鍍金層の研磨方法および磁気記録ヘッドの製造方法
    2.
    发明申请
    鍍金層の研磨方法および磁気記録ヘッドの製造方法 审中-公开
    抛光层的方法及制造磁记录头的工艺

    公开(公告)号:WO2008152702A1

    公开(公告)日:2008-12-18

    申请号:PCT/JP2007/061889

    申请日:2007-06-13

    Abstract:  主磁極等の鍍金層の高さを、研磨を用いて正確に設定することの可能な鍍金層の研磨方法、および、それを用いて主磁極の高さを正確に設定することの可能な磁気記録ヘッドの製造方法を提供する。  基板上にパターニングされた鍍金層80aの上面および側面に第1のストッパ層83を形成する工程と、第1のストッパ層83上から鍍金層80aを覆う、鍍金層80aの高さとほぼ同じ層厚の絶縁層81を形成する工程と、鍍金層80a上を除く絶縁層81の表面に、第2のストッパ層86を形成する工程と、第2のストッパ層86から露出した、鍍金層80a上の絶縁層81を、第1のストッパ層83の上部および第2のストッパ層86と同じ高さにまで平坦化する工程と、鍍金層80a上面の第1のストッパ層83、および、第2のストッパ層86を除去する工程と、絶縁層81および鍍金層80aを研磨して平坦化する工程とを含む。  

    Abstract translation: 可以通过研磨精确地设定主磁极的镀层的高度等的镀层的研磨方法; 以及用于制造磁记录头的方法,其中通过使用该方法可以精确地设定主磁极的高度。 该方法包括在基板上的图案化镀层(80a)的上表面和侧面上形成第一阻挡层(83)的步骤; 形成厚度基本上等于镀层(80a)的高度的绝缘层(81),以从第一阻挡层(83)的上方覆盖电镀层(80a); 在除了镀层(80a)上的区域之外的绝缘层(81)的表面上形成第二阻挡层(86) 使从第二阻挡层(86)暴露的镀层(80a)上的绝缘层(81)变平至与第二阻挡层(86)和第一阻挡层(83)的上部相同的高度; 除去镀层(80a)的上表面上的第一阻挡层(83),还除去第二阻挡层(86)。 并对绝缘层(81)和镀层(80a)进行抛光,从而得到平坦化。

    FREE RADICAL-FORMING ACTIVATOR ATTACHED TO SOLID AND USED TO ENHANCE CMP FORMULATIONS
    4.
    发明申请
    FREE RADICAL-FORMING ACTIVATOR ATTACHED TO SOLID AND USED TO ENHANCE CMP FORMULATIONS 审中-公开
    连接固体并用于增强CMP制剂的免费成型激活剂

    公开(公告)号:WO2003068882A1

    公开(公告)日:2003-08-21

    申请号:PCT/US2003/004144

    申请日:2003-02-11

    Abstract: The present invention provides a composition for chemical-mechanical polishing which comprises at least one abrasive particle having a surface at least partially coated by a activator. The activator comprises a metal other than a metal of Group 4(b), Group 5(b) or Group 6(b). The composition further comprises at least one oxidizing agent. The composition is believed to be effective by virtue of the interaction between the activator coated on the surface of the abrasive particles and the oxidizing agent, at the activator surface, to form free radicals. The invention further provides a method that employs the composition in the polishing of a feature or layer, such as a metal film, on a substrate surface. The invention additionally provides a substrate produced this method.

    Abstract translation: 本发明提供了一种用于化学机械抛光的组合物,其包括至少一种具有至少部分地被活化剂涂覆的表面的磨料颗粒。 活化剂包括不同于第4组(b),第5组(b)或第6组(b)组的金属的金属。 组合物还包含至少一种氧化剂。 认为组合物由于在活化剂表面上涂覆在磨料颗粒表面上的活化剂与氧化剂之间的相互作用而有效,以形成自由基。 本发明进一步提供了一种在基底表面上抛光特征或层如金属膜的组合物的方法。 本发明另外提供了制造这种方法的基材。

