대면적의 수직 정렬된 갈륨비소 반도체 나노선 어레이 제작 공정
    4.
    发明申请
    대면적의 수직 정렬된 갈륨비소 반도체 나노선 어레이 제작 공정 审中-公开
    用于制备垂直分布的阿拉伯半导体纳米颗粒纳米颗粒的方法

    公开(公告)号:WO2015190637A1

    公开(公告)日:2015-12-17

    申请号:PCT/KR2014/005645

    申请日:2014-06-25

    Inventor: 이우 신정호

    Abstract: 본 발명은 하향식 방식으로 GaAs 반도체 나노선을 제조하는 방법에 관한 것으로, 메쉬형태의 금속박막을 대면적으로 제작하는 경제적인 방법을 통해 만들어진 금속박막을 양극 (anode)으로 이용하여 외부로부터 전압 및 전류를 인가하여 갈륨비소 기판에 정공 (h + )을 주입시킴으로써 습식 에칭공정을 지속적으로 유도하여 수직 정렬된 갈륨비소 반도체 나노선 어레이를 대면적으로 제작하는 방법과 관련이 있다. 얻어지는 대면적의 수직 정렬된 갈륨비소 반도체 나노선은 태양전지, 트랜지스터, 발광다이오드 등 나노소자 제작에 응용될 수 있다. 본 발명에서 갈륨비소 반도체 나노선의 직경은 금속박막의 메쉬 크기의 제어를 통해 조절이 가능하며, 나노선의 길이는 에칭시간, 인가전압 및 인가전류 제어를 통해 자유롭게 조절될 뿐 아니라 다른 I I I-V 반도체 나노선 어레이의 제조에 응용될 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种自底向上的GaAs半导体纳米线的制造方法,更具体地说,涉及通过施加电压和电流从大面积制造垂直取向的砷化镓半导体纳米线阵列的方法 外部使用通过以大面积制造网状金属薄膜的经济方法制造的金属薄膜作为阳极,使得空穴(h +)注入到砷化镓衬底中,从而诱导 湿法蚀刻工艺不断。 所获得的大面积的垂直取向的砷化镓半导体纳米线可用于制造诸如太阳能电池,晶体管和发光二极管的纳米元件。 根据本发明,可以通过控制金属薄膜的网孔尺寸来调整砷化镓半导体纳米线的直径,并且不仅可以通过控制蚀刻时间自由调节纳米线的长度,施加的电压 和施加的电流,但是也可以应用于制造不同的III-V族半导体纳米线阵列。

    ARBITRARY ASSEMBLY OF NANO-OBJECTS INTO DESIGNED 1D AND 2D ARRAYS
    9.
    发明申请
    ARBITRARY ASSEMBLY OF NANO-OBJECTS INTO DESIGNED 1D AND 2D ARRAYS 审中-公开
    纳米对象到设计的一维和二维阵列的仲裁大会

    公开(公告)号:WO2011112512A1

    公开(公告)日:2011-09-15

    申请号:PCT/US2011/027393

    申请日:2011-03-07

    Abstract: The present invention is directed to nanoscale fabrication of nano-materials with application in electronics, energy conversion, bio-sensing and others. Specifically, the invention is directed to arbitrary, that is periodic and non-periodic, assembly of nano-objects on I D and 2D arrays. The present invention utilizes self-organization properties of nanoscale bio-encoded building blocks, programmability of biomolecular interactions, and simple processing techniques for providing arbitrary by-design fabrication capability. Specifically, the present invention utilizes double stranded DNA attached to a surface and intercalating PNA-DNA hybrids attached to nano-objects to bind the nano-objects to the dsDNA in a site specific manner. The present invention allows for an integration of a large number of nano-components in unified well-defined systems. Accordingly, the present invention is applicable for fabrication of I D and 2D structures of various by-design placements of nano-objects of multiple types, including metal, semiconducting and organic nano-objects.

    Abstract translation: 本发明涉及在电子,能量转换,生物传感等领域中纳米材料的纳米级制造。 具体地,本发明涉及在I D和2D阵列上的任意的,即周期性和非周期性的纳米物体的组装。 本发明利用纳米级生物编码结构单元的自组织性质,生物分子相互作用的可编程性,以及用于提供任意设计制造能力的简单处理技术。 具体地说,本发明利用连接于表面的双链DNA并插入连接于纳米物体的PNA-DNA杂交体,以特定方式将纳米对象与dsDNA结合。 本发明允许在统一的明确定义的系统中集成大量的纳米组分。 因此,本发明适用于制造包括金属,半导体和有机纳米物体在内的多种类型的纳米物体的各种设计放置的I D和2D结构。

    BULK-SIZE NANOSTRUCTURED MATERIALS AND METHODS FOR MAKING THE SAME BY SINTERING NANOWIRES
    10.
    发明申请
    BULK-SIZE NANOSTRUCTURED MATERIALS AND METHODS FOR MAKING THE SAME BY SINTERING NANOWIRES 审中-公开
    大尺寸纳米结构材料及其制备方法

    公开(公告)号:WO2014070611A1

    公开(公告)日:2014-05-08

    申请号:PCT/US2013/066853

    申请日:2013-10-25

    CPC classification number: H01L35/22 B82B3/0014 B82Y30/00 H01L35/34

    Abstract: Thermoelectric solid material and method thereof. The thermoelectric solid material includes a plurality of nanowires. Each nanowire of the plurality of nanowires corresponds to an aspect ratio (e.g., a ratio of a length of a nanowire to a diameter of the nanowire) equal to or larger than 10, and each nanowire of the plurality of nanowires is chemically bonded to one or more other nanowires at at least two locations of the each nanowire.

    Abstract translation: 热电固体材料及其制造方法。 热电固体材料包括多个纳米线。 多个纳米线的每个纳米线对应于等于或大于10的纵横比(例如,纳米线的长度与纳米线的直径的比),并且多个纳米线的每个纳米线化学键合到一个 或更多的其它纳米线在每个纳米线的至少两个位置。

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