公开(公告)号：WO2014164497A1

公开(公告)日：2014-10-09

申请号：PCT/US2014/022592

申请日：2014-03-10

Applicant: PACIFIC LIGHT TECHNOLOGIES CORP.

Inventor： HUGHES, Steven M. ,  KURTIN, Juanita N.

IPC: H01L33/30

CPC classification number: H01L33/005 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/582 ,  C09K11/621 ,  C09K11/881 ,  H01L33/06 ,  H01L33/26 ,  H01L33/502

Abstract: Nano-crystalline core and nano-crystalline shell pairings having group I-III-VI material nano-crystalline cores, and methods of fabricating nano-crystalline core and nano-crystalline shell pairings having group I-III-VI material nano-crystalline cores, are described. In an example, a semiconductor structure includes a nano-crystalline core composed of a group I-III-VI semiconductor material. A nano-crystalline shell composed of a second, different, group I-III-VI semiconductor material at least partially surrounds the nano-crystalline core.

Abstract translation: 具有I-III-VI族材料纳米晶核的纳晶结晶核和纳米晶体壳对，以及制备具有I-III-VI族材料纳米晶核的纳米晶核和纳米晶体壳对的方法， 被描述。 在一个实例中，半导体结构包括由I-III-VI族半导体材料构成的纳米晶核。 由第二不同的I-III-VI族半导体材料组成的纳米晶体壳至少部分地包围纳米晶核。

公开(公告)号：WO2008120626A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：PCT/JP2008/055672

申请日：2008-03-26

Applicant: 出光興産株式会社 ,  関谷 隆司 ,  川村 久幸 ,  徳田 隆二

Inventor： 関谷 隆司 ,  川村 久幸 ,  徳田 隆二

IPC: H01L51/50 ,  C09K11/00 ,  C09K11/56 ,  C09K11/62 ,  C09K11/70 ,  C09K11/74 ,  C09K11/88 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L51/5012 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C09K11/54 ,  C09K11/565 ,  C09K11/582 ,  C09K11/62 ,  C09K11/70 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/007 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072

Abstract: 　陽極及び陰極と、前記陽極及び陰極の間に、少なくとも正孔輸送層、及びナノクリスタル発光微粒子を含んでなる発光層を陽極側からこの順に積層して含み、前記正孔輸送層及び前記発光層が隣接し、前記正孔輸送層を形成する正孔輸送材料のイオン化ポテンシャル（ＩＰ ＨＴＬ ）及び前記ナノクリスタル発光微粒子のイオン化ポテンシャル（ＩＰ ＮＥＰ ）の差が下記式を満たす発光素子。 　｜ＩＰ ＨＴＬ －ＩＰ ＮＥＰ ｜≦１．０［ｅＶ］

Abstract translation: 一种发光器件，包括正极和负极，并且进一步设置在它们之间并且从正极侧依次重叠至少一个空穴传输层和含有纳米晶体发光微粒的发光层，其中空穴传输层和发光层 彼此相邻，并且其中构成空穴传输层的空穴传输材料的电离电位（IP HTL ）与电离电位（IPN NEP ）之间的差异 上述纳米晶体发光微粒满足下列公式：| IP = 1.0 [eV]。

公开(公告)号：WO2015075564A2

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：PCT/IB2014003155

申请日：2014-10-03

Applicant: UNIV KING ABDULLAH SCI & TECH

Inventor： BAKR OSMAN M ,  PAN JUN ,  EL-BALLOULI ALA A ,  KNUDSEN KRISTIAN RAHBEK ,  ABDELHADY AHMED L

IPC: C09K11/00

CPC classification number: C09K11/661 ,  B01J13/00 ,  B01J14/00 ,  B01J19/0093 ,  B01J2219/00792 ,  B01J2219/00795 ,  B01J2219/00833 ,  B01J2219/0086 ,  B01J2219/00873 ,  B01J2219/00889 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y35/00 ,  C01G15/006 ,  C01G21/21 ,  C01G51/30 ,  C09K11/025 ,  C09K11/54 ,  C09K11/582 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/035218 ,  H01L33/04 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/896 ,  Y10S977/95

Abstract: Embodiments of the present disclosure provide for methods of making quantum dots (QDs) (passivated or unpassivated) using a continuous flow process, systems for making QDs using a continuous flow process, and the like. In one or more embodiments, the QDs produced using embodiments of the present disclosure can be used in solar photovoltaic cells, bio-imaging, IR emitters, or LEDs.