    加工量検出方法および加工装置
    5.
    发明申请
    加工量検出方法および加工装置 审中-公开
    检测加工量和加工装置的方法

    公开(公告)号:WO2010119585A1

    公开(公告)日:2010-10-21

    申请号:PCT/JP2009/069420

    申请日:2009-11-16

    Abstract:  ワイヤボンディングによる接続なしで研磨量などの加工量検知を実現する技術を提供するために、研磨装置において、被研磨物2上に研磨により体積が変化する伝導性パターンで形成した容量5と、伝導性パターンで形成した被研磨物側インダクタ4を有し、容量5と被研磨物側インダクタ4はLC共振器を構成している。また、研磨量検出器7に接続した検出用基板1に伝導性パターンで形成した検出側インダクタ3を有し、被研磨物側インダクタ4と検出側インダクタ3の電磁結合を介して、検出側から被研磨物側を見たインピーダンスをRF検出する。研磨により被研磨物2上の容量5が変化し、それに応じてLC共振器の共振周波数変量を研磨量検出器7でモニタすることで研磨量を算出する。

    Abstract translation: 为了提供一种技术,通过该技术可以在没有引线接合的情况下检测诸如研磨量的处理量,研磨装置具有通过导电图案形成在磨耗对象(2)上的容量(5) 其体积由磨损变化,以及由导电图案形成的磨耗目标侧电感器(4); 并且容量(5)和磨耗目标侧电感器(4)构成LC谐振器。 检测侧电感器(3)由与磨损量检测器(7)连接的检测基板(1)上的导电图案形成。 通过磨耗目标侧电感器(4)和检测侧电感器(3)的电磁耦合,RF检测从检测侧到磨损对象侧的阻抗。 磨损目标(2)上的容量(5)通过研磨而变化,并且根据此,由磨损量检测器(7)监测LC谐振器的共振频率变化量,从而计算磨损量。

    磁極幅測定方法
    7.
    发明申请
    磁極幅測定方法 审中-公开
    宽度测量方法

    公开(公告)号:WO2008139513A1

    公开(公告)日:2008-11-20

    申请号:PCT/JP2007/059147

    申请日:2007-04-27

    Inventor: 小室 勉

    CPC classification number: G11B5/3166 G11B5/3116 G11B5/3169

    Abstract:  外面がストッパ膜等の第1非磁性膜で覆われ、その第1非磁性膜の上からさらにアルミナ膜等の第2非磁性膜で覆われた磁極を研磨加工して、被研磨面において露出した磁極の幅を測定する際に、磁極の幅を高精度に測定することが可能な磁極幅測定方法を提供する。  外面が第1非磁性膜83で覆われ、第1非磁性膜83の上からさらに第2非磁性膜81で覆われた磁極80aを研磨加工して、研磨加工の被研磨面において少なくとも磁極80aの一部を第1および第2非磁性膜83,81から露出させ、露出した磁極80aの幅を測定する磁極幅測定方法であって、前記被研磨面に、磁極80aおよび第2非磁性膜81よりも第1非磁性膜83に対する除去レートの高い除去加工を行った後、前記露出した磁極80aの幅wを測定する。

    Abstract translation: 提供一种能够高精度地测量外露极的宽度的极宽测量方法,该极具有涂覆有第一非磁性膜(例如阻挡膜)的外表面,该第一非磁性膜涂覆有第二非磁性膜 ,例如氧化铝膜,涂覆有第一和第二非磁性膜的极被抛光,使得极在抛光面部分地暴露。 根据极宽度测定方法,将极(80a)的外表面涂覆有第一非磁性膜(83),并通过第一非磁性膜(83)进一步涂覆有第二非磁性膜(81), 抛光所得的极(80a)以去除第一和第二非磁性膜(83,81),使得极(80a)的至少一部分在抛光面处露出,并且测量暴露极(80a)的宽度 。 对待抛光的面进行去除处理,使得除去第一非磁性膜(83)的速度高于去除极(80a)和第二非磁性膜(81)的速度,之后,宽度( 测量曝光极(80a)的宽度(w)。

    IMPROVED ELG WIRING CONFIGURATION
    8.
    发明申请
    IMPROVED ELG WIRING CONFIGURATION 审中-公开
    改进ELG配线

    公开(公告)号:WO1998018596A1

    公开(公告)日:1998-05-07

    申请号:PCT/US1997001324

    申请日:1997-01-30

    Abstract: An electrical lap guide (ELG) system and method are disclosed for use in lapping a bar (10) of magnetic transducer carrying sliders to a desired transducer height. A first ELG (ELG1) contained within the bar has at least two first ELG resistive elements (R11, R12). A second ELG (ELG2) contained within the bar has at least two second ELG resistive elements (R21, R23). A first of the at least two first ELG resistive elements is electrically coupled to a first of the at least two second ELG resistive elements to thereby reduce a total number of leads needed between a data acquisition unit (100) and the bar (10) during lapping. The reduction in required data acquisition unit (100) leads (L) allows more ELGs to be included on each bar (10) in order to more accurately control the lapping process

