摘要:
A wire comprising a wire core with a surface, the wire core having a coating layer superimposed on its surface, wherein the wire core itself consists of: (a) silver in an amount of from 0.1 to 0.3 wt.-%, (b) copper in an amount in the range of from 99.64 to 99.9 wt.-%, (c) phosphorus in an amount in the range of from 0 to 100 wt.-ppm, and (d) further components (components other than silver, copper and phosphorus) in an amount in the range of from 0 to 500 wt.-ppm, wherein the individual amount of any further component is less than 30 wt.-ppm, wherein all amounts in wt.-% and wt.-ppm are based on the total weight of the core, and wherein the coating layer is a double-layer comprised of an inner layer of palladium and an adjacent outer layer of gold, wherein the weight of the inner palladium layer is in the range of 1.5 to 2.5 wt.-%, relative to the weight of the wire core, and wherein the weight of the outer gold layer is in the range of 0.09 to 0.18 wt.-%, relative to the weight of the wire core.
摘要:
A method of fabricating a semiconductor-on-diamond composite substrate, the method comprising: (i) starting with a native semiconductor wafer comprising a native silicon carbidesubstrate on which a compound semiconductor is disposed; (ii) bonding a silicon carbide carrier substrate to the compound semiconductor; (iii) removing the native silicon carbide substrate; (iv) forming a nucleation layer over the compound semiconductor; (v) growing polycrystalline chemical vapour deposited (CVD) diamond on the nucleation layer to form a composite diamond-compound semiconductor-silicon carbide wafer, and (vi) removing the silicon carbide carrier substrate y laser lift-off to achieve a layered structure comprising the compound semiconductor bonded to the polycrystalline CVD diamond via the nucleation layer, wherein in step (ii) the silicon carbide carrier substrate is bonded to the compound semiconductor via a laser absorption material which absorbs laser light, wherein the laser has a coherence length shorter than a thickness of the silicon carbide carrier substrate.
摘要:
A composite substrate includes a submount substrate of an alternating pattern of electrically insulative portions, pieces, layers or segments and electrically conductive portions, pieces, layers or segments, and a shaft, back or plate for supporting the alternating pattern of electrically insulative portions and electrically conductive portions. An active device having a P-N junction can be mounted on the submount substrate. The electrically insulative portions, pieces, layers or segments can be formed from diamond while the electrically conductive portions, pieces, layers or segments can be formed from a metal or metal alloy.
摘要:
A ball-bond arrangement comprising an aluminum bond pad of a semiconductor device and a wire ball-bonded to the aluminum bond pad, wherein the wire has a diameter of 10 to 80 pm and comprises a core consisting of a copper alloy consisting of 0.05 to 3 wt.-% of palladium and/or platinum with copper as the remainder to make up 100 wt.-%.
摘要:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer bondbaren Beschichtung auf einem metallischen Trägerband (4) aus einer Messinglegierung mit wenigstens 15 Gew% Zink oder einer ausscheidungshärtenden Kupferbasislegierung enthaltend zumindest 0,03 Gew% Titan, Chrom, Zirkon und/oder Kobalt, bei dem in einem einzigen Arbeitsschritt eine bondbare metallische Funktionsschicht (14) aus Aluminium oder einer Aluminiumbasislegierung und eine metallische Zwischenschicht (16) auf das metallische Trägerband (4) mit einem Walzplattierungsverfahren aufgebracht und verbunden werden, wobei die Zwischenschicht (16) vollständig zwischen der Funktionsschicht (14) und dem metallischen Trägerband (4) angeordnet wird, so dass keine Verbindung der Funktionsschicht (14) mit dem metallischen Trägerband (4) entsteht. Die Erfindung betrifft auch ein beschichtetes Trägerband (20) hergestellt mit einem solchen, wobei auf dem Trägerband (4) die Zwischenschicht (1 6) angeordnet und befestigt ist und auf der Zwischenschicht (16) die Funktionsschicht (14) angeordnet und befestigt ist.
摘要:
The present disclosure provides improved systems and methods for low-temperature bonding and/or sealing with spaced nanorods. In exemplary embodiments, the present disclosure provides for the use of metallic nanorods to bond and seal two substrates. The properties of the resulting bond are mechanical strength comparable to adhesives, impermeability comparable to metals and long term stability comparable to metals. The bond may be attached to any flat substrate and superstrate with strong adhesion. In certain embodiments, the bond is achieved at room temperature with only pressure or at a temperature above room temperature (e.g., about 150°C or less) and reduced pressure. Exemplary bonds are both mechanically strong and substantially impermeable to oxygen and moisture.
摘要:
Ce procédé d'assemblage d'un premier et d'un second composants électroniques (50, 2), comporte: la réalisation d'éléments de connexion sur une face d'assemblage du premier composant (50) et la réalisation d'éléments de connexion sur une face d'assemblage du second composant (52); le dépôt d'une couche liquide de matériau durcissable et électriquement isolant (70) sur la face d'assemblage du premier et/ou du second composant; le report des premier et second composants (50, 52) l'un sur l'autre de manière à mettre les éléments de connexion du second composant en face des éléments de connexion du premier composant; l'application d'une force selon une direction prédéterminée (A) sur le premier et/ou le second des composants (50, 52) de manière à créer des interconnexions électriques constituées chacune d'un élément de connexion (56) du premier composant (50) et d'un élément de connexion (58) du second composant(52); et le durcissement du matériau durcissable (70). Les éléments de connexion (56) du premier composant (50) sont des inserts creux présentant une extrémité ouverte et les éléments de connexion (58) du second composant (52) sont des éléments pleins (58), de dureté inférieure à celle des inserts (56), l'application de la force résultant en l'insertion des inserts (56) dans les éléments pleins (58). La géométrie des inserts (56) et la géométrie des éléments pleins (58), et/ou le positionnement relatif de ceux-ci lors de l'insertion, sont choisis de manière à laisser libre une portion de l'extrémité ouverte des inserts (56) pendant l'insertion. Le matériau durcissable (70) ne comprend pas de flux désoxydant.