Abstract translation: 本公开的实施例提供了使用连续流程法制造量子点（QD）（钝化或未钝化）的方法，使用连续流动过程制造量子点的系统等。 在一个或多个实施例中，使用本公开的实施例产生的量子点可用于太阳能光伏电池，生物成像，IR发射器或LED。

公开(公告)号：WO2015048460A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：PCT/US2014/057740

申请日：2014-09-26

Applicant: THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK

Inventor： OWEN, Jonathan, S. ,  HENDRICKS, Mark, P. ,  CAMPOS, Michael, P.

IPC: C01G21/21

CPC classification number: C09K11/883 ,  B05D1/18 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B19/007 ,  C01B19/04 ,  C01G3/12 ,  C01G11/02 ,  C01G21/21 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C07C335/08 ,  C07C335/16 ,  C07C391/00 ,  C07C2601/14 ,  C07D207/34 ,  C07F7/003 ,  C09K11/02 ,  C09K11/565 ,  C09K11/582 ,  C09K11/661 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/95

Abstract: The presently disclosed subject matter provides processes for preparing nanocrystals, including processes for preparing core-shell nanocrystals. The presently disclosed subject matter also provides sulfur and selenium compounds as precursors to nanostructured materials. The presently disclosed subject matter also provides nanocrystals having a particular particle size distribution.

Abstract translation: 目前公开的主题提供了制备纳米晶体的方法，包括制备核 - 壳纳米晶体的方法。 目前公开的主题还提供硫和硒化合物作为纳米结构材料的前体。 目前公开的主题还提供具有特定粒度分布的纳米晶体。

公开(公告)号：WO2007091500A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：PCT/JP2007/051867

申请日：2007-01-30

Applicant: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. ,  SAKATA, Junichiro ,  YAMAMOTO, Yoshiaki ,  KAWAKAMI, Takahiro ,  YOKOYAMA, Kohei ,  KATAYAMA, Miki ,  MATSUBARA, Rie

Inventor： SAKATA, Junichiro ,  YAMAMOTO, Yoshiaki ,  KAWAKAMI, Takahiro ,  YOKOYAMA, Kohei ,  KATAYAMA, Miki ,  MATSUBARA, Rie

IPC: H05B33/14 ,  C09K11/08 ,  C09K11/56 ,  C09K11/58 ,  C09K11/62

CPC classification number: C09K11/565 ,  C09K11/582 ,  C09K11/584 ,  C09K11/621 ,  H01L33/28 ,  H05B33/14

Abstract: A light emitting element is provided, which comprises a pair of electrodes, a p-type semiconductor layer, and an n-type semiconductor layer. The p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer are interposed between the pair of electrodes. The p-type semiconductor layer includes a first sulfide, and the n-type semiconductor layer includes a second sulfide. At least one of the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer includes a light emitting center.

Abstract translation: 提供了一种发光元件，其包括一对电极，p型半导体层和n型半导体层。 p型半导体层和n型半导体层插入在该对电极之间。 p型半导体层包括第一硫化物，n型半导体层包括第二硫化物。 p型半导体层和n型半导体层中的至少一个包括发光中心。

公开(公告)号：WO2002091530A1

公开(公告)日：2002-11-14

申请号：PCT/US2002/014000

申请日：2002-05-01

Applicant: CORNING INCORPORATED

Inventor： BEALL, George H ,  BORRELLI, Nicholas F ,  DOWNEY, Karen E ,  SAMSON, Bryce N

IPC: H01S3/067

CPC classification number: G02B6/02 ,  C03C4/12 ,  C03C10/0036 ,  C03C10/0045 ,  C03C13/046 ,  C09K11/582 ,  C09K11/602 ,  C09K11/646 ,  C09K11/671 ,  C09K11/681 ,  C09K11/685 ,  C09K11/691 ,  G02B6/00 ,  H01S3/1603 ,  H01S3/162 ,  H01S3/1623

