量分数，在沿着微凸块的高度的不同区域中是不同的。

公开(公告)号：WO2017030704A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：PCT/US2016/042641

申请日：2016-07-15

Applicant: INTEL CORPORATION

Inventor： KRAJNIAK, Jan ,  DEPPISCH, Carl L. ,  MIRPURI, Kabirkumar J. ,  JIANG, Hongjin ,  HUA, Fay ,  WEI, Yuying ,  CANHAM, Beverly J. ,  LU, Jiongxin ,  RENAVIKAR, Mukul P.

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49833 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/20 ,  B23K3/0623 ,  B23K35/025 ,  B23K35/262 ,  B23K35/264 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3613 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/8102 ,  H01L2224/81594 ,  H01L2224/816 ,  H01L2224/81611 ,  H01L2224/8169 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2924/1511 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/141 ,  H05K3/363 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2201/10734 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00012

Abstract: Embodiments herein may relate to a patch on interposer (PoINT) architecture. In embodiments, the PoINT architecture may include a plurality of solder joints between a patch and an interposer. The solder joints may include a relatively high temperature solder ball and a relatively low temperature solder paste that at least partially surrounds the solder ball. Other embodiments may be described and/or claimed.

Abstract translation: 这里的实施例可以涉及内插器（PoINT）架构上的补丁。 在实施例中，PoINT架构可以包括贴片和插入器之间的多个焊接点。 焊点可以包括相对高温的焊球和至少部分地围绕焊料球的相对低温的焊膏。 可以描述和/或要求保护其他实施例。

公开(公告)号：WO2016059744A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：PCT/JP2015/004289

申请日：2015-08-26

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 渡邉　裕彦 ,  齋藤　俊介 ,  小野　眞裕 ,  渡辺　孝志 ,  佐野　真二 ,  大西　一永

IPC: B23K1/19 ,  B23K1/00 ,  B23K35/26 ,  C22C13/02 ,  H01L21/52 ,  H01L23/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/34 ,  B23K101/40 ,  B23K101/42

CPC classification number: H01L24/48 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K1/19 ,  B23K1/203 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K2201/42 ,  C22C13/02 ,  H01L21/52 ,  H01L23/40 ,  H01L23/4827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/49 ,  H01L24/81 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48506 ,  H01L2224/4852 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85359 ,  H01L2224/85805 ,  H01L2224/85825 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/10166 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 　Ａｇ含有部材に半田付けされるＡｇ含有鉛フリー半田の半田付け方法において、ボイドの発生防止及び半田濡れ性を向上させる。本発明のＡｇ含有鉛フリー半田の半田付け方法は、質量Ｍ（ｇ）の半田付け前のＳｎ－Ａｇ系鉛フリー半田に含まれるＡｇ濃度Ｃ（質量％）と、Ａｇ含有部材に含まれるＡｇの溶出量Ｂ（ｇ）との関係が、１．０質量％　≦（Ｍ×Ｃ＋Ｂ）Ｘ１００／（Ｍ＋Ｂ）≦　４．６質量％となるＡｇを含有し、残部がＳｎおよび不可避不純物よりなる組成を有する鉛フリー半田と、前記Ａｇ含有部材と接触させる第１工程と、前記鉛フリー半田を加熱して溶融する第２工程と、前記鉛フリー半田を冷却する第３工程と、を備えるＡｇ含有鉛フリー半田の半田付け方法。

Abstract translation: 用于将要焊接的含Ag的铅释放焊料焊接到含Ag构件的方法中，防止了空隙和焊料润湿性的发生。 根据本发明的用于焊接含Ag的无铅焊料的方法包括：第一步骤，其中含Ag组分和无铅焊料，其具有包含Ag的组成，使得Ag浓度C 焊锡前的Sn-Ag系无铅焊料的质量M（g）中含有的Ag含量（质量％）和含Ag成分中所含的Ag的溶出量B（g）满足1.0质量％≤（M× C + B）×100 /（M + B）≤4.4质量％，其余量由Sn和不可避免的杂质构成，彼此接触; 第二步，其中无铅焊料被加热和熔化; 以及第三步骤，其中无铅焊料被冷却。

公开(公告)号：WO2016015720A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：PCT/DE2015/100322

