METHOD OF FABRICATING DIAMOND-SEMICONDUCTOR COMPOSITE SUBSTRATES
    3.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING DIAMOND-SEMICONDUCTOR COMPOSITE SUBSTRATES 审中-公开
    制备金刚石半导体复合基板的方法

    公开(公告)号:WO2016180849A1

    公开(公告)日:2016-11-17

    申请号:PCT/EP2016/060493

    申请日:2016-05-11

    申请人: RFHIC CORPORATION

    发明人: FRANCIS, Daniel

    IPC分类号: H01L21/20

    摘要: A method of fabricating a semiconductor-on-diamond composite substrate, the method comprising: (i) starting with a native semiconductor wafer comprising a native silicon carbidesubstrate on which a compound semiconductor is disposed; (ii) bonding a silicon carbide carrier substrate to the compound semiconductor; (iii) removing the native silicon carbide substrate; (iv) forming a nucleation layer over the compound semiconductor; (v) growing polycrystalline chemical vapour deposited (CVD) diamond on the nucleation layer to form a composite diamond-compound semiconductor-silicon carbide wafer, and (vi) removing the silicon carbide carrier substrate y laser lift-off to achieve a layered structure comprising the compound semiconductor bonded to the polycrystalline CVD diamond via the nucleation layer, wherein in step (ii) the silicon carbide carrier substrate is bonded to the compound semiconductor via a laser absorption material which absorbs laser light, wherein the laser has a coherence length shorter than a thickness of the silicon carbide carrier substrate.

    摘要翻译: 一种制造金刚石半导体复合衬底的方法,所述方法包括:(i)从其上配置有化合物半导体的天然硅碳化硅衬底的天然半导体晶片开始; (ii)将碳化硅载体衬底结合到化合物半导体; (iii)去除天然碳化硅衬底; (iv)在化合物半导体上形成成核层; (v)在成核层上生长多晶化学气相沉积(CVD)金刚石以形成复合金刚石 - 化合物半导体 - 碳化硅晶片,和(vi)去除碳化硅载体衬底y激光剥离以实现分层结构,包括 通过成核层与多晶CVD金刚石结合的化合物半导体,其中在步骤(ii)中,碳化硅载体衬底通过吸收激光的激光吸收材料与化合物半导体结合,其中激光的相干长度短于 碳化硅载体基板的厚度。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER BONDBAREN BESCHICHTUNG AUF EINEM TRÄGERBAND
    6.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER BONDBAREN BESCHICHTUNG AUF EINEM TRÄGERBAND 审中-公开
    一种用于生产粘合涂层上的支撑带

    公开(公告)号:WO2015121367A1

    公开(公告)日:2015-08-20

    申请号:PCT/EP2015/053006

    申请日:2015-02-12

    IPC分类号: H01L23/495

    摘要: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer bondbaren Beschichtung auf einem metallischen Trägerband (4) aus einer Messinglegierung mit wenigstens 15 Gew% Zink oder einer ausscheidungshärtenden Kupferbasislegierung enthaltend zumindest 0,03 Gew% Titan, Chrom, Zirkon und/oder Kobalt, bei dem in einem einzigen Arbeitsschritt eine bondbare metallische Funktionsschicht (14) aus Aluminium oder einer Aluminiumbasislegierung und eine metallische Zwischenschicht (16) auf das metallische Trägerband (4) mit einem Walzplattierungsverfahren aufgebracht und verbunden werden, wobei die Zwischenschicht (16) vollständig zwischen der Funktionsschicht (14) und dem metallischen Trägerband (4) angeordnet wird, so dass keine Verbindung der Funktionsschicht (14) mit dem metallischen Trägerband (4) entsteht. Die Erfindung betrifft auch ein beschichtetes Trägerband (20) hergestellt mit einem solchen, wobei auf dem Trägerband (4) die Zwischenschicht (1 6) angeordnet und befestigt ist und auf der Zwischenschicht (16) die Funktionsschicht (14) angeordnet und befestigt ist.

    摘要翻译: 本发明涉及一种生产在具有重量的锌或含有至少0.03重量%的钛,铬,锆和/或钴沉淀硬化铜基合金的至少15%由黄铜合金的金属载体条(4)一个可粘合涂层,其中,在 单个操作铝的粘合性金属功能层(14)或铝基合金和金属载体带(4)上的金属中间层(16)施加有Walzplattierungsverfahren和连接,其中,所述中间层(16)完全功能层(14)之间 与金属载带(4)被布置成使得形成与金属支撑条(4)无功能层(14)的连接。 本发明还涉及通过所产生的涂覆的载体带(20),例如,其中所述载体带(4)上的功能层(14)布置在所述中间层(16)和被紧固和中间层(16)和上是固定的。