Abstract: A broadband source, including associated devices that may incorporate the broadband source, which makes use of at least one, preferably two or more broad fluorescence spectra in combination from one or more species of transition metal ions doped in one or more material bodies. The bodies are selected from crystalline, glass-ceramic, glass, or polymer-organic materials. The broadband source or devices can generate a very broad fluorescence spectrum. The combined spectrum preferably spans a wavelength range of about 500 nm to 600 nm to 700 nm, and having an intensity that does not deviate from an average intensity by more than about 10 dB, over a range or portion of the near infrared region.

Abstract translation: 宽带源，包括可以并入宽带源的相关设备，其利用掺杂在一个或多个材料体中的一种或多种过渡金属离子组合使用至少一个，优选两个或更多个宽荧光光谱。 这些物体选自晶体，玻璃 - 陶瓷，玻璃或聚合物 - 有机材料。 宽带源或设备可以产生非常宽泛的荧光光谱。 组合光谱优选跨越近500nm至600nm至700nm的波长范围，并且在近红外区域的范围或部分上具有不偏离平均强度大于约10dB的强度。

公开(公告)号：WO2016024924A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：PCT/TR2014/000317

申请日：2014-08-13

Applicant: KOÇ ÜNİVERSİTESİ

Inventor： YAGC I ACAR, Havva ,  DEMIR, Fatma

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/58 ,  C09K11/88

CPC classification number: C09K11/025 ,  A61K49/0067 ,  B82Y5/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B19/007 ,  C01G5/00 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C09D179/02 ,  C09K11/02 ,  C09K11/582 ,  C09K11/881 ,  G01N33/588 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/896 ,  Y10S977/906 ,  Y10S977/927

Abstract: A novel near-IR emitting cationic silver chalcogenide quantum dot with a mixed coating wherein the coating comprises of at least 2 different types of materials and is capable of luminescence at the desired near IR bandwidth at wavelengths of 800 - 850 nm. The quantum dot is fabricated via an advantageous single-step, homogeneous, aqueous method at a low temperature resulting a near IR emitting semiconductor quantum dot with high Quantum Yield, high transfection with low toxicity. The quantum dots may be used in medical imaging, tumor detection, drug delivery and labeling as well as in quantum dot sensitized solar cells.

Abstract translation: 具有混合涂层的新型近红外发射阳离子银硫族化物量子点，其中所述涂层包含至少2种不同类型的材料，并且能够在800-850nm波长的期望的近IR带宽下发光。 量子点通过有利的单步均匀的水溶液法在低温下制造，产生近红外发射半导体量子点，具有高量子产率，高转染率，低毒性。 量子点可用于医学成像，肿瘤检测，药物递送和标记以及量子点致敏太阳能电池。

公开(公告)号：WO2012163078A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：PCT/CN2012/000167

申请日：2012-02-10

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 ,  王强斌 ,  张叶俊

Inventor： 王强斌 ,  张叶俊

IPC: C09K11/58

CPC classification number: C09K11/025 ,  A61K49/0067 ,  C07F1/005 ,  C09K11/582 ,  G01N33/588

Abstract: 提供了一种近红外硫化银量子点、及其制备方法和生物应用。所述硫化银量子点表面连接有来源于含巯基亲水性试剂的亲水性基团，所述亲水性试剂为巯基乙酸、巯基丙酸、半胱氨酸、半胱胺、辛硫酸和巯基乙酸铵的任意一种或两种以上的组合。所述硫化银量子点荧光产率高、荧光稳定性好、生物相容性好、尺寸均一；所述制备方法反应条件温和、操作简单、制备周期短、重复性好、易控制。所述硫化银量子点可用于细胞及生物组织成像中的应用。

公开(公告)号：WO2006009124A1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：PCT/JP2005/013185

申请日：2005-07-15

Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  国立大学法人大阪大学 ,  中村 浩之 ,  前田 英明 ,  小俣 孝久 ,  上原 雅人