申请日：2015-07-31

Applicant: CHRISTIAN-ALBRECHTS-UNIVERSITÄT ZU KIEL

Inventor： BAYTEKIN-GERNGROSS, Melike ,  GERNGROSS, Mark-Daniel ,  ADELUNG, Rainer ,  CARSTENSEN, Jürgen

IPC: C23F1/26 ,  A61L27/06 ,  A61F2/30 ,  B08B7/00 ,  C25F3/08 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC classification number: C23F1/26 ,  A61F2002/30925 ,  A61L27/06 ,  A61L27/56 ,  A61L2400/18 ,  A61L2430/02 ,  C22C14/00 ,  C23F1/30 ,  H01L2924/01022

Abstract: Die Erfindung betrifft ein oberflächenbehandeltes metallisches Werkstück aus Titan und/oder Titan-Legierungen mit Titan als Hauptbestandteil und/oder Nickel-Titan-Legierungen sowie Nitinol, wobei das Metall an der behandelten Oberfläche frei von Einschlüssen, Ausscheidungen anderer Metalle, Anlagerungen von Alkali-, Erdalkalimetallen und/oder Aluminium, intermetallischen Phasen, und/oder mechanisch stark defektreichen Bereichen ist, und die Oberfläche über eine erste Rauigkeit und eine zweite Rauigkeit verfügt, wobei die erste Rauigkeit durch Vertiefungen in Form von Poren gegeben ist, wobei die Poren einen Durchmesser im Bereich zwischen 0,5 und 50 μm haben- in Richtung der Oberfläche offen und in Richtung des Werkstücks geschlossen sind, und wenigstens ein Teil der Poren einen Hinterschnitt aufweisen und die zweite Rauigkeit durch statistisch verteilte Erhöhungen und Vertiefungen im Bereich von 100nm und weniger gegeben ist. Ferner betrifft die Erfindung ein Herstellungsverfahren für ein oberflächenbehandelten Werkstück.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有钛由钛和/或钛合金的作为主要成分和/或镍 - 钛合金和镍钛诺的表面处理金属工件，其中所述金属，从夹杂物自由处理过的表面，析出物等金属，碱添加的 碱土金属和/或铝，金属间相，和/或机械强富含缺陷区域，并且该表面具有第一粗糙度和第二表面粗糙度，其中所述第一粗糙结构由凹部中的孔的形式给出，其中所述孔中的具有直径 50范围为0.5至微米朝向表面有─被打开，并在工件的方向闭合，并且所述孔的至少一部分具有在100纳米和更低的范围内的底切和所述第二粗糙度随机分布的凸起和凹陷，给出 ， 此外，本发明涉及一种用于表面处理工件的制造方法。

公开(公告)号：WO2015175131A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：PCT/US2015/025873

申请日：2015-04-15

Applicant: LUXVUE TECHNOLOGY CORPORATION

Inventor： BIBL, Andreas ,  GOLDA, Dariusz

IPC: G09F9/30 ,  H01L25/075 ,  H01L25/16 ,  H01L27/12 ,  H05K1/18

CPC classification number: H01L25/167 ,  G09F9/301 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/15 ,  H01L27/153 ,  H01L27/156 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/24101 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81438 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81466 ,  H01L2224/81486 ,  H01L2224/8149 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/82104 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83466 ,  H01L2224/83486 ,  H01L2224/8349 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15156 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H05K1/189 ,  H05K3/4682 ,  H05K2201/10106 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83

Abstract: A flexible display panel (103) and method of formation with a sacrificial release layer are described. The method of manufacturing a flexible display system includes forming a sacrificial layer on a carrier substrate (101). A flexible display substrate (105) is formed on the sacrificial layer, with a plurality of release openings (111) that extend through the flexible display substrate (105) to the sacrificial layer. An array of LEDs (106) and a plurality of microchips (108) are transferred onto the flexible display substrate (105) to form a flexible display panel (103). The sacrificial layer is selectively removed such that the flexible display panel (103) attaches to the carrier substrate (101) by a plurality of support posts. The flexible display panel (103) is removed from the carrier substrate (101) and is electrically coupled with display components to form a flexible display system.

