中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

49 records (took 0.015 seconds)

    BETA TUNGSTEN THIN FILMS WITH GIANT SPIN HALL EFFECT FOR USE IN COMPOSITIONS AND STRUCTURES
    1.
    发明申请
    BETA TUNGSTEN THIN FILMS WITH GIANT SPIN HALL EFFECT FOR USE IN COMPOSITIONS AND STRUCTURES 审中-公开
    用于组合物和结构的具有巨大自旋霍尔效应的β-钨钨薄膜

    公开(公告)号：WO2016069547A4

    公开(公告)日：2016-07-28

    申请号：PCT/US2015057496

    申请日：2015-10-27

    Applicant: UNIV BROWN

    Inventor： XIAO GANG ,  HAO QIANG

    IPC: G11C11/18 ,  H01L43/06 ,  H01L43/10

    CPC classification number: H01F10/30 ,  H01F10/329 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L43/14 ,  H03K19/18

    Abstract: Methods, devices, and compositions for use with spintronic devices such as magnetic random access memory (MRAM) and spin-logic devices are provided. Methods include manipulating magnetization states in spintronic devices and making a structure using spin transfer torque to induce magnetization reversal. A device described herein manipulates magnetization states in spintronic devices and includes a non-magnetic metal to generate spin current based on the giant spin Hall effect, a ferromagnetic thin film with perpendicular magnetic anisotropy, an oxide thin film, and an integrated magnetic sensor. The device does not require an insertion layer between a non-magnetic metal with giant spin Hall effect and a ferromagnetic thin film to achieve perpendicular magnetic anisotropy.

    Abstract translation: 提供了与自旋电子器件（例如磁性随机存取存储器（MRAM）和自旋逻辑器件）一起使用的方法，器件和组合物。 方法包括操纵自旋电子器件中的磁化状态并使用自旋转移力矩来制造结构以引起磁化反转。 本文描述的器件操纵自旋电子器件中的磁化状态，并且包括基于巨大自旋霍尔效应产生自旋电流的非磁性金属，具有垂直磁各向异性的铁磁薄膜，氧化物薄膜和集成磁传感器。 该装置不需要在具有巨大自旋霍尔效应的非磁性金属和铁磁薄膜之间插入层以实现垂直磁各向异性。

    THIN-LAYERED MAGNETIC DEVICE WITH HIGH SPIN POLARIZATION PERPENDICULAR TO THE PLANE OF THE LAYERS, AND MAGNETIC TUNNEL JUNCTION AND SPIN VALVE USING SUCH A DEVICE
    2.
    发明申请
    THIN-LAYERED MAGNETIC DEVICE WITH HIGH SPIN POLARIZATION PERPENDICULAR TO THE PLANE OF THE LAYERS, AND MAGNETIC TUNNEL JUNCTION AND SPIN VALVE USING SUCH A DEVICE 审中-公开
    具有高层螺旋极化的薄层磁性装置，并且使用这种装置的磁性隧道结和旋转阀

    公开(公告)号：WO2008015354A3

    公开(公告)日：2008-03-27

    申请号：PCT/FR2007051659

    申请日：2007-07-13

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  RODMACQ BERNARD ,  DIENY BERNARD

    Inventor： RODMACQ BERNARD ,  DIENY BERNARD

    IPC: H01F10/32

    CPC classification number: H01F10/3254 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/1284 ,  G11C11/161 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3286 ,  H03B15/006 ,  Y10T428/1121

    Abstract: The invention concerns a thin-layered magnetic device comprising, on a substrate, a composite assembly deposited by cathode spraying and composed of a magnetic layer (2) made from a material having high perpendicular magnetic anisotropy, the magnetization of which, in the absence of any electrical or magnetic interaction, is located outside the plane of said layer, a magnetic layer (3) in direct contact with the preceding magnetic layer (2), made from a ferromagnetic material with a high spin polarization rate, the magnetization of which, in the absence of any electrical or magnetic interaction, is located inside the plane of this layer, the direct magnetic coupling of this layer with said magnetic layer (2) inducing a reduction in the effective demagnetizing field of the assembly composed of the two magnetic layers (2) and (3), and a nonmagnetic layer (4) in direct contact with the preceding magnetic layer (3), made from a material that is non-depolarizing for the electrons passing through the device. The device includes means for passing an electric current through itself, in a direction substantially perpendicular to the plane of the layers.

    Abstract translation: 本发明涉及一种薄层磁性装置，其在基板上包括通过阴极喷涂沉积的复合组件，该复合组件由由具有高垂直磁各向异性的材料制成的磁性层（2）组成，其磁化强度在没有 任何电或磁相互作用位于所述层的平面之外，与具有高自旋极化速率的铁磁材料制成的与前一磁性层（2）直接接触的磁性层（3），其磁化强度， 在没有任何电或磁相互作用的情况下，位于该层的平面内，该层与所述磁性层（2）的直接磁耦合导致由两个磁性层组成的组件的有效去磁场的减小 （2）和（3），以及与前一个磁性层（3）直接接触的非磁性层（4），由对于经过电子的电子非去极化的材料制成 粗糙的设备。 该装置包括用于使电流在基本上垂直于层的平面的方向上通过其自身的装置。

    MAGNETIC STORAGE MEDIA HAVING TILTED MAGNETIC ANISOTROPY
    3.
    发明申请
    MAGNETIC STORAGE MEDIA HAVING TILTED MAGNETIC ANISOTROPY 审中-公开
    具有倾斜磁性异相的磁性存储介质

    公开(公告)号：WO2004032120A1

    公开(公告)日：2004-04-15

    申请号：PCT/US2003/030507

    申请日：2003-09-29

    Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

    Inventor： PELHOS, Kalman ,  KLEMMER, Timothy, J. ,  SEIGLER, Michael, A.