Inventor： 中村 浩之 ,  前田 英明 ,  小俣 孝久 ,  上原 雅人

IPC: C09K11/62 ,  C09K11/08 ,  H05B33/14

CPC classification number: C09K11/621 ,  C09K11/582 ,  C09K11/881

Abstract:  　本発明は、低毒性の蛍光体、及びその製造方法、詳しくはカルコパイライト構造のナノ粒子の合成、及び金属カルコゲナイトとの複合化による蛍光体、及びその製造方法を提供する。蛍光体は、カルコパイライト構造を有するI－III－VI族の元素からなる第１化合物、又は第１化合物を含有する複合粒子若しくは複合化合物であり、第１化合物、又は複合粒子若しくは前記複合化合物の粒子径は０．５～２０．０ｎｍである。銅（I）、銅(II)、銀（I）、インジウム（III）、ガリウム（III）、アルミニウム（III）の内から１つ以上とをそれぞれ錯化剤を添加した溶液に溶解させて混合した第１溶液（Ａ溶液）と、カルコゲナイト化合物を溶解させた第２溶液（Ｃ溶液）とを混合し、所定の合成条件で熱処理して製造する。

Abstract translation: 一种毒性较小的荧光材料，特别是通过合成黄铜矿结构纳米颗粒并与金属辉绿岩组合形成的荧光材料。 荧光材料包括具有黄铜矿结构并由I，III和VI族元素或复合颗粒组成的第一化合物或每种含有第一化合物，第一化合物或具有颗粒的复合颗粒或复合材料的复合材料 直径为0.5-20.0nm。 它们通过将选自铜（I），铜（II），银（I），铟（III），镓（III）和铝（III）中的一种或多种成分溶解在含有添加的络合剂的溶液中而制备 将成分混合在一起制备第一溶液（溶液（A）），将第一溶液与通过溶解硫属元素化合物获得的第二溶液（溶液（C））混合，并在给定的合成条件下加热所得混合物。

公开(公告)号：WO2016115416A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：PCT/US2016/013518

申请日：2016-01-15

Applicant: THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK ,  CLEVELAND, Gregory, T. ,  PLANTE, Ilan, Jen-La ,  HAMACHI, Leslie, Sachiyo

Inventor： CLEVELAND, Gregory, T. ,  PLANTE, Ilan, Jen-La ,  HAMACHI, Leslie, Sachiyo ,  OWEN, Jonathan, S. ,  HENDRICKS, Mark, P. ,  CAMPOS, Michael, P.

IPC: C01B17/22 ,  C01B19/00

CPC classification number: C09K11/883 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B19/007 ,  C01B19/04 ,  C01G1/12 ,  C01G3/12 ,  C01G9/08 ,  C01G11/02 ,  C01G19/00 ,  C01G19/006 ,  C01G21/21 ,  C01G53/11 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/24 ,  C01P2004/32 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C09K11/565 ,  C09K11/582 ,  C09K11/602 ,  C09K11/661 ,  C09K11/881 ,  H01L33/04 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/825 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/896 ,  Y10S977/95

Abstract: The present invention is directed to methods of preparing metal sulfide, metal selenide, or metal sulfide/selenide nanoparticles and the products derived therefrom. In various embodiments, the nanoparticles are derived from the reaction between precursor metal salts and certain sulfur- and/or selenium-containing precursors each independently having a structure of Formula (I), (II), or (III), or an isomer, salt, or tautomer thereof, where Q 1 ,Q 2 ,Q 3 ,R 1 ,R 2 ,R 3 ,R 5 , and X are defined within the specification.

Abstract translation: 本发明涉及制备金属硫化物，金属硒化物或金属硫化物/硒化物纳米颗粒及其衍生物的方法。 在各种实施方案中，纳米颗粒衍生自前体金属盐和各自独立地具有式（I），（II）或（III）结构的某些含硫和/或硒的前体之间的反应，或异构体， 盐或其互变异构体，其中Q1，Q2，Q3，R1，R2，R3，R5和X在本说明书中定义。