Abstract translation: 描述了柔性显示面板（103）及其形成方法。 柔性显示系统的制造方法包括在载体基板（101）上形成牺牲层。 柔性显示基板（105）形成在牺牲层上，多个释放开口（111）延伸穿过柔性显示基板（105）至牺牲层。 一组LED（106）和多个微芯片（108）被转移到柔性显示基板（105）上以形成柔性显示面板（103）。 选择性地去除牺牲层，使得柔性显示面板（103）通过多个支撑柱附接到载体基板（101）。 柔性显示面板（103）从载体基板（101）移除并与显示部件电耦合以形成柔性显示系统。

公开(公告)号：WO2012120982A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：PCT/JP2012/053524

申请日：2012-02-15

Applicant: JX日鉱日石金属株式会社 ,  加納 学

Inventor： 加納　学

IPC: C22B15/14 ,  C22C9/00 ,  C22C9/08 ,  C25C1/00 ,  C25C1/12 ,  C25C7/04 ,  H01L21/60

CPC classification number: B23K35/302 ,  C22C9/00 ,  C22C9/08 ,  C25C1/12 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/48

Abstract: 　α線量が０．００１ｃｐｈ／ｃｍ ２ 以下であることを特徴とする銅又は銅合金。最近の半導体装置は、高密度化及び高容量化されているので、半導体チップ近傍の材料からのα線の影響により、ソフトエラーが発生する危険が多くなっている。特に、半導体装置に近接して使用される、銅又は銅合金配線、銅又は銅合金ボンディングワイヤ、はんだ材料などの銅又は銅合金に対する高純度化の要求が強く、またα線の少ない材料が求められているので、本発明は、銅又は銅合金のα線発生現象を解明すると共に、要求される材料に適応できるα線量を低減させた銅又は銅合金、及び銅又は銅合金を原料とするボンディングワイヤを得ることを課題とする。

Abstract translation: 铜或铜合金，其特征在于具有0.001cph / cm 2以下的a射线发射。 由于近来的半导体器件具有更高的密度和更高的容量，所以由于存在于半导体芯片附近的材料发射的光线的影响，软错误更容易发生。 特别是铜或铜合金线引线，铜或铜合金接合线以及焊接材料等半导体器件附近使用的铜或铜合金强烈要求具有较高的纯度 。 还需要一种减少射线辐射的材料。 因此，本发明解决了铜或铜合金发射射线并获得铜或铜合金以及由铜或铜合金形成的接合线作为原料的现象的问题，铜或铜合金 已经减少了a射线发射并且适用于所需的材料。

公开(公告)号：WO2012071003A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：PCT/SE2011/051404

申请日：2011-11-22

Applicant: SENSEAIR AB ,  BRAUN, Stefan ,  NIKLAUS, Frank ,  FISCHER, Andreas ,  GRADIN, Henrik

Inventor： BRAUN, Stefan ,  NIKLAUS, Frank ,  FISCHER, Andreas ,  GRADIN, Henrik

IPC: B81B3/00 ,  B23K20/00 ,  B81C1/00 ,  H01L23/49

CPC classification number: H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  C22C19/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85099 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85345 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2224/85385 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/858 ,  H01L2224/85855 ,  H01L2224/85899 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/01022

Abstract: The present invention relates to a method to attach a shape memory alloy wire to a substrate, where the wire is mechanically attached into a 3D structure on the substrate. The present invention also relates to a device comprising a shape memory alloy wire attached to a substrate, where the wire is mechanically attached into a 3D structure on the substrate.

Abstract translation: 本发明涉及一种将形状记忆合金线附着到基底上的方法，其中线被机械连接到基底上的3D结构中。 本发明还涉及一种装置，其包括附接到基底的形状记忆合金丝，其中线被机械地附接到基底上的3D结构中。

公开(公告)号：WO2011149567A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：PCT/US2011/023440

申请日：2011-02-02

Applicant: XILINX, INC.

Inventor： HART, Michael, J. ,  DE JONG, Jan, L. ,  WU, Paul, Y.