    Abstract translation: 公开了一种用于将携带滑块的磁性换能器的杆(10)研磨到期望的换能器高度的电牵引导引(ELG)系统和方法。 包含在棒内的第一ELG(ELG1)具有至少两个第一ELG电阻元件(R11,R12)。 包含在棒内的第二ELG(ELG2)具有至少两个第二ELG电阻元件(R21,R23)。 所述至少两个第一ELG电阻元件中的第一个电耦合到所述至少两个第二ELG电阻元件中的第一ELG电阻元件,从而在数据采集单元(100)和所述条(10)期间减少所需导线的总数 研磨。 所需数据采集单元(100)引线(L)的减少允许在每个条(10)上包括更多的ELG,以便更精确地控制研磨过程

    METHODS AND SYSTEMS OF ADJUSTING TILT USING MAGNETIC ERASE WIDTH FEEDBACK
    9.
    发明申请
    METHODS AND SYSTEMS OF ADJUSTING TILT USING MAGNETIC ERASE WIDTH FEEDBACK 审中-公开
    使用磁性擦除宽度反馈调整倾斜的方法和系统

    公开(公告)号:WO2015106033A1

    公开(公告)日:2015-07-16

    申请号:PCT/US2015/010698

    申请日:2015-01-08

    Abstract: Systems and methods are provided for manufacturing magneto-resistive devices utilized in magneto-resistive read elements by depositing a plurality of rows of magnetic transducers on a wafer. The wafer may then be diced/cut into bars of active device regions for incorporation into a magnetic recording head. Sampling of a subset of bars from one or more bar sections of the wafer may be processed to obtain feedback associated with magnetic erase width (MEW). An air bearing surface (ABS) tilt angle based on the MEW feedback may then be applied to the one or more bar sections of the wafer during subsequent processing to optimize the magnetic performance of each resulting magneto-resistive device.

    Abstract translation: 提供了通过在晶片上沉积多行磁性换能器来制造用于磁阻读取元件的磁阻器件的系统和方法。 然后可以将晶片切割/切割成有源器件区域的条,以结合到磁记录头中。 可以处理来自晶片的一个或多个条部分的棒子集的取样以获得与磁擦除宽度(MEW)相关联的反馈。 然后可以在后续处理期间将基于MEW反馈的空气轴承表面(ABS)倾斜角施加到晶片的一个或多个杆部分,以优化每个所得到的磁阻装置的磁性能。

    ARTICLES INCLUDING INTERMEDIATE LAYER AND METHODS OF FORMING
    10.
    发明申请
    ARTICLES INCLUDING INTERMEDIATE LAYER AND METHODS OF FORMING 审中-公开
    包括中间层的文章和形成方法

    公开(公告)号:WO2014062222A1

    公开(公告)日:2014-04-24

    申请号:PCT/US2013/030659

    申请日:2013-03-13

    Abstract: Articles that include a magnetic structure; an intermediate layer, the intermediate layer positioned on the magnetic structure, the intermediate layer having a thickness from about 3 Å to about 50 Å, the intermediate layer including a bottom interface layer, the bottom interface layer positioned adjacent the magnetic structure, the bottom interface layer including atoms of a metal bonded to atoms, compounds, or both of the magnetic structure; an interlayer, the interlayer positioned on the bottom interface layer, the interlayer including oxides of the metal; and a top interface layer, the top interface layer positioned adjacent the interlayer, the top interface layer including atoms of the metal, oxides of the metal, or some combination thereof bonded to atoms or compounds of the adjacent overcoat layer; and an overcoat layer, the overcoat layer positioned on the top interface layer of the intermediate layer.

    Abstract translation: 包括磁性结构的文章; 中间层,位于磁性结构上的中间层,中间层的厚度约为约至约为50埃,中间层包括底部界面层,底部界面层位于磁性结构附近,底部界面 层,包括键合到原子,化合物或两者的磁性结构的金属的原子; 中间层,位于底部界面层上的中间层,包含金属的氧化物的中间层; 以及顶部界面层,所述顶部界面层位于所述中间层附近,所述顶部界面层包括所述金属的原子,所述金属的氧化物或其结合到所述相邻外涂层的原子或化合物的某些组合; 和外涂层,该外涂层位于中间层的顶部界面层上。

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