    IPC: G11B5/64

    CPC classification number: G11B5/732 ,  G11B5/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/656 ,  G11B5/82 ,  G11B5/8404 ,  G11B2005/0002 ,  G11B2005/0005 ,  H01F10/12 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30

    Abstract: A magnetic storage media (18, 38) comprises a substrate (20, 40) supporting the layer of magnetic media ( 28, 48) having a tilted C-axis greater than approximately 25° with respect to surface normal and having a magnetic easy axis tilted at an angle at approximately greater than 30° from the substrate surface normal. The media includes an oblique deposited seedlayer structure (22, 42) directing tilted C-axis growth of the magnetic material layer independent of the angle of deposition of the magnetic material layer. The orientation C-axis and the magnetic easy axis of the media may be organized into circumferential or radial patterns on the substrate surface, and additionally may possess azimuthal symmetry.

    Abstract translation: 磁性存储介质（18,38）包括支撑相对于表面法线具有大于约25°的倾斜C轴的磁性介质层（28,48）的基底（20,40），并具有磁性容易轴 以与基板表面法线成大约30°的角度倾斜。 介质包括倾斜沉积的种子层结构（22,42），其不依赖于磁性材料层的沉积角度而引导磁性材料层的C轴的生长。 介质的取向C轴和易磁化轴可以被组织成衬底表面上的圆周或径向图案，并且另外可以具有方位对称性。

    高飽和磁束密度軟磁性材料
    4.
    发明申请
    高飽和磁束密度軟磁性材料 审中-公开
    高饱和磁通密度软磁材料

    公开(公告)号：WO2003096359A1

    公开(公告)日：2003-11-20

    申请号：PCT/JP2003/005846

    申请日：2003-05-09

    Applicant: 科学技術振興事業団 ,  新宅 一彦 ,  山川 清志

    Inventor： 新宅 一彦 ,  山川 清志

    IPC: H01F10/16

    CPC classification number: H01F10/16 ,  G11B5/3109 ,  H01F10/13 ,  H01F10/265 ,  H01F10/30 ,  Y10T428/12937 ,  Y10T428/12944 ,  Y10T428/12951 ,  Y10T428/12958

    Abstract: 軟磁性材料で形成された非結晶下地膜と、（Ｆｅ x Ｃｏ 1-x ） y （Ｍ） 1-y （ここで、０．６５≦ｘ≦０．７５、０＜１−ｙ≦０．０５であり、ＭはＭｇ、Ａｌ、ＳｉおよびＴｉの酸化物および窒化物からなる群より選択される少なくとも１種を示す。）で表される組成を有する膜との積層膜を含む高飽和磁束密度軟磁性材料。

    Abstract translation: 一种高饱和磁通密度的软磁性材料，包括由软磁性材料构成的非晶质基底膜和由式（FexCo1-x）y（M）1-y表示的组成的膜的层压体（其中0.65 < = x <= 0.75; 0 <1-y <= 0.05; M表示选自Mg，Al，Si和Ti的氧化物和氮化物中的至少一种。

    垂直磁化膜用下地、垂直磁化膜構造、垂直ＭＴＪ素子及びこれらを用いた垂直磁気記録媒体
    6.
    发明申请
    垂直磁化膜用下地、垂直磁化膜構造、垂直ＭＴＪ素子及びこれらを用いた垂直磁気記録媒体 审中-公开
    全面磁化膜的完整磁性薄膜结构，全面的MTJ元件和使用相同的全息磁记录介质

    公开(公告)号：WO2015141794A1

    公开(公告)日：2015-09-24

    申请号：PCT/JP2015/058306

    申请日：2015-03-19

    Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構

    Inventor： 介川　裕章 ,  温　振超 ,  三谷　誠司 ,  猪俣　浩一郎 ,  古林　孝夫 ,  ハドーン　ジェイソン　ポール ,  大久保　忠勝 ,  宝野　和博 ,  グ　ジョンウ

    IPC: G11B5/735 ,  G11B5/70 ,  G11B5/84

    CPC classification number: G11B5/653 ,  G11B5/65 ,  G11B5/656 ,  G11B5/66 ,  G11B5/7315 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/8404 ,  G11B5/851 ,  H01F10/123 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3286