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/556

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L23/556 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1355 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/36 ,  H01L2224/05552

Abstract: An embodiment of a method of forming a semiconductor device that includes a substrate (202) having an active layer (204) and interconnect (206) formed on the active layer is described. The method includes: forming a dielectric layer (210) above the interconnect (206) having a tapered via (604) exposing at least a portion of a first metal layer (216); forming an under-bump metallization (UBM) layer (218) over the tapered via and the first metal layer to form a UBM bucket (606); and forming a dielectric cap layer (212) over the dielectric layer and a portion of the UBM layer. The UBM bucket is configured to support a solder ball (214) and can advantageously block all alpha particles emitted by the solder ball having a relevant angle of incidence from reaching the active semiconductor regions of the IC. Thus, soft errors, such as single event upsets in memory cells, are reduced or eliminated.

Abstract translation: 描述形成半导体器件的方法的实施例，该半导体器件包括在有源层上形成的具有有源层（204）和互连（206）的衬底（202）。 该方法包括：在互连（206）之上形成具有暴露第一金属层（216）的至少一部分的锥形通孔（604）的介电层（210）; 在所述锥形通孔和所述第一金属层上形成凸起下金属化（UBM）层（218）以形成UBM桶（606）; 以及在介电层和UBM层的一部分上形成电介质盖层（212）。 UBM桶被配置为支撑焊球（214），并且可以有利地阻挡具有相关入射角的焊球发射的所有α粒子到达IC的有源半导体区域。 因此，减少或消除了诸如存储器单元中的单个事件的混乱的软错误。

公开(公告)号：WO2011122665A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：PCT/JP2011/058042

申请日：2011-03-30

Applicant: 大日本印刷株式会社 ,  小田 和範 ,  坂本 章 ,  村田 佳則 ,  川合 研三郎 ,  鈴木 綱一 ,  大石 恵

Inventor： 小田　和範 ,  坂本　章 ,  村田　佳則 ,  川合　研三郎 ,  鈴木　綱一 ,  大石　恵

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85469 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

Abstract: 　ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０は、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１を備えている。本体部１１の載置面１１ａには、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２が設けられている。反射用金属層１２は、白金と銀との合金または金と銀との合金からなる。反射用金属層１２により、ＬＥＤ素子２１からの光を効率良く反射するとともに、ガスによる腐食を抑えてＬＥＤ素子２１からの光の反射特性を維持することが可能である。

Abstract translation: LED的引线框架或基板（10）设置有具有放置LED元件（21）的放置面（11a）的主体部（11）。 在主体部分（11）的放置表面（11a）上设置有用作反射从LED元件（21）发射的光的反射层的反射金属层（12）。 反射金属层（12）由铂和银的合金或金和银的合金构成。 利用反射金属层（12），从LED元件（21）发射的光被有效地反射，并且可以通过抑制由于气体引起的腐蚀来保持反射从LED元件（21）发射的光的特性。

公开(公告)号：WO2011102547A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：PCT/JP2011/054215

申请日：2011-02-18

Applicant: 新日本製鐵株式会社 ,  平野 芳生

Inventor： 平野　芳生

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L24/05 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45184 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/2075

Abstract: １５０℃以上のような、ワイドバンドギャップ半導体が作動可能な温度環境下であっても、電極、接続 端子、及び半導体素子基板が導通接続されながら、ヒートサイクルによる亀裂破壊が低減された接合部 を有する電力用半導体素子を提供する。　ワイドバンドギャップ半導体素子基板に電極が積層されると共に、電極には外部配線へ接続するための接続端子が接合されており、１５０℃以上の温度環境下で作動可能な電力用半導体素子であって、前記電極、接続端子を形成する芯材、及び前記半導体素子基板の３つの線膨脹係数の差が、最大で５．２ ×１０ -6 ／Ｋであり、かつ、前記接続端子と電極とが直接接合されてなる接合部を有することを特徴とする電力用半導体素子である。

Abstract translation: 公开了一种具有接合部分的功率半导体元件，其中即使在150℃或更高的温度的环境中，也具有电连接的电极，连接端子和半导体元件基板，由于热循环引起的裂纹破坏 ，其中宽带隙半导体可以在其处工作。 在功率半导体元件中，电极层叠在宽带隙半导体元件基板上，将电极与外部布线连接的连接端子接合在电极上，功率半导体元件能够在环境中工作 温度为150℃以上。 功率半导体元件的特征在于，电极的三个线膨胀系数，形成有连接端子的芯材与半导体元件基板的最大差异为5.2×10 -6 / K，功率 半导体元件具有其中连接端子和电极直接接合的接合部分。