    Abstract: 立方晶系または正方晶系垂直磁化膜を高品質に成長可能であって耐熱性の高い下地膜を用いた垂直磁化膜構造として、（００１）面方位の立方晶系単結晶の基板、または（００１）面方位をもって成長した立方晶系配向膜を有する基板の一方（５）と、基板５に形成されたｈｃｐ構造のＲｕ、Ｒｅ等の金属の薄膜であって、基板５の＜００１＞方位又は（００１）面方位に対して、［０００１］方位が４２°～５４°の範囲の角度をなす前記金属の薄膜からなる下地層（６）と、金属下地層６の上に位置すると共に、組成材料としてＣｏ基ホイスラー合金、ｂｃｃ構造のコバルト－鉄（ＣｏＦｅ）合金等からなる群より選ばれた（００１）面方位をもって成長した立方晶材料よりなる垂直磁化層（７）とを有する構造とする。

    Abstract translation: 公开了采用高耐热底涂膜的垂直磁化膜结构，其上立方或四方垂直磁化膜可以高品质生长，所述结构包括：具有（001）面方向的立方体单晶衬底（5）或 具有以（001）面方向生长的立方体取向膜的基板（5） 由诸如Ru或Re的金属薄膜（例如Ru或Re）制成的底涂层（6），其具有hcp结构，并形成在所述基板（5）上，其中金属薄膜的[0001]方向形成一个范围内的角度 相对于基板（5）的<001>方向或（001）面方向为42°〜54°; 和位于金属底涂层（6）上的垂直磁化层（7），并且由（001）面方向生长的立方体材料制成，立方体材料的组成材料选自Co 的Heusler合金，bcc结构的钴 - 铁（CoFe）合金等。

    MAGNETORESISTIVE ELEMENT
    7.
    发明申请
    MAGNETORESISTIVE ELEMENT 审中-公开
    磁电元件

    公开(公告)号：WO2013015004A1

    公开(公告)日：2013-01-31

    申请号：PCT/JP2012/063574

    申请日：2012-05-21

    Applicant: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA ,  KITAGAWA, Eiji ,  KAI, Tadashi ,  YODA, Hiroaki

    Inventor： KITAGAWA, Eiji ,  KAI, Tadashi ,  YODA, Hiroaki

    IPC: H01L43/10 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

    CPC classification number: H01L43/08 ,  G01R33/091 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11C11/161 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/10

    Abstract: According to one embodiment, a magnetoresistive element includes a recording layer having magnetic anisotropy perpendicular to a film surface and having a variable magnetization direction, a reference layer having magnetic anisotropy perpendicular to a film surface and having an invariable magnetization direction, an intermediate layer provided between the recording layer and the reference layer, and a underlayer containing AlTiN and provided on an opposite side of a surface of the recording layer on which the intermediate layer is provided.

    Abstract translation: 根据一个实施例，磁阻元件包括具有垂直于膜表面并且具有可变磁化方向的磁各向异性的记录层，具有垂直于膜表面的磁各向异性且具有不变磁化方向的参考层， 记录层和参考层，以及包含AlTiN的底层，并设置在其上设置有中间层的记录层的表面的相反侧。

    THIN FILM DEVICE WITH PERPENDICULAR EXCHANGE BIAS
    10.
    发明申请
    THIN FILM DEVICE WITH PERPENDICULAR EXCHANGE BIAS 审中-公开
    具有完全交换偏移的薄膜器件

    公开(公告)号：WO2003104830A1

    公开(公告)日：2003-12-18

    申请号：PCT/US2002/029708

    申请日：2002-09-19

    Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

    Inventor： AMBROSE, Thomas, F. ,  KLEMMER, Timothy, J. ,  VAN DE VEERDONK, Rene, J., M. ,  PARKER, Gregory, J. ,  HOWARD, James, K.

    IPC: G01R33/09

    CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/302 ,  Y10T428/1157 ,  Y10T428/1171 ,  Y10T428/12868 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/32

    Abstract: A perpendicular exchange biased device (10) comprises a layer of buffer material (14) on a surface of a substrate (12), a layer offerromagnetic material (18) on a surface of the buffer layer, wherein the magnetization of the ferromagnetic layer lies in a direction perpendicular to the plane of the layer of ferromagnetic material, and a layer of antiferromagnetic material (22) on a surface of the layer of ferromagnetic material. A method of making a perpendicular exchange biased device comprising positioning a layer of buffer material on a surface of a substrate, positioning a layer of ferromagnetic material on a surface of the layer of buffer material, wherein the magnetization of the ferromagnetic layer lies in a direction perpendicular to the plane of the layer of ferromagnetic material, and positioning a layer of antiferromagnetic material on a surface of the layer of ferromagnetic material is also included.

    Abstract translation: 垂直交换偏置装置（10）包括在衬底（12）的表面上的缓冲材料层（14），缓冲层表面上的层提供磁性材料（18），其中铁磁层的磁化位于 在垂直于铁磁材料层的平面的方向上，以及在铁磁材料层的表面上的反铁磁材料层（22）。 一种制造垂直交换偏置装置的方法，包括将缓冲材料层定位在衬底的表面上，将铁磁材料层定位在缓冲材料层的表面上，其中铁磁层的磁化位于方向 垂直于铁磁材料层的平面，并且在铁磁材料层的表面上定位一层反铁磁材料。

Patent Agency Ranking